ຊັ້ນວາງເປົ່າ Sapphire Square - Optical, Semiconductor, ແລະ Test Wafer

ຮູບພາບເດັ່ນຂອງ Sapphire Square Blank Substrate – Optical, Semiconductor, ແລະ Test Wafer

ຄໍາອະທິບາຍສັ້ນໆ:

ຊັ້ນວາງແກ້ວໄພລິນຮູບສີ່ຫຼ່ຽມມົນທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບພາບແມ່ນວັດສະດຸອາລູມິນຽມອອກໄຊດ໌ດ່ຽວ (Al₂O₃) ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຖືກອອກແບບມາເພື່ອຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ຮຽກຮ້ອງຂອງລະບົບແສງທີ່ກ້າວໜ້າ, ການປະມວນຜົນແບບເຄິ່ງຕົວນຳ, ແລະການທົດສອບອຸປະກອນທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍຳສູງ. ຜະລິດຜ່ານວິທີການເຕີບໂຕຂອງແກ້ວໄພລິນທີ່ກ້າວໜ້າເຊັ່ນ: ຂະບວນການ Kyropoulos (KY) ຫຼື Czochralski (CZ), ແກ້ວໄພລິນນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງຄວາມໂປ່ງໃສທາງດ້ານແສງທີ່ໂດດເດັ່ນ, ຄວາມແຂງທີ່ໂດດເດັ່ນ, ແລະ ຄວາມໝັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ໂດດເດັ່ນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເໝາະສົມສຳລັບການນຳໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກຳທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ຄຸນສົມບັດ

ແຜນວາດລະອຽດ

ພາບລວມຂອງພື້ນຜິວ Sapphire Square Blank

ຊັ້ນວາງແກ້ວໄພລິນຮູບສີ່ຫຼ່ຽມມົນ, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບພາບ, ແມ່ນອົງປະກອບອາລູມິນຽມອອກໄຊດ໌ດ່ຽວທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ (Al₂O₃) ທີ່ຖືກອອກແບບມາເພື່ອໃຊ້ໃນວິສະວະກຳທາງດ້ານແສງທີ່ກ້າວໜ້າ, ການຜະລິດອຸປະກອນເຄິ່ງຕົວນຳ, ແລະການທົດສອບອຸປະກອນທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍຳສູງ. ແກ້ວໄພລິນມີຊື່ສຽງໃນດ້ານຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບ ແລະ ເຄມີທີ່ໂດດເດັ່ນ, ໄດ້ກາຍເປັນໜຶ່ງໃນວັດສະດຸທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ທີ່ສຸດໃນອຸດສາຫະກຳທີ່ຕ້ອງການຄວາມທົນທານ, ຄວາມໝັ້ນຄົງ ແລະ ປະສິດທິພາບທາງດ້ານແສງທີ່ສຸດ. ຜະລິດຜ່ານວິທີການເຕີບໂຕຂອງແກ້ວທີ່ຊັບຊ້ອນ, ເຊັ່ນ: ຂະບວນການ Kyropoulos (KY), ວິທີການແລກປ່ຽນຄວາມຮ້ອນ (HEM), ຫຼື Czochralski (CZ), ແກ້ວໄພລິນຮູບສີ່ຫຼ່ຽມມົນເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນຜະລິດຢ່າງລະອຽດເພື່ອຕອບສະໜອງມາດຕະຖານຄຸນນະພາບສູງສຸດ.

ຄຸນສົມບັດຫຼັກຂອງພື້ນຜິວ Sapphire Square Blank Substrate

ໄພລິນເປັນຜລຶກຜລຶກທີ່ມີແກນດຽວ, ມີລັກສະນະເປັນອະນິໂຊໂທຣປິກ ທີ່ມີໂຄງສ້າງຮູບຫົກຫຼ່ຽມ, ເຊິ່ງສະເໜີການປະສົມປະສານທີ່ບໍ່ມີໃຜທຽບເທົ່າໄດ້ຂອງຄວາມແຂງແຮງທາງກົນຈັກ, ຄວາມໝັ້ນຄົງທາງຄວາມຮ້ອນ, ແລະ ຄວາມຕ້ານທານທາງເຄມີ. ດ້ວຍຄວາມແຂງຂອງ Mohs ຢູ່ທີ່ 9, ໄພລິນເປັນອັນດັບສອງຮອງຈາກເພັດໃນດ້ານຄວາມຕ້ານທານຮອຍຂີດຂ່ວນ, ຮັບປະກັນຄວາມທົນທານທີ່ໂດດເດັ່ນເຖິງແມ່ນວ່າຈະຢູ່ພາຍໃຕ້ສະພາບອຸດສາຫະກຳທີ່ມີຮອຍຂີດຂ່ວນ. ຈຸດລະລາຍຂອງມັນເກີນ 2000°C, ຊ່ວຍໃຫ້ມີປະສິດທິພາບທີ່ໜ້າເຊື່ອຖືໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ໃນຂະນະທີ່ການສູນເສຍໄດອີເລັກຕຣິກຕ່ຳເຮັດໃຫ້ມັນເປັນວັດສະດຸພື້ນຖານທີ່ຕ້ອງການສຳລັບການນຳໃຊ້ RF ແລະ ເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງ.

ໃນຂົງເຂດແສງຕາເວັນ, ແກ້ວໄພລິນມີລະດັບການສົ່ງຜ່ານທີ່ກວ້າງຂວາງຕັ້ງແຕ່ແສງອັນຕຣາໄວໂອເລັດເລິກ (~200nm) ຈົນເຖິງແສງທີ່ເບິ່ງເຫັນໄດ້ຈົນເຖິງແສງອິນຟາເຣດກາງ (~5000nm), ດ້ວຍຄວາມເປັນເອກະພາບທາງແສງທີ່ດີເລີດ ແລະ ມີແສງສອງຊັ້ນຕ່ຳເມື່ອວາງທິດທາງຢ່າງຖືກຕ້ອງ. ຄຸນສົມບັດເຫຼົ່ານີ້ເຮັດໃຫ້ແກ້ວໄພລິນເປັນແກ້ວທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ໃນຂົງເຂດແສງຕາເວັນທີ່ໃຊ້ແສງຫຼາຍເຊັ່ນ: ລະບົບເລເຊີ, ໂຟໂຕນິກ, ສະເປກໂຕຣສະໂຄປີ, ແລະ ການຖ່າຍພາບ.

ການຜະລິດ ແລະ ການປຸງແຕ່ງ

ວັດສະດຸປູນຊາຍສີນ້ຳຕານສີ່ຫຼ່ຽມແຕ່ລະອັນໄດ້ຜ່ານຂະບວນການຜະລິດທີ່ເຂັ້ມງວດ, ເລີ່ມຕົ້ນດ້ວຍຜົງອາລູມີນາດິບທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ ເຊິ່ງໄດ້ຮັບການຄວບຄຸມການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກໃນເຕົາອົບທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ຫຼັງຈາກຜລຶກຊາຍຂະໜາດໃຫຍ່ຖືກປູກແລ້ວ, ມັນຈະຖືກວາງທິດທາງຢ່າງແນ່ນອນ (ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນແຜ່ນ C (0001), ແຜ່ນ A (11-20), ຫຼື ແຜ່ນ R (1-102)) ເພື່ອໃຫ້ເໝາະສົມກັບຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງການນຳໃຊ້. ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ຜລຶກຊາຍຈະຖືກຕັດເປັນແຜ່ນສີ່ຫຼ່ຽມດ້ວຍເລື່ອຍເຄືອບເພັດ, ຕາມດ້ວຍການຂັດແບບແມ່ນຍຳເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຄວາມສະເໝີພາບຂອງຄວາມໜາ. ສຳລັບການນຳໃຊ້ທາງດ້ານແສງ ແລະ ເຄິ່ງຕົວນຳ, ພື້ນຜິວສາມາດຂັດໃຫ້ລຽບລະດັບອະຕອມ, ຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການດ້ານຄວາມຮາບ, ຄວາມຂະໜານ, ແລະ ຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວທີ່ເຂັ້ມງວດ.

ຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼັກ

ຄວາມໂປ່ງໃສທາງດ້ານ optical ທີ່ໂດດເດັ່ນ- ການສົ່ງສັນຍານຄວາມຖີ່ກວ້າງຈາກ UV ໄປຫາ IR ເຮັດໃຫ້ມັນເໝາະສຳລັບປ່ອງຢ້ຽມທາງແສງ, ຮູເລເຊີ, ແລະ ຝາປິດເຊັນເຊີ.
ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກທີ່ດີເລີດ- ຄວາມແຂງແຮງຂອງການບີບອັດສູງ, ຄວາມທົນທານຕໍ່ການແຕກຫັກ ແລະ ການຕ້ານທານຮອຍຂີດຂ່ວນຮັບປະກັນອາຍຸການໃຊ້ງານທີ່ຍາວນານໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີຄວາມກົດດັນສູງ.
ຄວາມໝັ້ນຄົງທາງຄວາມຮ້ອນ ແລະ ເຄມີ- ທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ, ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະ ສານເຄມີທີ່ຮຸນແຮງ, ຮັກສາຄວາມສົມບູນໃນລະຫວ່າງການປະມວນຜົນແບບເຄິ່ງຕົວນຳ ແລະ ການສຳຜັດກັບສິ່ງແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງ.
ການຄວບຄຸມມິຕິທີ່ຊັດເຈນ- ຄວາມທົນທານຂອງຄວາມໜາທີ່ສາມາດບັນລຸໄດ້ພາຍໃນ ±5µm ແລະ ຄວາມຮາບພຽງຂອງພື້ນຜິວສູງເຖິງ λ/10 (ທີ່ 632.8nm), ເຊິ່ງສຳຄັນສຳລັບການນຳໃຊ້ການສ້າງຮູບດ້ວຍແສງ ແລະ ການຜູກມັດແຜ່ນເວເຟີ.
ຄວາມຫຼາກຫຼາຍ- ເໝາະສົມກັບການນຳໃຊ້ທີ່ຫຼາກຫຼາຍ ລວມທັງອົງປະກອບທາງແສງ, ຊັ້ນຮອງພື້ນການຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງ epitaxial, ແລະ ເວເຟີທົດສອບເຄື່ອງຈັກ.

ແອັບພລິເຄຊັນ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທາງດ້ານແສງໃຊ້ເປັນປ່ອງຢ້ຽມ, ຕົວກອງ, ຕົວຍຶດສື່ກາງຮັບແສງເລເຊີ, ຝາປິດປ້ອງກັນສຳລັບເຊັນເຊີ, ແລະ ຊັ້ນຮອງໂຟໂຕນິກເນື່ອງຈາກຄວາມຊັດເຈນທາງດ້ານແສງ ແລະ ຄວາມທົນທານຂອງມັນ.
ຊັ້ນໃຕ້ດິນຂອງເຊມິຄອນດັກເຕີເຮັດໜ້າທີ່ເປັນພື້ນຖານສຳລັບໄຟ LED ທີ່ອີງໃສ່ GaN, ເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ (ໂຄງສ້າງ SiC-on-sapphire), ອຸປະກອນ RF, ແລະວົງຈອນໄມໂຄຣເອເລັກໂຕຣນິກ, ບ່ອນທີ່ການນຳຄວາມຮ້ອນ ແລະ ຄວາມຕ້ານທານສານເຄມີແມ່ນສິ່ງສຳຄັນທີ່ສຸດ.
ການທົດສອບອຸປະກອນ ແລະ ເວເຟີແບບຈຳລອງມັກຖືກນຳໃຊ້ເປັນວັດສະດຸທົດສອບໃນສາຍການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳ, ໃຊ້ສຳລັບການປັບທຽບເຄື່ອງຈັກ, ການຈຳລອງຂະບວນການ, ແລະ ການທົດສອບຄວາມທົນທານຂອງອຸປະກອນການແກະສະຫຼັກ, ການວາງຊັ້ນ, ຫຼື ການກວດກາ.
ການຄົ້ນຄວ້າວິທະຍາສາດຈຳເປັນໃນການຕັ້ງຄ່າການທົດລອງທີ່ຕ້ອງການເວທີທີ່ບໍ່ມີປະຕິກິລິຍາ, ໂປ່ງໃສ, ແລະ ມີຄວາມໝັ້ນຄົງທາງກົນຈັກສຳລັບການສຶກສາທາງດ້ານແສງ, ໄຟຟ້າ, ແລະ ວັດສະດຸ.

ຄຳຖາມທີ່ຖືກຖາມເລື້ອຍໆ

ຄຳຖາມທີ 1: ການໃຊ້ແກ້ວປະເສີດຮູບສີ່ຫຼ່ຽມມົນແທນແກ້ວປະເສີດຮູບວົງມົນແມ່ນຫຍັງ?
ກ: ຊ່ອງວ່າງຮູບສີ່ຫຼ່ຽມມົນໃຫ້ພື້ນທີ່ໃຊ້ສອຍສູງສຸດສຳລັບການຕັດແບບກຳນົດເອງ, ການຜະລິດອຸປະກອນ, ຫຼື ການທົດສອບເຄື່ອງຈັກ, ຫຼຸດຜ່ອນສິ່ງເສດເຫຼືອວັດສະດຸ ແລະ ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ.

ຄຳຖາມທີ 2: ຊັ້ນຮອງພື້ນ sapphire ສາມາດທົນທານຕໍ່ສະພາບແວດລ້ອມການປະມວນຜົນແບບ semiconductor ໄດ້ບໍ?
ກ: ແມ່ນແລ້ວ, ຊັ້ນຮອງພື້ນ sapphire ຮັກສາຄວາມໝັ້ນຄົງພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງ, ການແກະສະຫຼັກ plasma, ແລະ ການປິ່ນປົວດ້ວຍສານເຄມີທີ່ນິຍົມໃຊ້ໃນການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳ.

ຄຳຖາມທີ 3: ການຈັດລຽງພື້ນຜິວມີຄວາມສຳຄັນຕໍ່ການນຳໃຊ້ຂອງຂ້ອຍບໍ?
ກ: ແມ່ນແລ້ວ. ແກ້ວປະເສີດແຜ່ນ C ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງສໍາລັບ epitaxy GaN ໃນການຜະລິດ LED, ໃນຂະນະທີ່ທິດທາງແຜ່ນ A ແລະແຜ່ນ R ແມ່ນມັກສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທາງດ້ານ optical ຫຼື piezoelectric ສະເພາະ.

Q4: ຊ່ອງຫວ່າງເຫຼົ່ານີ້ມີໃຫ້ໃຊ້ກັບການເຄືອບທີ່ກຳນົດເອງບໍ?
ກ: ແມ່ນແລ້ວ, ການເຄືອບຕ້ານການສະທ້ອນ, ໄດອີເລັກຕຣິກ, ຫຼື ການເຄືອບນຳໄຟຟ້າສາມາດນຳໃຊ້ເພື່ອຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການທາງດ້ານແສງ ຫຼື ເອເລັກໂຕຣນິກສະເພາະ.

ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ

XKH ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການພັດທະນາ, ການຜະລິດ ແລະ ການຂາຍແກ້ວແສງພິເສດ ແລະ ວັດສະດຸຜລຶກໃໝ່ທີ່ມີເຕັກໂນໂລຢີສູງ. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາໃຫ້ບໍລິການແກ່ອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກແສງ, ອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກສຳລັບຜູ້ບໍລິໂພກ ແລະ ກອງທັບ. ພວກເຮົາສະເໜີອຸປະກອນແສງ Sapphire, ຝາປິດເລນໂທລະສັບມືຖື, ເຊລາມິກ, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, ແລະ ແຜ່ນແພຜລຶກເຄິ່ງຕົວນຳ. ດ້ວຍຄວາມຊ່ຽວຊານ ແລະ ອຸປະກອນທີ່ທັນສະໄໝ, ພວກເຮົາມີຄວາມເກັ່ງໃນການປຸງແຕ່ງຜະລິດຕະພັນທີ່ບໍ່ໄດ້ມາດຕະຖານ, ໂດຍມຸ່ງໝັ້ນທີ່ຈະເປັນວິສາຫະກິດເຕັກໂນໂລຢີສູງດ້ານວັດສະດຸ optoelectronic ຊັ້ນນຳ.