Dia50.8mm Sapphire Wafer Sapphire Window Transmittance Optical High DSP/SSP

Dia50.8mm Sapphire Wafer Sapphire Window High Optical Transmittance DSP/SSP Featured Image

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ເນື່ອງຈາກເສັ້ນດ່າງທີ່ບໍ່ກົງກັນຫນ້ອຍລົງແລະຄຸນສົມບັດທາງເຄມີແລະທາງກາຍະພາບທີ່ຫມັ້ນຄົງ, sapphire (Al2O3) wafer ແມ່ນ substrates ທີ່ນິຍົມສໍາລັບ III-V nitrides, superconductor ແລະ epi-film ແມ່ເຫຼັກ.ພວກເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ GaN ແລະການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial ຮູບເງົາບາງໆ, ຊິລິໂຄນກ່ຽວກັບ sapphire, ຕະຫຼາດ LED ແລະອຸດສາຫະກໍາ optics.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ເປັນຫຍັງ Sapphire?

ຄຸນນະສົມບັດຂອງ sapphire ໄປເຊຍກັນດຽວ
1. Sapphire ມີການຖ່າຍທອດ optical ສູງ, ສະນັ້ນມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງເປັນອຸປະກອນການ dielectric tube microelectronic, ອົງປະກອບ conduction ultrasonic, waveguide laser ຢູ່ຕາມໂກນ, ແລະອົງປະກອບ optical ອື່ນໆ, ເປັນວັດສະດຸປ່ອງຢ້ຽມສໍາລັບອຸປະກອນທະຫານ infrared, ຍານພາຫະນະອາວະກາດ, lasers ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນສູງແລະ optical. ການສື່ສານ.

2. Sapphire ມີຄວາມເຂັ້ມງວດສູງ, ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງ, ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງ, ຄວາມຕ້ານທານກັບຮອຍຂີດຂ່ວນ, ຄຸນລັກສະນະຕ້ານ corrosion, ດັ່ງນັ້ນ substrate sapphire ມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງ, ເຊັ່ນ: ເຄື່ອງວັດແທກນ້ໍາ boiler (ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ), ເຄື່ອງສະແກນບາໂຄດສິນຄ້າ, ແບກ, ແລະການຜະລິດຄວາມແມ່ນຍໍາອື່ນໆ (ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່), ຖ່ານຫີນ, ອາຍແກັສ, ເຊັນເຊີກວດຈັບດີແລະປ່ອງຢ້ຽມເຄື່ອງກວດຈັບ (ຕ້ານການ corrosion).

3. Sapphire ມີລັກສະນະເປັນສນວນໄຟຟ້າ, ຄວາມໂປ່ງໃສ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ແລະຄວາມເຂັ້ມງວດສູງ, ດັ່ງນັ້ນ, ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນວັດສະດຸຍ່ອຍຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານ, ເຊັ່ນ: ວົງຈອນ LED ແລະ microelectronic, ultra-high-speed integrated circuit.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ	50.8mm +/-0.1mm ຫຼື +/-0.02mm
ຄວາມຫນາ	0.43mm± 0.1mm ຫຼື +/-0.02mm
ປະຖົມນິເທດ	C-plane/A-Plane/M-Plane/R-Plane
ຄຸນະພາບຂອງພື້ນຜິວ (ຮອຍຂູດແລະຂຸດ)	60/40, 40/20 ຫຼືດີກວ່າ
ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງພື້ນຜິວ	λ/10, λ/2, λ
Clear Aperture	> 85%, > 90%
ຂະໜານ	+/-3', +/-30''
ເບວ	0.1 ~ 0.3mm × 45 ອົງສາ
ການເຄືອບ	AR, BBAR ຫຼືຕາມການຮ້ອງຂໍຂອງລູກຄ້າ (UV, VIS, IR)

ບໍ່	ຄຸນສົມບັດ	ເປົ້າຫມາຍ	ຄວາມທົນທານ	ຂໍ້ສັງເກດ
1	ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ	50.8ມມ	± 0.1 ມມ
2	ຄວາມຫນາ	430 ມມ	± 15 ມມ
3	ທິດທາງໜ້າດິນຂອງຍົນ C	ປິດແກນ C ຫາ M0.2°	± 0.1°
4	ຄວາມຍາວຮາບພຽງຂັ້ນຕົ້ນ	16ມມ	±11ມມ
5	ປະຖົມນິເທດຮາບພຽງ	ຍົນ A(11-20)	±0.1°
6	ດ້ານຫລັງ Roughness	0.8 ~ 1.2um
7	ຄວາມຫຍາບດ້ານໜ້າ	<0.3nm
8	ຂອບ Wafer	ປະເພດ R
9	ການປ່ຽນແປງຄວາມໜາທັງໝົດ, TTV	≤ 10μm(LTV≤5μm, 5*5)
10	SORI	≤10μm
11	ກົ້ມຫົວ	−10 µm ≤ BOW ≤ 0
12	Laser Mark	ບໍ່ມີ		ບໍ່ມີ
	ຊຸດ	25 wafers ໃນຫນຶ່ງ cassette
	ຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕາມ	Wafers ຈະຕ້ອງສາມາດຕິດຕາມໄດ້ກ່ຽວກັບເລກ cassette

FAQ

ຄວາມຕ້ອງການຄໍາສັ່ງຂັ້ນຕ່ໍາຂອງເຈົ້າແມ່ນຫຍັງ?
MOQ: 25 ຊິ້ນ.

ມັນຈະໃຊ້ເວລາດົນປານໃດເພື່ອປະຕິບັດຄໍາສັ່ງຂອງຂ້ອຍແລະຈັດສົ່ງມັນ?
ຢືນຢັນການສັ່ງຊື້ 1days ຫຼັງຈາກຢືນຢັນການຈ່າຍເງິນແລະການຈັດສົ່ງໃນ 5days ຖ້າຢູ່ໃນຫຼັກຊັບ.

ເຈົ້າສາມາດໃຫ້ການຮັບປະກັນຜະລິດຕະພັນຂອງເຈົ້າໄດ້ບໍ?
ພວກເຮົາສັນຍາກັບຄຸນນະພາບ, ຖ້າຄຸນນະພາບມີບັນຫາໃດໆ, ພວກເຮົາຈະຜະລິດຜະລິດຕະພັນໃຫມ່ຫຼືຄືນເງິນໃຫ້ທ່ານ.

ຈ່າຍເງິນແນວໃດ?
T/T, Paypal, West Union, ການໂອນທະນາຄານ.

ແນວໃດກ່ຽວກັບການຂົນສົ່ງ?
ພວກເຮົາສາມາດຊ່ວຍໃຫ້ທ່ານຈ່າຍຄ່າທໍານຽມຖ້າຫາກວ່າທ່ານບໍ່ມີບັນຊີ,ຖ້າຄໍາສັ່ງເກີນ 10000usd, ພວກເຮົາສາມາດຈັດສົ່ງໂດຍ CIF.

ຖ້າທ່ານມີຄໍາຖາມອື່ນໆ, ກະລຸນາຢ່າລັງເລທີ່ຈະຕິດຕໍ່ຂ້ອຍ.
ເຊື່ອມຕໍ່ດ້ວຍ skype / whatsapp:+86 158 0194 2596 or 2285873532@qq.com
ພວກເຮົາຢູ່ຂ້າງເຈົ້າໄດ້ທຸກເວລາ!