ໃນວັນທີ 26, Power Cube Semi ໄດ້ປະກາດການພັດທະນາສົບຜົນສໍາເລັດຂອງ 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET semiconductor ທໍາອິດຂອງເກົາຫລີໃຕ້.
ເມື່ອປຽບທຽບກັບ Si (Silicon) semiconductors ທີ່ມີຢູ່ແລ້ວ, SiC (Silicon Carbide) ສາມາດທົນທານຕໍ່ແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ສູງຂຶ້ນ, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງຖືກຍົກຍ້ອງວ່າເປັນອຸປະກອນຮຸ່ນຕໍ່ໄປທີ່ນໍາພາອະນາຄົດຂອງ semiconductors ພະລັງງານ.ມັນເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບການນໍາສະເຫນີເຕັກໂນໂລຢີທີ່ທັນສະ ໄໝ, ເຊັ່ນ: ການແຜ່ຂະຫຍາຍຂອງຍານພາຫະນະໄຟຟ້າແລະການຂະຫຍາຍສູນຂໍ້ມູນທີ່ຂັບເຄື່ອນໂດຍປັນຍາປະດິດ.
Power Cube Semi ເປັນບໍລິສັດ fabless ທີ່ພັດທະນາອຸປະກອນ semiconductor ພະລັງງານໃນສາມປະເພດຕົ້ນຕໍ: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), ແລະ Ga2O3 (Gallium Oxide).ບໍ່ດົນມານີ້, ບໍລິສັດໄດ້ນໍາໃຊ້ແລະຂາຍ Schottky Barrier Diodes (SBDs) ຄວາມອາດສາມາດສູງໃຫ້ແກ່ບໍລິສັດຍານພາຫະນະໄຟຟ້າທົ່ວໂລກໃນປະເທດຈີນ, ໄດ້ຮັບການຍອມຮັບສໍາລັບການອອກແບບແລະເຕັກໂນໂລຢີຂອງ semiconductor.
ການປ່ອຍ 2300V SiC MOSFET ແມ່ນເປັນທີ່ຫນ້າສັງເກດເປັນກໍລະນີການພັດທະນາຄັ້ງທໍາອິດໃນເກົາຫລີໃຕ້.Infineon, ບໍລິສັດ semiconductor ພະລັງງານທົ່ວໂລກທີ່ຕັ້ງຢູ່ໃນເຢຍລະມັນ, ຍັງໄດ້ປະກາດການເປີດຕົວຜະລິດຕະພັນ 2000V ຂອງຕົນໃນເດືອນມີນາ, ແຕ່ບໍ່ມີສາຍຜະລິດຕະພັນ 2300V.
2000V CoolSiC MOSFET ຂອງ Infineon, ການນໍາໃຊ້ຊຸດ TO-247PLUS-4-HCC, ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນໃນບັນດານັກອອກແບບ, ຮັບປະກັນຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງລະບົບເຖິງແມ່ນວ່າພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຄວາມຖີ່ຂອງແຮງດັນສູງແລະສະຫຼັບ.
CoolSiC MOSFET ສະຫນອງແຮງດັນຂອງການເຊື່ອມຕໍ່ໃນປະຈຸບັນໂດຍກົງທີ່ສູງຂຶ້ນ, ເຮັດໃຫ້ພະລັງງານເພີ່ມຂຶ້ນໂດຍບໍ່ມີການເພີ່ມປະຈຸບັນ.ມັນເປັນອຸປະກອນ silicon carbide discrete ທໍາອິດໃນຕະຫຼາດທີ່ມີແຮງດັນຫັກຂອງ 2000V, ການນໍາໃຊ້ຊຸດ TO-247PLUS-4-HCC ທີ່ມີໄລຍະຫ່າງ creepage ຂອງ 14mm ແລະການເກັບກູ້ 5.4mm.ອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ມີການສູນເສຍການສະຫຼັບຕ່ໍາແລະເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ເຊັ່ນ inverters ສາຍແສງຕາເວັນ, ລະບົບການເກັບຮັກສາພະລັງງານ, ແລະການສາກໄຟຍານພາຫະນະ.
ຊຸດຜະລິດຕະພັນ CoolSiC MOSFET 2000V ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບລະບົບລົດເມ DC ແຮງດັນສູງເຖິງ 1500V DC.ເມື່ອປຽບທຽບກັບ 1700V SiC MOSFET, ອຸປະກອນນີ້ສະຫນອງຂອບເຂດ overvoltage ພຽງພໍສໍາລັບລະບົບ 1500V DC.CoolSiC MOSFET ສະຫນອງແຮງດັນໄຟຟ້າ 4.5V ແລະມາພ້ອມກັບ diodes ຮ່າງກາຍທີ່ເຂັ້ມແຂງສໍາລັບການເຄື່ອນທີ່ຍາກ.ດ້ວຍເທກໂນໂລຍີການເຊື່ອມຕໍ່ .XT, ອົງປະກອບເຫຼົ່ານີ້ສະຫນອງການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຊຸ່ມຊື່ນທີ່ເຂັ້ມແຂງ.
ນອກເຫນືອຈາກ 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon ໃນໄວໆນີ້ຈະເປີດຕົວ diodes CoolSiC ເສີມທີ່ບັນຈຸຢູ່ໃນຊຸດ TO-247PLUS 4-pin ແລະ TO-247-2 ໃນໄຕມາດທີສາມຂອງ 2024 ແລະໄຕມາດສຸດທ້າຍຂອງ 2024 ຕາມລໍາດັບ.diodes ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນເຫມາະສົມໂດຍສະເພາະສໍາລັບການນໍາໃຊ້ແສງຕາເວັນ.ການຜະສົມຜະສານຜະສົມຜະສານຄົນຂັບປະຕູທີ່ກົງກັນແມ່ນມີຢູ່.
ຊຸດຜະລິດຕະພັນ CoolSiC MOSFET 2000V ແມ່ນມີຢູ່ໃນຕະຫຼາດແລ້ວ.ນອກຈາກນັ້ນ, Infineon ສະເຫນີກະດານປະເມີນຜົນທີ່ເຫມາະສົມ: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.ນັກພັດທະນາສາມາດໃຊ້ກະດານນີ້ເປັນແພລະຕະຟອມການທົດສອບທົ່ວໄປທີ່ຊັດເຈນເພື່ອປະເມີນ CoolSiC MOSFETs ແລະ diodes ທັງຫມົດທີ່ຖືກຈັດອັນດັບຢູ່ທີ່ 2000V, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ EiceDRIVER compact single-channel isolation gate driver 1ED31xx product series ໂດຍຜ່ານ dual-pulse ຫຼື PWM ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ.
Gung Shin-soo, ຫົວຫນ້າເຕັກໂນໂລຢີຂອງ Power Cube Semi, ກ່າວວ່າ "ພວກເຮົາສາມາດຂະຫຍາຍປະສົບການທີ່ມີຢູ່ແລ້ວຂອງພວກເຮົາໃນການພັດທະນາແລະການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງ 1700V SiC MOSFETs ເປັນ 2300V.
ເວລາປະກາດ: 08-08-2024