ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC Optical Lens Cubic 4H-semi 6SP ປັບຂະຫນາດ

ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC Optical Lens Cubic 4H-semi 6SP ປັບແຕ່ງຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ເລນ SiC (ເລນ optical silicon carbide) ແມ່ນອົງປະກອບ optical ທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ fabricated ຈາກ silicon carbide ຄວາມບໍລິສຸດສູງ (SiC), ສະເຫນີຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພິເສດແລະປະສິດທິພາບ optical. ໂດຍມີລັກສະນະການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ (490 W/m·K), ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ (4.0 × 10⁻⁶/K), ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານສິ່ງແວດລ້ອມທີ່ໂດດເດັ່ນ, ເລນ SiC ໄດ້ກາຍເປັນທາງເລືອກທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບລະບົບ optical ທີ່ເຮັດວຽກຢູ່ໃນສະພາບທີ່ຮຸນແຮງ. ເລນເຫຼົ່ານີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງປະສິດທິພາບການສົ່ງສັນຍານທີ່ດີເລີດ (ການສົ່ງຜ່ານທີ່ບໍ່ເຄືອບ > 70%) ໃນທົ່ວຄື້ນ ultraviolet ຫາໄລຍະໄກອິນຟາເຣດ (0.2-6 μm), ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມໂດຍສະເພາະສໍາລັບລະບົບ laser ພະລັງງານສູງ, optics ຊ່ອງ, ແລະຮູບພາບ optical ໃນສະພາບແວດລ້ອມອຸດສາຫະກໍາທີ່ຮຸນແຮງ.

ຂະບວນການຜະລິດຂອງເລນ SiC ປະກອບດ້ວຍການຂັດຄວາມແມ່ນຍໍາ, ການຂັດທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ສຸດ, ແລະການປິ່ນປົວການເຄືອບພິເສດເພື່ອບັນລຸພື້ນຜິວ optical ທີ່ມີຄວາມຖືກຕ້ອງ nanoscale (ຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວ <1 nm). ເລຂາຄະນິດທີ່ກຳນົດເອງລວມທັງພື້ນຜິວ aspheric ແລະ freeform ສາມາດຖືກສ້າງຂື້ນເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການອອກແບບຂອງລະບົບ optical ທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ຄຸນສົມບັດ

ລັກສະນະຂອງ SiC Optical Lens

1. ເໜືອກວ່າວັດສະດຸ

ການປັບຕົວຂອງສິ່ງແວດລ້ອມທີ່ຮ້າຍແຮງ: ທົນທານກັບອຸນຫະພູມ> 1500 ° C, ອາຊິດເຂັ້ມແຂງ / alkali corrosion, ແລະລັງສີພະລັງງານສູງ, ທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບຍານອາວະກາດແລະສິ່ງອໍານາດນິວເຄລຍ.

ຄວາມແຂງຂອງກົນຈັກທີ່ໂດດເດັ່ນ: ຄວາມແຂງຂອງເພັດໃກ້ໆ (Mohs 9.5), ຄວາມທົນທານຂອງຄວາມຢືດຢຸ່ນ> 400 MPa, ແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ຜົນກະທົບເກີນກວ່າແກ້ວ optical ທໍາມະດາ.

ຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານຄວາມຮ້ອນ: ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ 100 × ສູງກວ່າຊິລິກາ fused, ດ້ວຍ CTE ພຽງແຕ່ 1/10 ຂອງແກ້ວທໍາມະດາ, ຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງພາຍໃຕ້ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາ.

2. ຂໍ້ໄດ້ປຽບປະສິດທິພາບ Optical

ການສົ່ງຜ່ານ spectral ກວ້າງ (0.2-6 μm); ການເຄືອບພິເສດສາມາດເພີ່ມປະສິດທິພາບການສົ່ງຕໍ່ໄດ້> 95% ໃນແຖບສະເພາະ (ຕົວຢ່າງ, 3-5 μm mid-IR).

ການສູນເສຍການກະແຈກກະຈາຍຕໍ່າ (<0.5%/ຊມ), ພື້ນຜິວສໍາເລັດຮູບເຖິງ 10/5 ມາດຕະຖານຮອຍຂີດຂ່ວນ, ແລະຄວາມຮາບພຽງຂອງພື້ນຜິວ λ/10@633 nm.

ລະດັບຄວາມເສຍຫາຍທີ່ເກີດຈາກເລເຊີສູງ (LIDT) > 15 J/cm² (1064 nm, 10 ns pulses), ເຫມາະສົມສໍາລັບລະບົບການສຸມໃສ່ເລເຊີທີ່ມີພະລັງງານສູງ.

3. ຄວາມສາມາດຂອງເຄື່ອງຈັກ Precision

ຮອງຮັບພື້ນຜິວທີ່ຊັບຊ້ອນ (aspheric, freeform) ດ້ວຍຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງແບບຟອມ <100 nm PV ແລະ centration <1 arcmin.

ສາມາດຜະລິດເລນ SiC ຂະໜາດໃຫຍ່ (ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ > 500 ມມ) ສໍາລັບກ້ອງສ່ອງທາງດາລາສາດ ແລະ ແວ່ນຕາອາວະກາດ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຕົ້ນຕໍຂອງ SiC Optical Lens

1. Space Optics & Defense

ເລນຮັບຮູ້ທາງໄກຈາກດາວທຽມ ແລະກ້ອງສ່ອງທາງໄກໃນອາວະກາດ, ນຳໃຊ້ຄຸນສົມບັດນ້ຳໜັກເບົາຂອງ SiC (ຄວາມໜາແໜ້ນ 3.21 g/cm³) ແລະການຕໍ່ຕ້ານລັງສີ.

ປ່ອງຢ້ຽມ optical ຊອກຫາລູກສອນໄຟ, ທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ aerodynamic (> 1000 ° C) ໃນລະຫວ່າງການບິນ hypersonic.

2. ລະບົບເລເຊີພະລັງງານສູງ

ເລນໂຟກັສສຳລັບອຸປະກອນຕັດ/ເຊື່ອມເລເຊີອຸດສາຫະກຳ, ຮັກສາການຮັບແສງທີ່ຍາວນານຕໍ່ກັບເລເຊີຕໍ່ເນື່ອງ kW-class.

Beam shaping ອົງປະກອບໃນ inertial confinement fusion (ICF) ລະບົບ, ການຮັບປະກັນການສາຍສົ່ງ laser ພະລັງງານສູງທີ່ຊັດເຈນ.

3. Semiconductor & Precision Manufacturing

SiC ກະຈົກ substrates ສໍາລັບ EUV lithography optics, ມີການຜິດປົກກະຕິຄວາມຮ້ອນ <1 nm ພາຍໃຕ້ 10 kW / m² flux ຄວາມຮ້ອນ.

ເລນແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າສໍາລັບເຄື່ອງມືກວດກາ e-beam, ການນໍາໃຊ້ການນໍາຂອງ SiC ສໍາລັບການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມການເຄື່ອນໄຫວ.

4. ການກວດກາອຸດສາຫະກຳ ແລະ ພະລັງງານ

ເລນ Endoscope ສໍາລັບ furnace ອຸນຫະພູມສູງ (1500 ° C ດໍາເນີນການຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ).

ອົງປະກອບແສງອິນຟາເຣດສໍາລັບເຄື່ອງມືຕັດໄມ້ໃນຂຸມນ້ໍາມັນ, ຕ້ານຄວາມກົດດັນ downhole (> 100 MPa) ແລະສື່ມວນຊົນ corrosive.

ຂໍ້ໄດ້ປຽບດ້ານການແຂ່ງຂັນຫຼັກ

1. ການປະຕິບັດການນໍາພາທີ່ສົມບູນແບບ
ເລນ SiC ລື່ນກາຍວັດສະດຸ optical ແບບດັ້ງເດີມ (ຊິລິກາ fused, ZnSe) ໃນຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ / ກົນຈັກ / ເຄມີ, ດ້ວຍຄຸນສົມບັດ "ການນໍາທາງສູງ + ການຂະຫຍາຍຕ່ໍາ" ຂອງພວກເຂົາແກ້ໄຂສິ່ງທ້າທາຍການຜິດປົກກະຕິຄວາມຮ້ອນໃນ optics ຂະຫນາດໃຫຍ່.

2. ປະສິດທິພາບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງວົງຈອນຊີວິດ
ໃນຂະນະທີ່ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍເບື້ອງຕົ້ນແມ່ນສູງກວ່າ, ຊີວິດການບໍລິການຂະຫຍາຍຂອງເລນ SiC (5-10 × ແກ້ວທໍາມະດາ) ແລະການດໍາເນີນງານທີ່ບໍ່ມີການບໍາລຸງຮັກສາຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທັງຫມົດຂອງຄວາມເປັນເຈົ້າຂອງ (TCO).

3. ເສລີພາບໃນການອອກແບບ
ຂະບວນການປະຕິກິລິຍາຜູກມັດຫຼື CVD ຊ່ວຍໃຫ້ໂຄງສ້າງແສງ SiC ທີ່ມີນ້ໍາຫນັກເບົາ (ແກນ Honeycomb), ບັນລຸອັດຕາສ່ວນຄວາມແຂງຕໍ່ນ້ໍາຫນັກທີ່ບໍ່ກົງກັນ.

ຄວາມສາມາດໃນການບໍລິການ XKH

1. ບໍລິການການຜະລິດແບບກຳນົດເອງ

ການແກ້ໄຂຈາກຈຸດຈົບຈາກການອອກແບບ optical (ການຈໍາລອງ Zemax/Code V) ຈົນເຖິງການຈັດສົ່ງຂັ້ນສຸດທ້າຍ, ຮອງຮັບພື້ນຜິວແບບບໍ່ມີຮູບຊົງພາຣາໂບລິກ aspheric/off-axis parabolic.

ການເຄືອບພິເສດ: ຕ້ານການສະທ້ອນ (AR), ກາກບອນຄ້າຍຄືເພັດ (LIDT> 50 J/cm²), ITO conductive, ແລະອື່ນໆ.

2. ລະບົບການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ

ອຸປະກອນ Metrology ລວມທັງ 4D interferometers ແລະ profilers ແສງສະຫວ່າງສີຂາວຮັບປະກັນຄວາມຖືກຕ້ອງດ້ານ λ/20.

QC ລະດັບວັດສະດຸ: ການວິເຄາະທິດທາງ XRD crystallographic ສໍາລັບທຸກ SiC ຫວ່າງເປົ່າ.

3. ການບໍລິການເພີ່ມມູນຄ່າ

ການວິເຄາະການເຊື່ອມຕໍ່ໂຄງສ້າງຄວາມຮ້ອນ (ANSYS simulation) ສໍາລັບການຄາດຄະເນການປະຕິບັດ.

ການອອກແບບການເພີ່ມປະສິດທິພາບໂຄງສ້າງການຕິດຕັ້ງເລນ SiC ປະສົມປະສານ.

ສະຫຼຸບ

ເລນ SiC ກໍາລັງກໍານົດຂອບເຂດຈໍາກັດການປະຕິບັດຂອງລະບົບ optical ທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງໂດຍຜ່ານຄຸນສົມບັດວັດສະດຸທີ່ບໍ່ມີຕົວຕົນ. ຄວາມສາມາດປະສົມປະສານຕາມແນວຕັ້ງຂອງພວກເຮົາໃນການສັງເຄາະວັດສະດຸ SiC, ເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ, ແລະການທົດສອບສະຫນອງການແກ້ໄຂ optical ປະຕິວັດສໍາລັບຍານອາວະກາດແລະຂະແຫນງການຜະລິດກ້າວຫນ້າ. ດ້ວຍຄວາມກ້າວຫນ້າໃນການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ SiC, ການພັດທະນາໃນອະນາຄົດຈະເນັ້ນໃສ່ຮູຮັບແສງທີ່ໃຫຍ່ກວ່າ (> 1m) ແລະເລຂາຄະນິດຂອງພື້ນຜິວທີ່ສັບສົນຫຼາຍ (ອາເຣແບບບໍ່ເສຍຄ່າ).

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດຊັ້ນນໍາຂອງອົງປະກອບ optical ກ້າວຫນ້າ, XKH ຊ່ຽວຊານໃນອຸປະກອນການປະສິດທິພາບສູງລວມທັງ sapphire, silicon carbide (SiC), ແລະ silicon wafers, ສະເຫນີວິທີແກ້ໄຂໃນຕອນທ້າຍຈາກການຜະລິດວັດຖຸດິບເພື່ອສໍາເລັດຮູບທີ່ຊັດເຈນ. ຄວາມຊ່ຽວຊານຂອງພວກເຮົາກວມເອົາ:

1. Custom Fabrication: Precision machining of complex geometries (aspheric, freeform) with tolerances to ±0.001mm

2. ຄວາມຄ່ອງແຄ້ວຂອງວັດສະດຸ: ການປຸງແຕ່ງ sapphire (ໜ້າຕ່າງ UV-IR), SiC (ແສງໄຟສູງ), ແລະຊິລິໂຄນ (IR/micro-optics)

3. ການບໍລິການເພີ່ມມູນຄ່າ:

ການເຄືອບຕ້ານການສະທ້ອນແສງ / ທົນທານ (UV-FIR)

ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ຮອງຈາກ Metrology (λ/20 flatness)

ການປະກອບຫ້ອງສະອາດສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ລະອຽດອ່ອນຕໍ່ການປົນເປື້ອນ

ໃຫ້ບໍລິການໃນອຸດສາຫະກໍາອະວະກາດ, semiconductor, ແລະ laser, ພວກເຮົາສົມທົບການຄວາມຊໍານານວິທະຍາສາດວັດສະດຸກັບການຜະລິດທີ່ກ້າວຫນ້າເພື່ອສະຫນອງ optics ທີ່ທົນທານຕໍ່ສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສຸດໃນຂະນະທີ່ເພີ່ມປະສິດທິພາບ optical.