ເວເຟີຊິລິໂຄນເຄືອບໂລຫະ Ti/Cu (ໄທທານຽມ/ທອງແດງ)

ຮູບພາບເດັ່ນຂອງເວເຟີຊິລິໂຄນເຄືອບໂລຫະ Ti/Cu (Titanium/ທອງແດງ)

ຄໍາອະທິບາຍສັ້ນໆ:

ຂອງພວກເຮົາເວເຟີຊິລິກອນເຄືອບໂລຫະ Ti/Cuມີຊັ້ນຮອງພື້ນຊິລິໂຄນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ (ຫຼື ແກ້ວ/ຄວດສ໌ ທາງເລືອກ) ທີ່ເຄືອບດ້ວຍຊັ້ນຍຶດຕິດ titaniumແລະຊັ້ນນຳໄຟຟ້າທອງແດງການໃຊ້ການສະເປເຕີຣິງແມກນີຕຣອນມາດຕະຖານຊັ້ນກາງ Ti ຊ່ວຍປັບປຸງການຍຶດຕິດ ແລະ ຄວາມໝັ້ນຄົງຂອງຂະບວນການໄດ້ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ໃນຂະນະທີ່ຊັ້ນເທິງສຸດຂອງ Cu ມີພື້ນຜິວທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານຕ່ຳ ແລະ ເປັນເອກະພາບ ເໝາະສຳລັບການເຊື່ອມຕໍ່ທາງໄຟຟ້າ ແລະ ການຜະລິດຂະໜາດນ້ອຍຕາມລຳດັບ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ຄຸນສົມບັດ

ແຜນວາດລະອຽດ

ເວເຟີຊິລິໂຄນເຄືອບໂລຫະ Ti/Cu (ໄທທານຽມ/ທອງແດງ)6

ພາບລວມ

ຖືກອອກແບບມາສຳລັບທັງການນຳໃຊ້ໃນການຄົ້ນຄວ້າ ແລະ ຂະໜາດທົດລອງ, ເວເຟີເຫຼົ່ານີ້ມີຫຼາຍຂະໜາດ ແລະ ລະດັບຄວາມຕ້ານທານ, ພ້ອມດ້ວຍການປັບແຕ່ງທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນສຳລັບຄວາມໜາ, ປະເພດຂອງຊັ້ນຮອງພື້ນ, ແລະ ການຕັ້ງຄ່າການເຄືອບ.

ຄຸນສົມບັດຫຼັກ

ການຍຶດຕິດທີ່ແຂງແຮງ ແລະ ຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືຊັ້ນຍຶດຕິດ Ti ຊ່ວຍເພີ່ມການຍຶດຕິດຂອງຟິມກັບ Si/SiO₂ ແລະ ປັບປຸງຄວາມທົນທານໃນການຈັບ
ພື້ນຜິວທີ່ມີຄວາມນຳໄຟຟ້າສູງການເຄືອບ Cu ໃຫ້ປະສິດທິພາບທາງໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດສຳລັບການຕິດຕໍ່ ແລະ ໂຄງສ້າງການທົດສອບ
ຂອບເຂດການປັບແຕ່ງທີ່ກວ້າງຂວາງຂະໜາດຂອງແຜ່ນເວເຟີ, ຄວາມຕ້ານທານ, ທິດທາງ, ຄວາມໜາຂອງຊັ້ນຮອງພື້ນ, ແລະ ຄວາມໜາຂອງຟິມ ມີໃຫ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ
ວັດສະດຸກໍ່ສ້າງທີ່ພ້ອມໃຊ້ງານ: ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບຂະບວນການເຮັດວຽກຂອງຫ້ອງທົດລອງ ແລະ ໂຮງງານທົ່ວໄປ (ການພິມດ້ວຍຫີນ, ການສ້າງການຊຸບດ້ວຍໄຟຟ້າ, ການວັດແທກ, ແລະອື່ນໆ)
ຊຸດວັດສະດຸທີ່ມີຢູ່ນອກຈາກ Ti/Cu ແລ້ວ, ພວກເຮົາຍັງສະເໜີເວເຟີເຄືອບໂລຫະ Au, Pt, Al, Ni, Ag ນຳອີກ

ໂຄງສ້າງ ແລະ ການຕົກตะกอนທົ່ວໄປ

ຊ້ອນກັນຊັ້ນຮອງພື້ນ + ຊັ້ນຍຶດຕິດ Ti + ຊັ້ນເຄືອບ Cu
ຂະບວນການມາດຕະຖານ: ການສະເປຣດເຕີຣິງແມກເນຕຣອນ
ຂະບວນການທາງເລືອກການລະເຫີຍດ້ວຍຄວາມຮ້ອນ / ການຊຸບດ້ວຍໄຟຟ້າ (ສຳລັບຄວາມຕ້ອງການ Cu ທີ່ໜາກວ່າ)

ຄຸນສົມບັດທາງກົນຈັກຂອງແກ້ວ Quartz

ລາຍການ	ຕົວເລືອກຕ່າງໆ
ຂະໜາດແຜ່ນເວເຟີ	2", 4", 6", 8"; 10×10 ມມ; ຂະໜາດການຫັ່ນຕາມໃຈລູກຄ້າ
ປະເພດການນຳໄຟຟ້າ	ປະເພດ P / ປະເພດ N / ຄວາມຕ້ານທານສູງພາຍໃນ (ບໍ່)
ທິດທາງ	<100>, <111>, ແລະອື່ນໆ.
ຄວາມຕ້ານທານ	<0.0015 Ω·ຊມ; 1–10 Ω·ຊມ; > 1000–10000 Ω·ຊມ
ຄວາມໜາ (ໄມໂຄຣມ)	2": 200/280/400/500; 4": 450/500/525; 6": 625/650/675; 8": 650/700/725/775; ກຳນົດເອງ
ວັດສະດຸພື້ນຖານ	ຊິລິໂຄນ; ທາງເລືອກ quartz, ແກ້ວ BF33, ແລະອື່ນໆ.
ຄວາມໜາຂອງຟິມ	10 nm / 50 nm / 100 nm / 150 nm / 300 nm / 500 nm / 1 µm (ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້)
ຕົວເລືອກຟິມໂລຫະ	Ti/Cu; ຍັງ Au, Pt, Al, Ni, Ag ທີ່ມີຢູ່

ເວເຟີຊິລິໂຄນເຄືອບໂລຫະ Ti/Cu (ໄທທານຽມ/ທອງແດງ)4

ແອັບພລິເຄຊັນ

ການຕິດຕໍ່ແບບໂອມມິກ ແລະ ຊັ້ນຮອງທີ່ນຳໄຟຟ້າໄດ້ສຳລັບການຄົ້ນຄວ້າ ແລະ ພັດທະນາອຸປະກອນ ແລະ ການທົດສອບທາງໄຟຟ້າ
ຊັ້ນເມັດພັນສຳລັບການເຄືອບດ້ວຍໄຟຟ້າ(RDL, ໂຄງສ້າງ MEMS, ການສະສົມຂອງ Cu ໜາ)
ຊັ້ນໃຕ້ດິນສຳລັບການເຕີບໂຕຂອງ Sol-gel ແລະ nanomaterialສຳລັບການຄົ້ນຄວ້າແບບ nano ແລະ ຟິມບາງ
ກ້ອງຈຸລະທັດ ແລະ ການວັດແທກພື້ນຜິວ(ການກະກຽມ ແລະ ການວັດແທກຕົວຢ່າງ SEM/AFM/SPM)
ພື້ນຜິວຊີວະພາບ/ເຄມີເຊັ່ນ: ແພລດຟອມການເພາະເລี้ยงຈຸລັງ, ໂປຣຕີນ/DNA microarrays, ແລະ ຊັບສະເຕຣດ reflectometry

FAQ (Ti/Cu Metal-Coated Silicon Wafers)

ຄຳຖາມທີ 1: ເປັນຫຍັງຊັ້ນ Ti ຈຶ່ງຖືກນຳໃຊ້ພາຍໃຕ້ຊັ້ນເຄືອບ Cu?
ກ: ທາດໄທທານຽມເຮັດວຽກເປັນຊັ້ນຍຶດຕິດ, ປັບປຸງການຍຶດຕິດຂອງທອງແດງກັບຊັ້ນຮອງພື້ນ ແລະ ເພີ່ມຄວາມໝັ້ນຄົງຂອງໜ້າຜິວ, ເຊິ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການລອກ ຫຼື ການແຍກອອກໃນລະຫວ່າງການຈັດການ ແລະ ການປຸງແຕ່ງ.

Q2: ການຕັ້ງຄ່າຄວາມໜາຂອງ Ti/Cu ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນຫຍັງ?
ກ: ການປະສົມປະສານທົ່ວໄປປະກອບມີTi: ຫຼາຍສິບ nm (ເຊັ່ນ: 10–50 nm)ແລະCu: 50–300 nmສຳລັບຟິມທີ່ສະເປຣດ. ຊັ້ນ Cu ທີ່ໜາກວ່າ (ລະດັບ µm) ມັກຈະບັນລຸໄດ້ໂດຍການຊຸບດ້ວຍໄຟຟ້າເທິງຊັ້ນເມັດ Cu ທີ່ຖືກສີດອອກ, ຂຶ້ນກັບແອັບພລິເຄຊັນຂອງທ່ານ.

Q3: ທ່ານສາມາດເຄືອບທັງສອງດ້ານຂອງແຜ່ນເວເຟີໄດ້ບໍ?
ກ: ແມ່ນແລ້ວ.ການເຄືອບດ້ານດຽວ ຫຼື ສອງດ້ານແມ່ນມີໃຫ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ. ກະລຸນາລະບຸຄວາມຕ້ອງການຂອງທ່ານເມື່ອສັ່ງຊື້.

ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ

XKH ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການພັດທະນາ, ການຜະລິດ ແລະ ການຂາຍແກ້ວແສງພິເສດ ແລະ ວັດສະດຸຜລຶກໃໝ່ທີ່ມີເຕັກໂນໂລຢີສູງ. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາໃຫ້ບໍລິການແກ່ອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກແສງ, ອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກສຳລັບຜູ້ບໍລິໂພກ ແລະ ກອງທັບ. ພວກເຮົາສະເໜີອຸປະກອນແສງ Sapphire, ຝາປິດເລນໂທລະສັບມືຖື, ເຊລາມິກ, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, ແລະ ແຜ່ນແພຜລຶກເຄິ່ງຕົວນຳ. ດ້ວຍຄວາມຊ່ຽວຊານ ແລະ ອຸປະກອນທີ່ທັນສະໄໝ, ພວກເຮົາມີຄວາມເກັ່ງກ້າໃນການປຸງແຕ່ງຜະລິດຕະພັນທີ່ບໍ່ໄດ້ມາດຕະຖານ, ໂດຍມຸ່ງໝັ້ນທີ່ຈະເປັນວິສາຫະກິດເຕັກໂນໂລຢີສູງດ້ານວັດສະດຸ optoelectronic ຊັ້ນນຳ.