6inch HPSI SiC substrate wafers Silicon Carbide Semi-insulting SiC wafers

6inch HPSI SiC substrate wafer Silicon Carbide Semi-insulting SiC wafers ຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ຄຸນນະພາບສູງ wafer ໄປເຊຍກັນ SiC ( Silicon Carbide ຈາກ SICC ) ກັບອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກແລະ optoelectronic.3inch SiC wafer ເປັນອຸປະກອນ semiconductor ການຜະລິດຕໍ່ໄປ, wafers ເຄິ່ງ insulating silicon-carbide ຂອງເສັ້ນຜ່າກາງ 3 ນິ້ວ.wafers ມີຈຸດປະສົງສໍາລັບການ fabrication ຂອງພະລັງງານ, RF ແລະ optoelectronics ອຸປະກອນ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

PVT Silicon Carbide Crystal SiC ເຕັກໂນໂລຊີການຂະຫຍາຍຕົວ

ວິທີການການຂະຫຍາຍຕົວໃນປະຈຸບັນສໍາລັບ SiC ດຽວໄປເຊຍກັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບມີສາມດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້: ວິທີການໄລຍະຂອງແຫຼວ, ວິທີການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ແລະວິທີການຂົນສົ່ງໄລຍະ vapor ທາງດ້ານຮ່າງກາຍ (PVT).ໃນບັນດາພວກເຂົາ, ວິທີການ PVT ແມ່ນການຄົ້ນຄວ້າແລະເຕັກໂນໂລຢີທີ່ແກ່ທີ່ສຸດສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC, ແລະຄວາມຫຍຸ້ງຍາກດ້ານວິຊາການຂອງມັນແມ່ນ:

(1) SiC ດຽວໄປເຊຍກັນໃນອຸນຫະພູມສູງຂອງ 2300 ° C ຂ້າງເທິງຫ້ອງ graphite ປິດເພື່ອສໍາເລັດຂະບວນການ recrystallisation ແປງ "ແຂງ - ອາຍແກັສ - ແຂງ", ວົງຈອນການຂະຫຍາຍຕົວແມ່ນຍາວ, ຍາກທີ່ຈະຄວບຄຸມ, ແລະມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການ microtubules, ລວມແລະ. ຂໍ້ບົກພ່ອງອື່ນໆ.

(2) Silicon carbide ໄປເຊຍກັນດຽວ, ລວມທັງຫຼາຍກ່ວາ 200 ປະເພດໄປເຊຍກັນທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ແຕ່ການຜະລິດໂດຍທົ່ວໄປພຽງແຕ່ຫນຶ່ງປະເພດໄປເຊຍກັນ, ງ່າຍທີ່ຈະຜະລິດການຫັນເປັນໄປເຊຍກັນປະເພດໃນຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວສົ່ງຜົນໃຫ້ຫຼາຍຊະນິດ inclusions ຜິດປົກກະຕິ, ຂະບວນການກະກຽມຂອງດຽວ. ປະເພດໄປເຊຍກັນສະເພາະແມ່ນມີຄວາມຫຍຸ້ງຍາກທີ່ຈະຄວບຄຸມຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຂະບວນການ, ສໍາລັບການຍົກຕົວຢ່າງ, ໃນປະຈຸບັນຕົ້ນຕໍຂອງປະເພດ 4H.

(3) Silicon carbide ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນມີ gradient ອຸນຫະພູມ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນມີຄວາມກົດດັນພາຍໃນ native ແລະ dislocations ຜົນໄດ້ຮັບ, ຄວາມຜິດແລະຂໍ້ບົກພ່ອງອື່ນໆ induced.

(4) Silicon carbide ຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ຄວບຄຸມຢ່າງເຂັ້ມງວດການນໍາຂອງ impurities ຈາກພາຍນອກ, ດັ່ງນັ້ນທີ່ຈະໄດ້ຮັບຄວາມບໍລິສຸດທີ່ສູງຫຼາຍໄປເຊຍກັນເຄິ່ງ insulating ຫຼື doped ໄປເຊຍກັນ conductive.ສໍາລັບ substrates silicon carbide ເຄິ່ງ insulating ທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ RF, ຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ບັນລຸໄດ້ໂດຍການຄວບຄຸມຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງ impurity ຕ່ໍາຫຼາຍແລະປະເພດຂອງຈຸດບົກພ່ອງຂອງໄປເຊຍກັນ.