ຊີຊີ
-
ເວເຟີ SiC Epitaxiy ຂະໜາດ 6 ນິ້ວ ປະເພດ N/P ຍອມຮັບການປັບແຕ່ງ
-
ການຜະລິດ ແລະ ຊັ້ນຜະລິດ SiC ຂະໜາດ Dia150mm 4H-N 6 ນິ້ວ
-
ແຜ່ນເວເຟີ SiC Epi 4 ນິ້ວ ສຳລັບ MOS ຫຼື SBD
-
ແທ່ງ SiC ຂະໜາດ 2 ນິ້ວ ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 50.8 ມມ x 10 ມມt 4H-N ໂມໂນຄຣິສຕັນ
-
ແຜ່ນຮອງພື້ນ SiC ຂະໜາດ 200 ມມ ຊັ້ນ dummy 4H-N ແຜ່ນເວເຟີ SiC ຂະໜາດ 8 ນິ້ວ
-
ເມັດ SiC 4H-N Dia205mm ຈາກປະເທດຈີນ P ແລະ D grade Monocrystaline
-
ເວເຟີ SiC ຂະໜາດ 4 ນິ້ວ 6H ຊັ້ນວັດສະດຸ SiC ເຄິ່ງສນວນ ເປັນຊັ້ນພື້ນຖານ, ຊັ້ນຄົ້ນຄວ້າ ແລະ ຊັ້ນທົດລອງ
-
ເວເຟີຊັ້ນຮອງພື້ນ HPSI SiC ຂະໜາດ 6 ນິ້ວ ຊິລິຄອນຄາໄບດ໌ ເວເຟີ SiC ເຄິ່ງດູຖູກ
-
ເວເຟີ SiC ຂະໜາດ 4 ນິ້ວ ຊັ້ນຮອງພື້ນ HPSI SiC ຊັ້ນຜະລິດຊັ້ນນຳ
-
ເວເຟີຊັ້ນຮອງພື້ນ 4H-Semi SiC ຂະໜາດ 3 ນິ້ວ 76.2 ມມ ຊິລິໂຄນຄາໄບ ເວເຟີ SiC ເຄິ່ງດູຖູກ
-
ວັດສະດຸ SiC ຂະໜາດ 3 ນິ້ວ ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 76.2 ມມ HPSI Prime Research ແລະ Dummy grade
-
ແຜ່ນເວເຟີ SiC ຂະໜາດ 2 ນິ້ວ 4H-ເຄິ່ງ HPSI ຜະລິດແບບຈຳລອງ ຊັ້ນຄົ້ນຄວ້າ