2 ນິ້ວ Silicon Carbide Wafers 6H ຫຼື 4H N-type ຫຼື Semi-Insulating SiC Substrates

4H SiC wafer N-type
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ: 2 ນິ້ວ 50.8mm |4ນິ້ວ100mm |6ນິ້ວ150ມມ
ທິດທາງ: off axis 4.0˚ ໄປຫາ <1120> ± 0.5˚
ຄວາມຕ້ານທານ: < 0.1 ohm.cm
ຄວາມຫຍາບ: Si-face CMP Ra <0.5nm, C-face optical polish Ra <1 nm

4H SiC wafer ເຄິ່ງ insulating
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ: 2 ນິ້ວ 50.8mm |4ນິ້ວ100mm |6ນິ້ວ150ມມ
ທິດທາງ: ໃນແກນ {0001} ± 0.25˚
ຄວາມຕ້ານທານ: >1E5 ohm.cm
ຄວາມຫຍາບ: Si-face CMP Ra <0.5nm, C-face optical polish Ra <1 nm

1. ໂຄງສ້າງພື້ນຖານ 5G -- ການສະໜອງພະລັງງານການສື່ສານ.
ການສະຫນອງພະລັງງານການສື່ສານແມ່ນພື້ນຖານພະລັງງານສໍາລັບການສື່ສານຂອງເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍແລະສະຖານີຖານ.ມັນສະຫນອງພະລັງງານໄຟຟ້າສໍາລັບອຸປະກອນສາຍສົ່ງຕ່າງໆເພື່ອຮັບປະກັນການເຮັດວຽກປົກກະຕິຂອງລະບົບການສື່ສານ.

2. ການສາກໄຟຂອງຍານພາຫະນະພະລັງງານໃໝ່ -- ໂມດູນພະລັງງານຂອງເສົາສາກໄຟ.
ປະສິດທິພາບສູງແລະພະລັງງານສູງຂອງໂມດູນພະລັງງານ pile ສາກໄຟສາມາດຮັບຮູ້ໄດ້ໂດຍການນໍາໃຊ້ silicon carbide ໃນໂມດູນພະລັງງານ pile ສາກໄຟ, ເພື່ອປັບປຸງຄວາມໄວການສາກໄຟແລະຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການສາກໄຟ.

3. ສູນຂໍ້ມູນໃຫຍ່, ອິນເຕີເນັດອຸດສາຫະກໍາ - ການສະຫນອງພະລັງງານຂອງເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍ.
ການສະຫນອງພະລັງງານຂອງເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍແມ່ນຫ້ອງສະຫມຸດພະລັງງານຂອງເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍ.ເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍສະຫນອງພະລັງງານເພື່ອຮັບປະກັນການເຮັດວຽກປົກກະຕິຂອງລະບົບເຊີຟເວີ.ການນໍາໃຊ້ອົງປະກອບພະລັງງານ silicon carbide ໃນການສະຫນອງພະລັງງານຂອງເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍສາມາດປັບປຸງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານແລະປະສິດທິພາບຂອງການສະຫນອງພະລັງງານຂອງເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍ, ຫຼຸດຜ່ອນປະລິມານຂອງສູນຂໍ້ມູນທັງຫມົດ, ຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການກໍ່ສ້າງໂດຍລວມຂອງສູນຂໍ້ມູນ, ແລະບັນລຸສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສູງຂຶ້ນ. ປະສິດທິພາບ.

4. Uhv - ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງລະບົບສາຍສົ່ງທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ DC breakers ວົງຈອນ.

5. ລົດໄຟຄວາມໄວສູງລະຫວ່າງປະເທດ ແລະ ລົດໄຟລະຫວ່າງປະເທດ - traction converters, power electronic transformers, auxiliary converters, auxiliary power supply.