ວິທີການ LHPG ເສັ້ນຜ່າສູນກາງເສັ້ນໄຍ Sapphire 75-500μm ສາມາດໃຊ້ສໍາລັບເຊັນເຊີອຸນຫະພູມສູງເສັ້ນໄຍ Sapphire

ເສັ້ນຜ່າສູນກາງເສັ້ນໄຍ Sapphire 75-500μm ວິທີການ LHPG ສາມາດໃຊ້ສໍາລັບເຊັນເຊີອຸນຫະພູມສູງເສັ້ນໄຍ Sapphire ຮູບພາບເດັ່ນ

ຄໍາອະທິບາຍສັ້ນໆ:

ເສັ້ນໄຍ Sapphire, ນັ້ນຄື ເສັ້ນໄຍອະລູມິນາຜລຶກດ່ຽວ (Al2O3), ເປັນວັດສະດຸເສັ້ນໄຍແກ້ວນຳແສງຊະນິດໜຶ່ງທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກສູງ, ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນທາງເຄມີ ແລະ ນຳຄວາມຮ້ອນໄດ້ດີ. ຈຸດລະລາຍຂອງມັນສູງເຖິງ 2072 ℃, ລະດັບການສົ່ງຜ່ານແມ່ນ 0.146.0 μm, ແລະ ການສົ່ງຜ່ານທາງແສງແມ່ນສູງຫຼາຍໃນແຖບ 3.05.0 μm. ເສັ້ນໄຍ Sapphire ບໍ່ພຽງແຕ່ມີຄຸນລັກສະນະທີ່ດີເລີດຂອງ Sapphire ເທົ່ານັ້ນ, ແຕ່ຍັງມີລັກສະນະຂອງຄື້ນນຳທາງແສງ, ເຊິ່ງເໝາະສົມຫຼາຍສຳລັບການຮັບຮູ້ອຸນຫະພູມສູງຂອງເສັ້ນໄຍ ແລະ ການຮັບຮູ້ທາງເຄມີ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ຄຸນສົມບັດ

ຄຸນສົມບັດ ແລະ ຜົນປະໂຫຍດ

1. ຈຸດລະລາຍສູງ: ຈຸດລະລາຍຂອງເສັ້ນໄຍໄພລິນສູງເຖິງ 2072 ℃, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ມັນມີຄວາມໝັ້ນຄົງໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ.

2. ຕ້ານທານການກັດກ່ອນທາງເຄມີ: ເສັ້ນໄຍໄພລິນມີຄວາມเฉื่อยชาທາງເຄມີທີ່ດີເລີດ ແລະ ສາມາດຕ້ານທານການກັດກ່ອນຂອງສານເຄມີຫຼາກຫຼາຍຊະນິດ.

3. ຄວາມແຂງ ແລະ ຄວາມຕ້ານທານແຮງສຽດທານສູງ: ຄວາມແຂງຂອງໄພລິນເປັນອັນດັບສອງຮອງຈາກເພັດ, ສະນັ້ນເສັ້ນໄຍໄພລິນຈຶ່ງມີຄວາມແຂງ ແລະ ຄວາມຕ້ານທານການສວມໃສ່ສູງ.

4. ການສົ່ງຜ່ານພະລັງງານສູງ: ເສັ້ນໄຍ Sapphire ສາມາດຮັບປະກັນການສົ່ງຜ່ານພະລັງງານສູງ, ໃນຂະນະທີ່ບໍ່ສູນເສຍຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຂອງເສັ້ນໄຍ.

5. ປະສິດທິພາບທາງດ້ານແສງທີ່ດີ: ມັນມີການສົ່ງຜ່ານທີ່ດີໃນແຖບອິນຟາເຣດໃກ້, ແລະການສູນເສຍສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນມາຈາກການກະແຈກກະຈາຍທີ່ເກີດຈາກຂໍ້ບົກຜ່ອງຂອງຜລຶກທີ່ມີຢູ່ພາຍໃນຫຼືຢູ່ເທິງໜ້າດິນຂອງເສັ້ນໄຍ.

ຂະບວນການກະກຽມ

ເສັ້ນໄຍ Sapphire ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນກະກຽມໂດຍວິທີການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນດ້ວຍເລເຊີ (LHPG). ໃນວິທີການນີ້, ວັດຖຸດິບ Sapphire ຈະຖືກໃຫ້ຄວາມຮ້ອນດ້ວຍເລເຊີ, ເຊິ່ງຖືກລະລາຍ ແລະ ດຶງເພື່ອເຮັດເປັນເສັ້ນໄຍແສງ. ນອກຈາກນັ້ນ, ຍັງມີການໃຊ້ແກນເສັ້ນໄຍ, ທໍ່ແກ້ວ Sapphire ແລະ ການກະກຽມຊັ້ນນອກຂອງຂະບວນການເສັ້ນໄຍ Sapphire, ວິທີການນີ້ສາມາດແກ້ໄຂບັນຫາການແຕ້ມຮູບໄລຍະໄກໄດ້ ຖ້າວັດສະດຸທັງໝົດຂອງແກ້ວ Sapphire ແຕກຫັກງ່າຍ, ພ້ອມທັງຫຼຸດຜ່ອນໂມດູນ Young ຂອງເສັ້ນໄຍ Sapphire ຢ່າງມີປະສິດທິພາບ, ເພີ່ມຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຂອງເສັ້ນໄຍຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ການຜະລິດເສັ້ນໄຍ Sapphire ຂະໜາດໃຫຍ່.

ປະເພດເສັ້ນໄຍ

1. ເສັ້ນໄຍໄພລິນມາດຕະຖານ: ຊ່ວງເສັ້ນຜ່າສູນກາງມັກຈະຢູ່ລະຫວ່າງ 75 ແລະ 500μm, ແລະຄວາມຍາວແຕກຕ່າງກັນໄປຕາມເສັ້ນຜ່າສູນກາງ.

2. ເສັ້ນໄຍ sapphire ຮູບຈວຍ: ຮູບຮ່າງ taper ເພີ່ມເສັ້ນໄຍຢູ່ປາຍ, ຮັບປະກັນຜົນຜະລິດສູງໂດຍບໍ່ຕ້ອງເສຍສະລະຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຂອງມັນໃນການໂອນພະລັງງານແລະການນໍາໃຊ້ spectral.

ພື້ນທີ່ນຳໃຊ້ຫຼັກ

1. ເຊັນເຊີເສັ້ນໄຍອຸນຫະພູມສູງ: ສະຖຽນລະພາບອຸນຫະພູມສູງຂອງເສັ້ນໄຍ sapphire ເຮັດໃຫ້ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂົງເຂດການຮັບຮູ້ອຸນຫະພູມສູງ, ເຊັ່ນ: ການວັດແທກອຸນຫະພູມສູງໃນໂລຫະ, ອຸດສາຫະກໍາເຄມີ, ການປິ່ນປົວດ້ວຍຄວາມຮ້ອນ ແລະ ອຸດສາຫະກໍາອື່ນໆ.

2. ການໂອນພະລັງງານເລເຊີ: ລັກສະນະການສົ່ງພະລັງງານສູງເຮັດໃຫ້ເສັ້ນໄຍ sapphire ມີທ່າແຮງໃນຂະແໜງການສົ່ງຜ່ານເລເຊີ ແລະ ການປະມວນຜົນດ້ວຍເລເຊີ.

3. ການຄົ້ນຄວ້າທາງວິທະຍາສາດ ແລະ ການປິ່ນປົວທາງການແພດ: ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບ ແລະ ເຄມີທີ່ດີເລີດຂອງມັນຍັງເຮັດໃຫ້ມັນຖືກນໍາໃຊ້ໃນການຄົ້ນຄວ້າທາງວິທະຍາສາດ ແລະ ຂົງເຂດທາງການແພດ, ເຊັ່ນ: ການຖ່າຍພາບຊີວະແພດ.

ພາລາມິເຕີ

ພາລາມິເຕີ	ລາຍລະອຽດ
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ	65um
ຮູຮັບແສງຕົວເລກ	0.2
ຂອບເຂດຄວາມຍາວຄື່ນ	200 ນາໂນແມັດ - 2000 ນາໂນແມັດ
ການຫຼຸດຄວາມອ່ອນໄຫວ/ການສູນເສຍ	0.5 dB/m
ການຈັດການພະລັງງານສູງສຸດ	1w
ການນຳຄວາມຮ້ອນ	35 W/(m·K)

XKH ມີທີມງານນັກອອກແບບ ແລະ ວິສະວະກອນຊັ້ນນໍາທີ່ມີຄວາມຊໍານານຢ່າງເລິກເຊິ່ງ ແລະ ປະສົບການຕົວຈິງທີ່ອຸດົມສົມບູນເພື່ອຈັບຄວາມຕ້ອງການທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງລູກຄ້າໄດ້ຢ່າງຖືກຕ້ອງ, ຕັ້ງແຕ່ຄວາມຍາວ, ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ ແລະ ຮູຮັບແສງຕົວເລກຂອງເສັ້ນໄຍ ຈົນເຖິງຄວາມຕ້ອງການປະສິດທິພາບທາງ optical ພິເສດ, ເຊິ່ງສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້. XKH ໃຊ້ຊອບແວການຈໍາລອງການຄິດໄລ່ຂັ້ນສູງເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບໂຄງການອອກແບບຫຼາຍຄັ້ງເພື່ອຮັບປະກັນວ່າເສັ້ນໄຍ sapphire ແຕ່ລະເສັ້ນສາມາດກົງກັບສະຖານະການການນໍາໃຊ້ຕົວຈິງຂອງລູກຄ້າໄດ້ຢ່າງຖືກຕ້ອງ, ແລະ ບັນລຸຄວາມສົມດຸນທີ່ດີທີ່ສຸດລະຫວ່າງປະສິດທິພາບ ແລະ ຕົ້ນທຶນ.