High-Purity Fused Quartz Wafers for Semiconductor, Photonics Optical Applications 2″4″6″8″12″
ແຜນວາດລາຍລະອຽດ
ພາບລວມຂອງແກ້ວ Quartz
wafers Quartz ປະກອບເປັນກະດູກສັນຫຼັງຂອງອຸປະກອນທີ່ທັນສະໄຫມນັບບໍ່ຖ້ວນທີ່ຂັບເຄື່ອນໂລກດິຈິຕອນໃນມື້ນີ້. ຈາກການນໍາທາງໃນສະມາດໂຟນຂອງທ່ານໄປຫາກະດູກສັນຫຼັງຂອງສະຖານີຖານ 5G, quartz ງຽບໆໃຫ້ຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ຄວາມບໍລິສຸດ, ແລະຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ຕ້ອງການໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງແລະໂຟໂຕນິກ. ບໍ່ວ່າຈະເປັນການສະຫນັບສະຫນູນວົງຈອນທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ, ການເປີດໃຊ້ເຊັນເຊີ MEMS, ຫຼືການສ້າງພື້ນຖານສໍາລັບຄອມພິວເຕີ້ quantum, ຄຸນລັກສະນະທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງ quartz ເຮັດໃຫ້ມັນຂາດບໍ່ໄດ້ໃນອຸດສາຫະກໍາຕ່າງໆ.
"ຊິລິກາ Fused" ຫຼື "Fused Quartz" ເຊິ່ງເປັນໄລຍະ amorphous ຂອງ quartz (SiO2). ເມື່ອກົງກັນຂ້າມກັບແກ້ວ borosilicate, ຊິລິກາ fused ບໍ່ມີສານເພີ່ມ; ດັ່ງນັ້ນມັນມີຢູ່ໃນຮູບແບບທີ່ບໍລິສຸດຂອງມັນ, SiO2. Fused silica ມີການສົ່ງຕໍ່ທີ່ສູງຂຶ້ນໃນ infrared ແລະ ultraviolet spectrum ເມື່ອປຽບທຽບກັບແກ້ວປົກກະຕິ. ຊິລິກາ fused ແມ່ນຜະລິດໂດຍການລະລາຍແລະ re-solidifying ultrapure SiO2. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ຊິລິກາທີ່ປະສົມສັງເຄາະແມ່ນຜະລິດຈາກທາດເຄມີທີ່ອຸດົມດ້ວຍຊິລິໂຄນເຊັ່ນ SiCl4 ທີ່ຖືກກ໊າຊແລ້ວອອກຊິລິກາໃນບັນຍາກາດ H2 + O2. ຂີ້ຝຸ່ນ SiO2 ທີ່ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນກໍລະນີນີ້ແມ່ນ fused ກັບ silica ເທິງ substrate. ກ້ອນ silica fused ຖືກຕັດເຂົ້າໄປໃນ wafers ຫຼັງຈາກນັ້ນ wafers ສຸດທ້າຍແມ່ນ polished.
ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນແລະຜົນປະໂຫຍດຂອງ Wafer ແກ້ວ Quartz
-
ຄວາມບໍລິສຸດສູງ (≥99.99% SiO2)
ເຫມາະສໍາລັບຂະບວນການ semiconductor ແລະ photonics ທີ່ສະອາດທີ່ສຸດບ່ອນທີ່ການປົນເປື້ອນຂອງວັດສະດຸຕ້ອງໄດ້ຮັບການຫຼຸດຜ່ອນລົງ. -
ຂອບເຂດການດໍາເນີນງານຄວາມຮ້ອນກວ້າງ
ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງຈາກອຸນຫະພູມ cryogenic ສູງເຖິງ 1100 ° C ໂດຍບໍ່ມີການ warping ຫຼືຊຸດໂຊມ. -
ການສົ່ງຜ່ານ UV ແລະ IR ທີ່ໂດດເດັ່ນ
ສະໜອງຄວາມຄົມຊັດດ້ານແສງທີ່ດີເລີດຈາກ ultraviolet ເລິກ (DUV) ຜ່ານທາງໄກອິນຟາເລດ (NIR), ສະຫນັບສະຫນູນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ optical ທີ່ຊັດເຈນ. -
ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ
ປັບປຸງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງມິຕິພາຍໃຕ້ການເຫນັງຕີງຂອງອຸນຫະພູມ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມກົດດັນແລະປັບປຸງຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງຂະບວນການ. -
ຄວາມຕ້ານທານທາງເຄມີຊັ້ນສູງ
inert ກັບອາຊິດ, ເປັນດ່າງ, ແລະສານລະລາຍສ່ວນໃຫຍ່ - ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມກັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸກຮານທາງເຄມີ. -
ຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຂອງພື້ນຜິວ
ສາມາດໃຊ້ໄດ້ກັບເຄື່ອງຂັດທີ່ລຽບງ່າຍ, ດ້ານດຽວ ຫຼືສອງດ້ານ, ທີ່ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບຄວາມຕ້ອງການດ້ານໂຟໂຕນິກ ແລະ MEMS.
ຂະບວນການຜະລິດແກ້ວ Quartz Wafer
Fused wafers quartz ແມ່ນຜະລິດໂດຍຜ່ານຊຸດຂອງຂັ້ນຕອນການຄວບຄຸມແລະຊັດເຈນ:
-
ການຄັດເລືອກວັດຖຸດິບ
ການຄັດເລືອກແຫຼ່ງ Quartz ທໍາມະຊາດທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຫຼື SiO₂ ສັງເຄາະ. -
ການລະລາຍ ແລະ ຟິວຊັນ
quartz ແມ່ນ melted ຢູ່ທີ່ ~ 2000 ° C ໃນ furnaces ໄຟຟ້າພາຍໃຕ້ບັນຍາກາດຄວບຄຸມເພື່ອກໍາຈັດການລວມແລະຟອງ. -
ບລັອກການສ້າງແບບຟອມ
ຊິລິກາ molten ແມ່ນ cooled ເປັນຕັນແຂງຫຼື ingots. -
ການຊອຍ Wafer
ເຄື່ອງຕັດເພັດ ຫຼືສາຍເລື່ອຍທີ່ຊັດເຈນແມ່ນໃຊ້ເພື່ອຕັດເຂົ້າອອກເປັນຊ່ອງຫວ່າງ. -
Lapping & Polishing
ພື້ນຜິວທັງສອງຖືກແປ ແລະຂັດເພື່ອຕອບສະໜອງໄດ້ສະເພາະດ້ານ optical, ຄວາມໜາ ແລະ roughness ທີ່ແນ່ນອນ. -
ທໍາຄວາມສະອາດ ແລະກວດກາ
Wafers ໄດ້ຖືກອະນາໄມຢູ່ໃນຫ້ອງສະອາດ ISO Class 100/1000 ແລະຢູ່ພາຍໃຕ້ການກວດກາຢ່າງເຂັ້ມງວດສໍາລັບຂໍ້ບົກພ່ອງແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຂະຫນາດ.
ຄຸນສົມບັດຂອງແກ້ວ Quartz wafer
| spec | ໜ່ວຍ | 4" | 6" | 8" | 10" | 12" |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ / ຂະຫນາດ (ຫຼືສີ່ຫລ່ຽມ) | mm | 100 | 150 | 200 | 250 | 300 |
| ຄວາມທົນທານ (±) | mm | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 |
| ຄວາມຫນາ | mm | 0.10 ຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນ | 0.30 ຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນ | 0.40 ຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນ | 0.50 ຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນ | 0.50 ຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນ |
| ເອກະສານອ້າງອີງຕົ້ນຕໍ | mm | 32.5 | 57.5 | ເຄິ່ງຮອຍ | ເຄິ່ງຮອຍ | ເຄິ່ງຮອຍ |
| LTV (5mm × 5mm) | ມມ | < 0.5 | < 0.5 | < 0.5 | < 0.5 | < 0.5 |
| TTV | ມມ | < 2 | < 3 | < 3 | < 5 | < 5 |
| ກົ້ມຫົວ | ມມ | ±20 | ±30 | ±40 | ±40 | ±40 |
| Warp | ມມ | ≤ 30 | ≤ 40 | ≤ 50 | ≤ 50 | ≤ 50 |
| PLTV (5mm × 5mm) < 0.4μm | % | ≥95% | ≥95% | ≥95% | ≥95% | ≥95% |
| ຂອບຮອບ | mm | ສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ SEMI M1.2 / ອ້າງອີງເຖິງ IEC62276 | ||||
| ປະເພດພື້ນຜິວ | ດ້ານດຽວຂັດ / ດ້ານສອງດ້ານຂັດ | |||||
| ດ້ານຂັດ Ra | nm | ≤1 | ≤1 | ≤1 | ≤1 | ≤1 |
| ເກນດ້ານຫຼັງ | ມມ | ທົ່ວໄປ 0.2-0.7 ຫຼືປັບແຕ່ງ | ||||
Quartz ທຽບກັບວັດສະດຸໂປ່ງໃສອື່ນໆ
| ຊັບສິນ | ແກ້ວ Quartz | ແກ້ວ Borosilicate | ໄພລິນ | ແກ້ວມາດຕະຖານ |
|---|---|---|---|---|
| ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ | ~1100°C | ~500°C | ~2000°C | ~200°C |
| ການສົ່ງຜ່ານ UV | ດີເລີດ (JGS1) | ທຸກຍາກ | ດີ | ທຸກຍາກຫຼາຍ |
| ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ | ທີ່ດີເລີດ | ປານກາງ | ທີ່ດີເລີດ | ທຸກຍາກ |
| ຄວາມບໍລິສຸດ | ສູງທີ່ສຸດ | ຕໍ່າຫາປານກາງ | ສູງ | ຕໍ່າ |
| ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ | ຕໍ່າຫຼາຍ | ປານກາງ | ຕໍ່າ | ສູງ |
| ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ | ປານກາງຫາສູງ | ຕໍ່າ | ສູງ | ຕໍ່າຫຼາຍ |
FAQ ຂອງ Quartz Glass Wafer
Q1: ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ quartz fused ແລະ silica fused ແມ່ນຫຍັງ?
ໃນຂະນະທີ່ທັງສອງເປັນຮູບແບບ amorphous ຂອງ SiO₂, quartz fused ໂດຍປົກກະຕິແມ່ນມາຈາກແຫຼ່ງ quartz ທໍາມະຊາດ, ໃນຂະນະທີ່ silica fused ແມ່ນຜະລິດສັງເຄາະ. ຫນ້າທີ່ເຮັດວຽກ, ພວກມັນສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ຄ້າຍຄືກັນ, ແຕ່ຊິລິກາທີ່ປະສົມປະສານອາດຈະມີຄວາມບໍລິສຸດແລະຄວາມເປັນເອກະພາບສູງກວ່າເລັກນ້ອຍ.
Q2: wafers quartz fused ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສູນຍາກາດສູງ?
ແມ່ນແລ້ວ. ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດຂອງການປ່ອຍອາຍພິດຕ່ໍາແລະການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນສູງ, wafers quartz fused ແມ່ນດີເລີດສໍາລັບລະບົບສູນຍາກາດແລະການນໍາໃຊ້ທາງອາກາດ.
Q3: wafers ເຫຼົ່ານີ້ເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ laser ເລິກ UV?
ຢ່າງແທ້ຈິງ. Fused quartz ມີການຖ່າຍທອດສູງລົງເຖິງ ~ 185 nm, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບ DUV optics, ຫນ້າກາກ lithography, ແລະລະບົບ laser excimer.
Q4: ທ່ານສະຫນັບສະຫນູນ fabric wafer custom?
ແມ່ນແລ້ວ. ພວກເຮົາສະເຫນີໃຫ້ການປັບແຕ່ງຢ່າງເຕັມທີ່ລວມທັງເສັ້ນຜ່າສູນກາງ, ຄວາມຫນາ, ຄຸນນະພາບຫນ້າດິນ, flats / notches, ແລະຮູບແບບ laser, ອີງຕາມຄວາມຕ້ອງການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສະເພາະຂອງທ່ານ.
ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ
XKH ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີສູງ, ການຜະລິດ, ແລະການຂາຍແກ້ວ optical ພິເສດແລະວັດສະດຸຜລຶກໃຫມ່. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາໃຫ້ບໍລິການອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ optical, ເອເລັກໂຕຣນິກບໍລິໂພກ, ແລະທະຫານ. ພວກເຮົາສະເຫນີອົງປະກອບ optical Sapphire, ການປົກຫຸ້ມຂອງທັດສະນະໂທລະສັບມືຖື, Ceramics, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, ແລະ semiconductor crystal wafers. ດ້ວຍຄວາມຊໍານານທີ່ຊໍານິຊໍານານແລະອຸປະກອນທີ່ທັນສະ ໄໝ, ພວກເຮົາດີເລີດໃນການປຸງແຕ່ງຜະລິດຕະພັນທີ່ບໍ່ໄດ້ມາດຕະຖານ, ມີຈຸດປະສົງເພື່ອເປັນວິສາຫະກິດເຕັກໂນໂລຢີສູງດ້ານວັດສະດຸ optoelectronic.
