ອົງປະກອບ optical window sapphire ເຄືອບຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຫຼາຍຂະຫນາດ ປ່ອງຢ້ຽມ optical infrared

ອົງປະກອບ optical window sapphire coated ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຫຼາຍຂະຫນາດ ປ່ອງຢ້ຽມ infrared ຄຸນນະສົມບັດຮູບພາບ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ມັນຖືກນໍາໃຊ້ໃນຂອບເຂດການເບິ່ງເຫັນ infrared ແລະໄກ infrared, ກ້ອງຖ່າຍຮູບວິໄສທັດໃນຕອນກາງຄືນແລະອຸປະກອນອື່ນໆແລະດາວທຽມ, ເຄື່ອງມືເຕັກໂນໂລຊີອາວະກາດແລະເຄື່ອງມື, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ laser ພະລັງງານສູງ Windows, prisms optical ຕ່າງໆ, optical Windows, UV ແລະ IR Windows ແລະເລນ, ທ່າເຮືອສັງເກດການສຳລັບການທົດລອງອຸນຫະພູມຕ່ຳ, ໃນອາວະກາດ, ການນຳທາງ ແລະເຄື່ອງວັດແທກຄວາມແມ່ນຍຳສູງ

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ຂໍ້ມູນລະອຽດ

ອຸປະກອນການໄປເຊຍກັນ Sapphire ດຽວແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດອົງປະກອບ optical, ໃນບາງອົງປະກອບຂອງເລນ, sapphire ອຸປະກອນການນີ້ແມ່ນຍັງມີຄວາມຈໍາເປັນຫຼາຍ, ເຊັ່ນ: sapphire ໄປເຊຍກັນອຸປະກອນການນີ້ສາມາດເຮັດໃຫ້ຄວາມຫລາກຫລາຍຂອງຂະຫນາດແລະຮູບຮ່າງທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ທິດທາງທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງອົງປະກອບ optical, ແລະ. ອົງປະກອບ optical ນີ້ແມ່ນບໍ່ກະແຈກກະຈາຍ, ເຫມາະຫຼາຍສໍາລັບການນໍາໃຊ້ເລນ, ບາງ sapphire ໄປເຊຍກັນຄຸນລັກສະນະຂອງມັນແມ່ນແຕກຕ່າງກັນຫຼາຍ, ສາມາດປົກຫຸ້ມຂອງແສງ ultraviolet ທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ຫຼືບາງ infrared ກາງ infrared ອື່ນໆ, ເຊັ່ນ: ອົງປະກອບ optical ນີ້ຖ້າໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາເລນ, ມັນ. ແມ່ນມີລັກສະນະຄວາມແຂງສູງສຸດ, ການສົ່ງຕໍ່ສູງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຕິກິຣິຍາເຄມີສູງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນ, ມີ optics, ຟີຊິກ, ເຄມີແລະອື່ນໆ.

ພວກເຮົາຜະລິດການປຸງແຕ່ງອົງປະກອບ optical sapphire

ລັກສະນະ

1. ປະສິດທິພາບສູງ UV / laser laser, ຄຸນນະພາບ laser beam ທີ່ດີ, ພະລັງງານສູງສຸດສູງ, width pulse ແຄບ, ສະຖຽນລະພາບກໍາມະຈອນສູງ;

2. ຈຸດຈຸດສຸມຂະຫນາດນ້ອຍ, incision ແຄບ, ແຂບຕັດແປ, ຂອບຂະຫນາດນ້ອຍ collapse, ຄວາມໄວການປຸງແຕ່ງໄວ, ເພື່ອຮັບປະກັນຄຸນນະພາບການປຸງແຕ່ງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງ;

3. ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ scanning galvanometer, ຄວາມໄວໄວ, ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ;

4. ມີອຸປະກອນການຄວບຄຸມພິເສດອຸດສາຫະກໍາ, ຂະບວນການທັງຫມົດຂອງຊອບແວຄອມພິວເຕີການຄວບຄຸມອັດຕະໂນມັດ, ສາມາດດໍາເນີນການເປັນເວລາດົນນານ;

5. ວິທີການປຸງແຕ່ງ laser ທີ່ບໍ່ແມ່ນການຕິດຕໍ່, ບໍ່ມີຄວາມກົດດັນກ່ຽວກັບອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງ, ສາມາດປະມວນຜົນຮູທີ່ມີຮູບຮ່າງພິເສດແລະຮູຈຸນລະພາກ.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ຄວາມຕ້ອງການດ້ານວິຊາການ	ຊັ້ນຮຽນການຄ້າ	ເກຣດດີ	ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ
ຂອບເຂດຂະຫນາດ	1-600mm	2-600 ມມ	2-600 ມມ
ຄວາມທົນທານຕໍ່ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ	土0.1mm	土0.025ມມ	土0.01mm
ຄວາມທົນທານຄວາມຫນາ	土0.1mm	土0.025ມມ	土0.01mm
ການບ່ຽງເບນຂະຫນານ	±3´	±15´	±2´
S/D	60-40	40-20	20-10
ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງພື້ນຜິວ	1.0 ລ	λ/10	λ/20
Chamfer	0.1-0.5mm*45°
ວັດສະດຸ	99.999% Al2O3