4H-N 4 ນິ້ວ SiC substrate wafer Silicon Carbide ການຜະລິດ Dummy ລະດັບການຄົ້ນຄວ້າ

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ສັ້ນ​:

4-inch silicon carbide single crystal wafer ເປັນວັດສະດຸທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ມີຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແລະສານເຄມີທີ່ໂດດເດັ່ນ.ມັນຖືກເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸຊິລິຄອນ carbide ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ.ຂໍຂອບໃຈກັບຂະບວນການກະກຽມທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງແລະວັດສະດຸທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ຊິບນີ້ແມ່ນຫນຶ່ງໃນອຸປະກອນທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການກະກຽມອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງໃນຫຼາຍໆດ້ານ.


ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

4-inch silicon carbide wafers substrate ໄປເຊຍກັນມີບົດບາດສໍາຄັນໃນຫຼາຍຂົງເຂດ.ຫນ້າທໍາອິດ, ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ໃນການກະກຽມອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານສູງເຊັ່ນ: transistors ພະລັງງານ, ວົງຈອນປະສົມປະສານແລະໂມດູນພະລັງງານ.ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງຂອງມັນເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດລະບາຍຄວາມຮ້ອນໄດ້ດີກວ່າແລະສະຫນອງປະສິດທິພາບການເຮັດວຽກແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຫຼາຍກວ່າເກົ່າ.ອັນທີສອງ, wafers silicon carbide ຍັງຖືກນໍາໃຊ້ໃນພາກສະຫນາມການຄົ້ນຄວ້າເພື່ອດໍາເນີນການຄົ້ນຄ້ວາອຸປະກອນແລະອຸປະກອນໃຫມ່.ນອກຈາກນັ້ນ, wafers silicon carbide ຍັງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ optoelectronics, ເຊັ່ນ: ການຜະລິດຂອງ leds ແລະ laser diodes.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງ wafer 4inch SiC

4-inch silicon carbide substrate crystal wafer ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງ 4 ນິ້ວ (ປະມານ 101.6mm), ດ້ານສໍາເລັດຮູບເຖິງ Ra < 0.5 nm, ຄວາມຫນາຂອງ 600±25 μm.ການດໍາເນີນການຂອງ wafer ແມ່ນປະເພດ N ຫຼືປະເພດ P ແລະສາມາດປັບແຕ່ງຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.ນອກຈາກນັ້ນ, ຊິບຍັງມີຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານກົນຈັກທີ່ດີເລີດ, ສາມາດທົນກັບຄວາມກົດດັນແລະການສັ່ນສະເທືອນທີ່ແນ່ນອນ.

inch silicon carbide wafer ຊັ້ນໃຕ້ດິນໄປເຊຍກັນເປັນອຸປະກອນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂົງເຂດ semiconductor, ການຄົ້ນຄວ້າແລະ optoelectronics.ມັນມີການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງກົນຈັກແລະການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງ, ທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການກະກຽມອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານສູງແລະການຄົ້ນຄວ້າຂອງວັດສະດຸໃຫມ່.ພວກເຮົາສະເຫນີຄວາມຫລາກຫລາຍຂອງຂໍ້ກໍານົດແລະທາງເລືອກໃນການປັບແຕ່ງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າທີ່ຫລາກຫລາຍ.ກະລຸນາເອົາໃຈໃສ່ກັບເວັບໄຊທ໌ເອກະລາດຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮຽນຮູ້ເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບຂໍ້ມູນຜະລິດຕະພັນຂອງ wafers silicon carbide.

ວຽກຫຼັກ: Silicon carbide wafers, silicon carbide single crystal wafers, 4 inches, thermal conductivity, mechanical stability, high temperature resistance, power transistors, integrated circuits, power modules, leds, laser diodes, surface finish, conductivity, custom options

ແຜນວາດລາຍລະອຽດ

IMG_20220115_134643 (1)
IMG_20220115_134643 (2)
IMG_20220115_134643 (1)

  • ທີ່ຜ່ານມາ:
  • ຕໍ່ໄປ:

  • ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານທີ່ນີ້ແລະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາ