2 ນິ້ວ 50.8 ມມ Sapphire Wafer C-Plane M-plane R-plane A-plane ຄວາມຫນາ 350um 430um 500um

2 ນິ້ວ 50.8mm Sapphire Wafer C-Plane M-plane R-plane A-plane ຄວາມຫນາ 350um 430um 500um ຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Sapphire ແມ່ນວັດສະດຸຂອງການປະສົມປະສານທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບ, ເຄມີແລະ optical, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ມັນທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ, ການເຊາະເຈື່ອນຂອງນ້ໍາແລະດິນຊາຍ, ແລະຮອຍຂີດຂ່ວນ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງທິດທາງທີ່ແຕກຕ່າງກັນ

ປະຖົມນິເທດ	C(0001)-ແກນ		R(1-102)-ແກນ		M(10-10) -Axis	A(11-20)-ແກນ
ຊັບສິນທາງກາຍ	ແກນ C ມີແສງໄປເຊຍກັນ, ແລະແກນອື່ນໆມີແສງລົບ.ຍົນ C ແມ່ນຮາບພຽງ, ຄວນຕັດ.		ຍົນ R ຍາກກວ່າ A.		M ຍົນແມ່ນ stepped serrated, ບໍ່ງ່າຍທີ່ຈະຕັດ, ຕັດງ່າຍ.	ຄວາມແຂງຂອງ A-plane ແມ່ນສູງກວ່າຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຂອງ C-plane, ເຊິ່ງສະແດງອອກໃນການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່, ການຕໍ່ຕ້ານຮອຍຂີດຂ່ວນແລະຄວາມແຂງສູງ;Side A-plane ແມ່ນຍົນ zigzag, ເຊິ່ງງ່າຍທີ່ຈະຕັດ;
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ	C-oriented sapphire substrates ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອປູກຮູບເງົາເງິນຝາກ III-V ແລະ II-VI, ເຊັ່ນ: gallium nitride, ເຊິ່ງສາມາດຜະລິດຜະລິດຕະພັນ LED ສີຟ້າ, diodes laser, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຄື່ອງກວດ infrared. ນີ້ແມ່ນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຍ້ອນວ່າຂະບວນການຂອງການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ sapphire ຕາມແກນ C ແມ່ນແກ່, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແມ່ນຂ້ອນຂ້າງຕໍ່າ, ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແລະທາງເຄມີແມ່ນມີຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ແລະເຕັກໂນໂລຢີຂອງ epitaxy ໃນ C-plane ແມ່ນແກ່ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງ.		R-oriented substrate ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ extrasystals ຊິລິຄອນເງິນຝາກທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ນໍາໃຊ້ໃນ microelectronics ວົງຈອນປະສົມປະສານ. ນອກຈາກນັ້ນ, ວົງຈອນປະສົມປະສານຄວາມໄວສູງແລະເຊັນເຊີຄວາມກົດດັນຍັງສາມາດຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນຂະບວນການຜະລິດຮູບເງົາຂອງການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊິລິໂຄນ epitaxial.R-type substrate ຍັງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນການຜະລິດນໍາ, ອົງປະກອບ superconducting ອື່ນໆ, ຕົວຕ້ານທານສູງ, gallium arsenide.		ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍເພື່ອປູກຮູບເງົາ GaN epitaxial ທີ່ບໍ່ມີຂົ້ວໂລກ / ເຄິ່ງຂົ້ວໂລກເພື່ອປັບປຸງປະສິດທິພາບການສະຫວ່າງ.	A-oriented ກັບ substrate ຜະລິດເປັນເອກະພາບ permittivity / ຂະຫນາດກາງ, ແລະລະດັບສູງຂອງ insulation ຖືກນໍາໃຊ້ໃນເຕັກໂນໂລຊີ microelectronics ປະສົມ.superconductors ອຸນຫະພູມສູງສາມາດຜະລິດຈາກໄປເຊຍກັນ A-base elongated.
ຄວາມສາມາດໃນການປຸງແຕ່ງ	Pattern Sapphire Substrate (PSS): ໃນຮູບແບບການຂະຫຍາຍຕົວຫຼື Etching, ຮູບແບບຈຸນລະພາກປົກກະຕິສະເພາະ nanoscale ໄດ້ຖືກອອກແບບແລະເຮັດຢູ່ໃນ substrate sapphire ເພື່ອຄວບຄຸມຮູບແບບແສງສະຫວ່າງຂອງ LED, ແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມບົກຜ່ອງດ້ານຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ GaN ທີ່ເຕີບໃຫຍ່ຢູ່ໃນ substrate sapphire. , ປັບປຸງຄຸນນະພາບ epitaxy, ແລະເສີມຂະຫຍາຍປະສິດທິພາບ quantum ພາຍໃນຂອງ LED ແລະເພີ່ມປະສິດທິພາບການສະກັດແສງສະຫວ່າງ. ນອກຈາກນັ້ນ, sapphire prism, ກະຈົກ, ເລນ, ຮູ, ໂກນແລະພາກສ່ວນໂຄງສ້າງອື່ນໆສາມາດໄດ້ຮັບການປັບແຕ່ງຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.
ໃບປະກາດຊັບສິນ	ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	ຄວາມແຂງ	ຈຸດລະລາຍ	ດັດຊະນີສະທ້ອນແສງ (ເບິ່ງເຫັນໄດ້ ແລະອິນຟາເຣດ)	ການສົ່ງສັນຍານ (DSP)	ຄົງທີ່ Dielectric
ໃບປະກາດຊັບສິນ	3.98g/ຊມ3	9(mohs)	2053℃	1.762~1.770	≥85%	11.58@300K ທີ່ແກນ C (9.4 ຢູ່ແກນ A)

ແຜນວາດລາຍລະອຽດ

avcasvb (1)

avcasvb (2)

avcasvb (3)

ທີ່ຜ່ານມາ: 8 ນິ້ວ Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN wafer

ຕໍ່ໄປ: 2 ນິ້ວ 50.8mm ຄວາມຫນາ 0.1mm 0.2mm 0.43mm Sapphire Wafer C-Plane M-plane R-plane A-plane

ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານທີ່ນີ້ແລະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາ

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ