ເມື່ອປຽບທຽບກັບອຸປະກອນ silicon carbide, ອຸປະກອນພະລັງງານ gallium nitride ຈະມີຄວາມໄດ້ປຽບຫຼາຍກວ່າໃນສະຖານະການທີ່ປະສິດທິພາບ, ຄວາມຖີ່, ປະລິມານແລະລັກສະນະທີ່ສົມບູນແບບອື່ນໆ, ເຊັ່ນ: ອຸປະກອນທີ່ໃຊ້ gallium nitride ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ສົບຜົນສໍາເລັດໃນພາກສະຫນາມຂອງການສາກໄຟໄວໃນ. ຂະໜາດໃຫຍ່.ດ້ວຍການລະບາດຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ downstream ໃຫມ່, ແລະການທໍາລາຍຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງເຕັກໂນໂລຊີການກະກຽມ substrate gallium nitride, ອຸປະກອນ GaN ຄາດວ່າຈະສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນໃນປະລິມານ, ແລະຈະກາຍເປັນຫນຶ່ງໃນເຕັກໂນໂລຊີທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແລະປະສິດທິພາບ, ການພັດທະນາສີຂຽວແບບຍືນຍົງ.
ໃນປັດຈຸບັນ, ວັດສະດຸ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມໄດ້ກາຍເປັນສ່ວນຫນຶ່ງທີ່ສໍາຄັນຂອງອຸດສາຫະກໍາທີ່ພົ້ນເດັ່ນຂື້ນໃນຍຸດທະສາດ, ແລະຍັງກາຍເປັນຈຸດບັນຊາການຍຸດທະສາດທີ່ຈະຍຶດເອົາເຕັກໂນໂລຢີຂໍ້ມູນຂ່າວສານ, ການອະນຸລັກພະລັງງານແລະການຫຼຸດຜ່ອນການປ່ອຍອາຍພິດແລະເຕັກໂນໂລຢີປ້ອງກັນຊາດ.ໃນບັນດາພວກມັນ, gallium nitride (GaN) ແມ່ນຫນຶ່ງໃນອຸປະກອນ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມທີ່ເປັນຕົວແທນຫຼາຍທີ່ສຸດເປັນອຸປະກອນ semiconductor bandgap ກວ້າງທີ່ມີ bandgap ຂອງ 3.4eV.
ວັນທີ 3 ກໍລະກົດນີ້, ຈີນໄດ້ຮັດແໜ້ນການສົ່ງອອກສິນຄ້າທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບກາລຽມແລະເຈີມານຽມ, ເຊິ່ງເປັນການດັດປັບນະໂຍບາຍທີ່ສຳຄັນໂດຍອີງໃສ່ຄຸນລັກສະນະສຳຄັນຂອງກາລຽມ, ໂລຫະທີ່ຫາຍາກ, ເປັນ "ເມັດພືດໃໝ່ຂອງອຸດສາຫະກຳເຊມິຄອນດັອດເຕີ", ແລະຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງການນຳໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງຂອງຈີນ. ວັດສະດຸ semiconductor, ພະລັງງານໃຫມ່ແລະຂົງເຂດອື່ນໆ.ໃນທັດສະນະຂອງການປ່ຽນແປງນະໂຍບາຍນີ້, ເອກະສານສະບັບນີ້ຈະປຶກສາຫາລືແລະວິເຄາະ gallium nitride ຈາກລັກສະນະຂອງເທກໂນໂລຍີການກະກຽມແລະສິ່ງທ້າທາຍ, ຈຸດການເຕີບໂຕໃຫມ່ໃນອະນາຄົດແລະຮູບແບບການແຂ່ງຂັນ.
ການນໍາສະເຫນີໂດຍຫຍໍ້:
Gallium nitride ແມ່ນປະເພດຂອງວັດສະດຸ semiconductor ສັງເຄາະ, ເຊິ່ງເປັນຕົວແທນປົກກະຕິຂອງການຜະລິດ semiconductor ທີສາມ.ເມື່ອປຽບທຽບກັບວັດສະດຸຊິລິໂຄນແບບດັ້ງເດີມ, gallium nitride (GaN) ມີຄວາມໄດ້ປຽບຂອງຊ່ອງຫວ່າງຂະຫນາດໃຫຍ່, ພາກສະຫນາມໄຟຟ້າທີ່ແຕກຫັກທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາ, ການເຄື່ອນໄຫວຂອງເອເລັກໂຕຣນິກສູງ, ປະສິດທິພາບການແປງສູງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງແລະການສູນເສຍຕ່ໍາ.
Gallium nitride ດຽວໄປເຊຍກັນເປັນການຜະລິດໃຫມ່ຂອງວັດສະດຸ semiconductor ປະສິດທິພາບທີ່ດີເລີດ, ສາມາດນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການສື່ສານ, radar, ເອເລັກໂຕຣນິກບໍລິໂພກ, ເອເລັກໂຕຣນິກລົດຍົນ, ພະລັງງານພະລັງງານ, ການປຸງແຕ່ງ laser ອຸດສາຫະກໍາ, ເຄື່ອງມືແລະຂົງເຂດອື່ນໆ, ສະນັ້ນການພັດທະນາແລະການຜະລິດມະຫາຊົນຂອງຕົນ. ຈຸດສຸມຂອງການເອົາໃຈໃສ່ຂອງປະເທດແລະອຸດສາຫະກໍາໃນທົ່ວໂລກ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ GaN
ສະຖານີພື້ນຖານການສື່ສານ 1--5G
ໂຄງລ່າງພື້ນຖານການສື່ສານໄຮ້ສາຍແມ່ນພື້ນທີ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຕົ້ນຕໍຂອງອຸປະກອນ Galium nitride RF, ກວມເອົາ 50%.
2- ການສະຫນອງພະລັງງານສູງ
ຄຸນນະສົມບັດ "ຄວາມສູງສອງເທົ່າ" ຂອງ GaN ມີທ່າແຮງການເຈາະຢ່າງໃຫຍ່ຫຼວງໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກຜູ້ບໍລິໂພກທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ, ເຊິ່ງສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງການສາກໄຟໄວແລະສະຖານະການປ້ອງກັນການສາກໄຟ.
3-- ຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່
ຈາກທັດສະນະຂອງການນໍາໃຊ້ພາກປະຕິບັດ, ອຸປະກອນ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມໃນປະຈຸບັນຢູ່ໃນລົດສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນອຸປະກອນ silicon carbide, ແຕ່ມີວັດສະດຸ gallium nitride ທີ່ເຫມາະສົມທີ່ສາມາດຜ່ານການຢັ້ງຢືນກົດລະບຽບລົດຂອງໂມດູນອຸປະກອນພະລັງງານ, ຫຼືວິທີການຫຸ້ມຫໍ່ທີ່ເຫມາະສົມອື່ນໆ, ຈະ. ຍັງໄດ້ຮັບການຍອມຮັບໂດຍໂຮງງານທັງຫມົດແລະຜູ້ຜະລິດ OEM.
4--ສູນຂໍ້ມູນ
GaN power semiconductors ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ຢູ່ໃນຫນ່ວຍສະຫນອງພະລັງງານ PSU ໃນສູນຂໍ້ມູນ.
ສະຫລຸບລວມແລ້ວ, ດ້ວຍການລະບາດຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກລຸ່ມນ້ໍາໃຫມ່ແລະການທໍາລາຍຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໃນເທກໂນໂລຍີການກະກຽມ substrate gallium nitride, ອຸປະກອນ GaN ຄາດວ່າຈະສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນໃນປະລິມານ, ແລະຈະກາຍເປັນຫນຶ່ງໃນເຕັກໂນໂລຢີທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແລະປະສິດທິພາບແລະການພັດທະນາສີຂຽວແບບຍືນຍົງ.
ເວລາປະກາດ: 27-07-2023