200mm 8inch GaN ເທິງ sapphire Epi-layer wafer substrate

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ຂະບວນການຜະລິດປະກອບດ້ວຍການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ຂອງຊັ້ນ GaN ເທິງຊັ້ນໃຕ້ດິນ Sapphire ໂດຍໃຊ້ເຕັກນິກຂັ້ນສູງເຊັ່ນ: ການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີຂອງໂລຫະ-ອິນຊີ (MOCVD) ຫຼື molecular beam epitaxy (MBE).ການຖິ້ມຂີ້ເຫຍື້ອແມ່ນດໍາເນີນພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ຄວບຄຸມເພື່ອຮັບປະກັນຄຸນນະພາບຂອງໄປເຊຍກັນສູງແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຮູບເງົາ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ການແນະນໍາຜະລິດຕະພັນ

ຊັ້ນຍ່ອຍ GaN-on-Sapphire ຂະໜາດ 8 ນິ້ວແມ່ນວັດສະດຸ semiconductor ຄຸນນະພາບສູງທີ່ປະກອບດ້ວຍຊັ້ນ Gallium Nitride (GaN) grownon a Sapphire substrate.ອຸປະກອນການນີ້ສະຫນອງຄຸນສົມບັດການຂົນສົ່ງເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ດີເລີດແລະເປັນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການ fabrication ຂອງອຸປະກອນ semiconductor ພະລັງງານສູງແລະຄວາມຖີ່ສູງ.

ວິທີການຜະລິດ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ແຜ່ນຍ່ອຍ GaN-on-Sapphire ຂະໜາດ 8 ນິ້ວ ພົບເຫັນການໃຊ້ງານທີ່ກວ້າງຂວາງໃນຂົງເຂດຕ່າງໆ ລວມທັງການສື່ສານໄມໂຄເວຟ, ລະບົບເຣດາ, ເທັກໂນໂລຍີໄຮ້ສາຍ ແລະ optoelectronics.ບາງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປປະກອບມີ:

1. ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ RF

2. ອຸດສາຫະກໍາເຮັດໃຫ້ມີແສງ LED

3. ອຸປະກອນການສື່ສານເຄືອຂ່າຍໄຮ້ສາຍ

4. ອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ

5. Oອຸປະກອນ ptoelectronic

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງຜະລິດຕະພັນ

-Dimension: ຂະໜາດຂອງແຜ່ນຮອງແມ່ນ 8 ນິ້ວ (200 mm) ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ.

- ຄຸນະພາບຂອງພື້ນຜິວ: ພື້ນຜິວຖືກຂັດເພື່ອໃຫ້ມີຄວາມລຽບສູງແລະສະແດງຄຸນນະພາບທີ່ຄ້າຍຄືກັບກະຈົກ.

- ຄວາມຫນາ: ຄວາມຫນາຂອງຊັ້ນ GaN ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ໂດຍອີງໃສ່ຄວາມຕ້ອງການສະເພາະ.

- ການຫຸ້ມຫໍ່: ຊັ້ນຍ່ອຍໄດ້ຖືກຫຸ້ມຫໍ່ຢ່າງລະມັດລະວັງໃນວັດສະດຸຕ້ານສະຖິດເພື່ອປ້ອງກັນຄວາມເສຍຫາຍໃນລະຫວ່າງການຂົນສົ່ງ.

- Orientation Flat: ຊັ້ນຍ່ອຍມີທິດທາງສະເພາະທີ່ຮາບພຽງເພື່ອຊ່ວຍເຫຼືອໃນການຈັດລຽງ wafer ແລະການຈັດການໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການ fabrication ອຸປະກອນ.

- ຕົວກໍານົດການອື່ນໆ: ສະເພາະຂອງຄວາມຫນາ, ຄວາມຕ້ານທານ, ແລະຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນ dopant ສາມາດໄດ້ຮັບການປັບແຕ່ງຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.

ດ້ວຍຄຸນສົມບັດວັດສະດຸທີ່ເໜືອກວ່າ ແລະ ການນຳໃຊ້ທີ່ຫຼາກຫຼາຍ, ຊັ້ນຍ່ອຍ GaN-on-Sapphire ຂະໜາດ 8 ນິ້ວ ເປັນທາງເລືອກທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ສຳລັບການພັດທະນາອຸປະກອນເຊມິຄອນດັກເຕີທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງໃນອຸດສາຫະກຳຕ່າງໆ.

ຍົກເວັ້ນ GaN-On-Sapphire, ພວກເຮົາຍັງສາມາດສະເຫນີໃນພາກສະຫນາມຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກອຸປະກອນພະລັງງານ, ຄອບຄົວຜະລິດຕະພັນປະກອບມີ 8 ນິ້ວ AlGaN / GaN-on-Si epitaxial wafers ແລະ 8 ນິ້ວ P-cap AlGaN / GaN-on-Si epitaxial wafers.ໃນເວລາດຽວກັນ, ພວກເຮົາໄດ້ປະດິດສ້າງການນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຊີ GaN epitaxy ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ 8 ນິ້ວຂອງຕົນເອງໃນພາກສະຫນາມໄມໂຄເວຟ, ແລະພັດທະນາ 8 ນິ້ວ AlGaN / GAN-on-HR Si epitaxy wafer ທີ່ປະສົມປະສານປະສິດທິພາບສູງທີ່ມີຂະຫນາດໃຫຍ່, ລາຄາຕໍ່າ. ແລະເຂົ້າກັນໄດ້ກັບມາດຕະຖານການປຸງແຕ່ງອຸປະກອນ 8 ນິ້ວ.ນອກເຫນືອໄປຈາກຊິລິໂຄນ gallium nitride, ພວກເຮົາຍັງມີສາຍຜະລິດຕະພັນຂອງ wafers epitaxial AlGaN / GaN-on-SiC ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າສໍາລັບວັດສະດຸ epitaxial gallium nitride ທີ່ອີງໃສ່ຊິລິໂຄນ.