4inch SiC wafers ເຄິ່ງ insulting HPSI SiC substrate Prime ເກຣດການຜະລິດ

4inch SiC wafers ເຄິ່ງ insulting HPSI SiC substrate Prime Production grade ຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ແຜ່ນຂັດສອງດ້ານທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດຊິລິຄອນ carbide 2 ນິ້ວທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ 4 ນິ້ວສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນການສື່ສານ 5G ແລະຂົງເຂດອື່ນໆ, ມີຂໍ້ດີຂອງການປັບປຸງລະດັບຄວາມຖີ່ວິທະຍຸ, ການຮັບຮູ້ໄລຍະໄກ ultra-long, ຕ້ານການແຊກແຊງ, ຄວາມໄວສູງ. , ການສົ່ງຂໍ້ມູນທີ່ມີຄວາມຈຸຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກອື່ນໆ, ແລະຖືວ່າເປັນ substrate ທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການເຮັດອຸປະກອນພະລັງງານໄມໂຄເວຟ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງຜະລິດຕະພັນ

Silicon carbide (SiC) ເປັນວັດສະດຸ semiconductor ປະສົມທີ່ປະກອບດ້ວຍອົງປະກອບຂອງຄາບອນແລະຊິລິຄອນ, ແລະເປັນຫນຶ່ງໃນອຸປະກອນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການເຮັດອຸປະກອນທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຖີ່ສູງ, ພະລັງງານສູງແລະແຮງດັນສູງ.ເມື່ອປຽບທຽບກັບວັດສະດຸຊິລິໂຄນແບບດັ້ງເດີມ (Si), ຄວາມກວ້າງຂອງແຖບຫ້າມຂອງ silicon carbide ແມ່ນສາມເທົ່າຂອງຊິລິໂຄນ;ການນໍາຄວາມຮ້ອນແມ່ນ 4-5 ເທົ່າຂອງຊິລິໂຄນ;ແຮງດັນທີ່ແຕກຫັກແມ່ນ 8-10 ເທົ່າຂອງຊິລິໂຄນ;ແລະອັດຕາການອີ່ມຕົວຂອງອິເລັກຕອນແມ່ນ 2-3 ເທົ່າຂອງຊິລິໂຄນ, ເຊິ່ງຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງອຸດສາຫະກໍາທີ່ທັນສະໄຫມສໍາລັບພະລັງງານສູງ, ແຮງດັນສູງ, ແລະຄວາມຖີ່ສູງ, ແລະສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ເພື່ອເຮັດໃຫ້ຄວາມໄວສູງ, ສູງ. ຄວາມຖີ່, ພະລັງງານສູງແລະອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ປ່ອຍແສງ, ແລະພື້ນທີ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທາງລຸ່ມຂອງມັນປະກອບມີຕາຂ່າຍໄຟຟ້າ smart, ຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່, ພະລັງງານລົມ photovoltaic, ການສື່ສານ 5G, ແລະອື່ນໆ. ໃນພາກສະຫນາມຂອງອຸປະກອນພະລັງງານ, diodes silicon carbide ແລະ MOSFETs ໄດ້ເລີ່ມຕົ້ນທີ່ຈະເປັນ. ນຳໃຊ້ທາງການຄ້າ.

ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງ SiC wafers / SiC substrate

ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ.ຄວາມກວ້າງຂອງແຖບຫ້າມຂອງຊິລິໂຄນຄາໄບແມ່ນ 2-3 ເທົ່າຂອງຊິລິໂຄນ, ດັ່ງນັ້ນເອເລັກໂຕຣນິກຫນ້ອຍທີ່ຈະເຕັ້ນໄປຫາອຸນຫະພູມສູງແລະສາມາດທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກທີ່ສູງຂຶ້ນ, ແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນຂອງຊິລິໂຄນ carbide ແມ່ນ 4-5 ເທົ່າຂອງຊິລິໂຄນ, ເຮັດໃຫ້ ມັນງ່າຍກວ່າທີ່ຈະກະຈາຍຄວາມຮ້ອນອອກຈາກອຸປະກອນ ແລະອະນຸຍາດໃຫ້ມີອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກທີ່ຈໍາກັດສູງກວ່າ.ຄຸນລັກສະນະຂອງອຸນຫະພູມສູງສາມາດເພີ່ມຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ໃນຂະນະທີ່ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ອງການຂອງລະບົບລະບາຍຄວາມຮ້ອນ, ເຮັດໃຫ້ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າມີນ້ໍາຫນັກເບົາແລະຂະຫນາດນ້ອຍ.

ຄວາມຕ້ານທານແຮງດັນສູງ.ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງພາກສະຫນາມ breakdown ຂອງ Silicon carbide ແມ່ນ 10 ເທົ່າຂອງຊິລິໂຄນ, ເຮັດໃຫ້ມັນທົນທານຕໍ່ແຮງດັນທີ່ສູງຂຶ້ນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມກັບອຸປະກອນທີ່ມີແຮງດັນສູງ.

ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຖີ່ສູງ.Silicon carbide ມີສອງເທົ່າອັດຕາການອີ່ມຕົວຂອງອິເລັກຕອນພຽງການລອຍລົມຂອງຊິລິໂຄນ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ອຸປະກອນຂອງຕົນໃນຂະບວນການປິດບໍ່ມີຢູ່ໃນປະກົດການ drag ໃນປັດຈຸບັນ, ປະສິດທິຜົນສາມາດປັບປຸງຄວາມຖີ່ຂອງການສະຫຼັບອຸປະກອນ, ເພື່ອບັນລຸ miniaturisation ອຸປະກອນ.

ການສູນເສຍພະລັງງານຕໍ່າ.Silicon carbide ມີຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າຫຼາຍເມື່ອທຽບໃສ່ກັບວັດສະດຸຊິລິໂຄນ, ການສູນເສຍ conduction ຕ່ໍາ;ໃນເວລາດຽວກັນ, ແບນວິດສູງຂອງ silicon carbide ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຫຼຸດຜ່ອນການຮົ່ວໄຫຼຂອງກະແສໄຟຟ້າ, ການສູນເສຍພະລັງງານ;ນອກຈາກນັ້ນ, ອຸປະກອນ silicon carbide ໃນຂະບວນການປິດບໍ່ມີຢູ່ໃນປະກົດການ drag ໃນປັດຈຸບັນ, ການສູນເສຍສະຫຼັບຕ່ໍາ.