ທໍ່ແກ້ວໄພລິນທີ່ປູກໂດຍ EFG ແກ້ວໄພລິນຜລຶກດ່ຽວປະສິດທິພາບສູງ

ຄໍາອະທິບາຍສັ້ນໆ:

ທໍ່ແກ້ວໄພລິນ EFG ແມ່ນອົງປະກອບທໍ່ທີ່ວິສະວະກຳຢ່າງແມ່ນຍໍາສູງ ເຊິ່ງຜະລິດຈາກແກ້ວໄພລິນຜລຶກດ່ຽວ (Al₂O₃) ໂດຍໃຊ້ຂະບວນການ Edge-Defined Film-Fed Growth (EFG). ບໍ່ເຫມືອນກັບທໍ່ເຊລາມິກ ຫຼື ທໍ່ໂພລີຄຣິສຕາລິນແບບດັ້ງເດີມ, ທໍ່ແກ້ວໄພລິນ EFG ມີຄວາມສົມບູນແບບທາງກົນຈັກ, ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ ແລະ ຄວາມໝັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ບໍ່ມີໃຜທຽບເທົ່າ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເໝາະສົມສຳລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງ ແລະ ລະບົບຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືສູງ.

ໂດຍການລວມເອົາເຕັກໂນໂລຊີການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກທີ່ກ້າວໜ້າເຂົ້າກັບການຄວບຄຸມມິຕິທີ່ແໜ້ນໜາ, ທໍ່ sapphire EFG ເຮັດໜ້າທີ່ເປັນອົງປະກອບທີ່ສຳຄັນໃນການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳ, ລະບົບ optical, ການປຸງແຕ່ງທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ແລະ ເຄື່ອງມືວິທະຍາສາດ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ຄຸນສົມບັດ

ແຜນວາດລະອຽດ

ພາບລວມ

ທໍ່ EFG sapphire ແມ່ນອົງປະກອບທໍ່ທີ່ວິສະວະກຳດ້ວຍຄວາມລະອຽດສູງທີ່ຜະລິດຈາກໄພລິນຜລຶກດຽວ (Al₂O₃)ໂດຍໃຊ້ການເຕີບໂຕທີ່ປ້ອນດ້ວຍຟິມທີ່ກຳນົດຂອບເຂດ (EFG)ຂະບວນການ. ບໍ່ເຫມືອນກັບທໍ່ເຊລາມິກ ຫຼື ທໍ່ໂພລີຄຣິສຕັນແບບດັ້ງເດີມ, ທໍ່ແຊຟໄຟ EFG ມີຄວາມສົມບູນທາງກົນຈັກທີ່ບໍ່ມີໃຜທຽບເທົ່າ, ຄວາມທົນທານທາງຄວາມຮ້ອນ, ແລະ ຄວາມໝັ້ນຄົງທາງເຄມີ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເໝາະສົມສຳລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງ ແລະ ລະບົບຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືສູງ.

ເທັກໂນໂລຢີ EFG - ການສ້າງຜລຶກດຽວທີ່ເຕີບໃຫຍ່ຂຶ້ນໂດຍກົງ

ເທEFG (ການເຕີບໂຕທີ່ກຳນົດໂດຍຟິມທີ່ປ້ອນດ້ວຍຂອບ)ວິທີການດັ່ງກ່າວເຮັດໃຫ້ທໍ່ sapphire ສາມາດປູກໄດ້ໂດຍກົງໃຫ້ເປັນຮູບຊົງກະບອກຮູບກົ່ງ, ເຊິ່ງຊ່ວຍກຳຈັດການຕັດຫຍິບຫຼາຍເກີນໄປ ແລະ ຮັກສາຄວາມຕໍ່ເນື່ອງຂອງຜລຶກ.

ຈຸດເດັ່ນຂອງຂະບວນການ:

ການລະລາຍອາລູມິນຽມອອກໄຊທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຈະໄຫຼຜ່ານແມ່ພິມ capillary
ຮູບຊົງຂອງທໍ່ຖືກກຳນົດຢ່າງຊັດເຈນໂດຍໂປຣໄຟລ໌ຂອງແມ່ພິມ
ການດຶງຂຶ້ນໄປທາງເທິງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຜະລິດທໍ່ຜລຶກດຽວທີ່ເປັນເອກະພາບ
ເງື່ອນໄຂການຈະເລີນເຕີບໂຕແມ່ນຖືກຄວບຄຸມຢ່າງເຂັ້ມງວດເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມກົດດັນພາຍໃນ
ການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຫຼັງການເຕີບໂຕຊ່ວຍປັບປຸງຄວາມໝັ້ນຄົງ ແລະ ປະສິດທິພາບຂອງຜລຶກ

ເຕັກນິກນີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ທໍ່ sapphire ຝາບາງ, ທໍ່ຍາວ, ແລະ ພາກສ່ວນຕັດຂວາງທີ່ສັບສົນ ທີ່ຈະຜະລິດດ້ວຍຄວາມສອດຄ່ອງດ້ານມິຕິທີ່ດີເລີດ.

ຂໍ້ໄດ້ປຽບດ້ານວັດສະດຸຂອງທໍ່ EFG Sapphire

ທໍ່ແກ້ວໄພລິນ EFG ສືບທອດຄວາມເໜືອກວ່າພາຍໃນຂອງແກ້ວໄພລິນຜລຶກດຽວ ໃນຂະນະທີ່ໄດ້ຮັບຜົນປະໂຫຍດຈາກການເຕີບໂຕທີ່ຄວບຄຸມຮູບຮ່າງ.

ປະສິດທິພາບກົນຈັກ

ຄວາມແຂງຂອງ Mohs ເທົ່າກັບ 9 (ເປັນອັນດັບສອງຮອງຈາກເພັດ)
ຕ້ານທານກັບການສວມໃສ່, ຮອຍຂີດຂ່ວນ ແລະ ການກັດເຊາະໄດ້ດີເລີດ
ມີຄວາມແຂງແຮງໃນການບີບອັດ ແລະ ການດັດປັບສູງ

ຄຸນສົມບັດທາງຄວາມຮ້ອນ

ຄວາມສາມາດໃນການປະຕິບັດງານໃນອຸນຫະພູມສູງກວ່າ 1600°C
ຈຸດລະລາຍປະມານ 2030°C
ຄ່າສຳປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວທາງຄວາມຮ້ອນຕ່ຳ
ຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນ

ຄວາມໝັ້ນຄົງທາງເຄມີ

ບໍ່ມີປະຕິກິລິຍາທາງເຄມີຕໍ່ກົດ, ດ່າງ, ແລະອາຍແກັສທີ່ກັດກ່ອນສ່ວນໃຫຍ່
ບໍ່ມີການປົນເປື້ອນ ຫຼື ການສ້າງອະນຸພາກ
ເໝາະສຳລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສະອາດທີ່ສຸດ

ລັກສະນະທາງແສງ

ຄວາມໂປ່ງໃສສູງໃນລະດັບທີ່ເບິ່ງເຫັນໄດ້ ແລະ ລະດັບອິນຟາເຣດ
ມີການຂັດເງົາເກຣດແສງທາງເລືອກ
ເໝາະສຳລັບປ່ອງຢ້ຽມຕິດຕາມກວດກາ ແລະ ກວດກາດ້ວຍແສງ

ສະຖານະການການນຳໃຊ້

ທໍ່ EFG sapphire ຖືກນຳໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກຳທີ່ທໍ່ quartz ຫຼື ເຊລາມິກແບບດັ້ງເດີມບໍ່ສາມາດຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການດ້ານປະສິດທິພາບໄດ້.

ເຄິ່ງຕົວນຳ ແລະ ເອເລັກໂຕຣນິກ

ທໍ່ປ້ອງກັນເຕົາໄຟ
ອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງແລະວາງແຜ່ນເວເຟີ
ອົງປະກອບຂອງພລາສມາ ແລະ ສະພາບແວດລ້ອມການແກະສະຫຼັກ

ທັດສະນະສາດ ແລະ ໂຟໂຕນິກ

ທໍ່ສົ່ງສັນຍານແສງ
ຕູ້ປ້ອງກັນເລເຊີພະລັງງານສູງ
ໂຄງສ້າງນຳທາງແສງ UV ແລະ IR

ການປຸງແຕ່ງດ້ວຍອຸນຫະພູມສູງ ແລະ ສານເຄມີ

ການປ້ອງກັນດ້ວຍເທີໂມຄັບເປິ້ນ ແລະ ເຊັນເຊີ
ການຂົນສົ່ງຂອງແຫຼວທີ່ກັດກ່ອນ ຫຼື ອາຍແກັສ
ຊັ້ນໃນຂອງເຕົາປະຕິກອນ ແລະ ທໍ່ແຍກ

ອຸປະກອນວິທະຍາສາດ ແລະ ອຸດສາຫະກຳ

ເຄື່ອງມືວິເຄາະ
ລະບົບການວັດແທກການໄຫຼແບບແມ່ນຍໍາ
ອົງປະກອບທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການບິນອະວະກາດ ແລະ ການປ້ອງກັນປະເທດ

ມາດຕະຖານ ແລະ ຂໍ້ກຳນົດສະເພາະ

ລາຍການ	ຂອບເຂດຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
ວັດສະດຸ	ແກ້ວປະເສີດແກ້ວດ່ຽວ (Al₂O₃ ≥ 99.99%)
ວິທີການເຕີບໂຕ	EFG (ການເຕີບໂຕທີ່ກຳນົດໂດຍຟິມທີ່ປ້ອນດ້ວຍຂອບ)
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງພາຍນອກ	2 ມມ – 120 ມມ (ສາມາດສັ່ງເຮັດໄດ້)
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງພາຍໃນ	ປັບແຕ່ງຕາມຄວາມໜາຂອງຝາ
ຄວາມໜາຂອງຝາ	≥ 0.2 ມມ
ຄວາມຍາວ	ສູງສຸດ 2000 ມມ
ທິດທາງ	ມາດຕະຖານແກນ C, ອື່ນໆຕາມການຮ້ອງຂໍ
ສະພາບພື້ນຜິວ	ຕາມການປູກ / ບົດ / ຂັດເງົາ

ຂໍ້ມູນການທົດສອບການສົ່ງຜ່ານຂອງທໍ່ sapphire EFG

ຄຳຖາມທີ່ຖືກຖາມເລື້ອຍໆ (FAQ)

ຄຳຖາມທີ 1: ທໍ່ sapphire EFG ປຽບທຽບກັບທໍ່ quartz ແນວໃດ?
ທໍ່ EFG sapphire ມີຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງກວ່າຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ຄວາມທົນທານທາງເຄມີທີ່ດີກວ່າ, ແລະ ອາຍຸການໃຊ້ງານທີ່ຍາວນານກວ່າທໍ່ quartz.

ຄຳຖາມທີ 2: ທໍ່ sapphire EFG ສາມາດໃຊ້ໃນສະພາບແວດລ້ອມສູນຍາກາດ ຫຼື ພລາສມາໄດ້ບໍ?
ແມ່ນແລ້ວ. ໂຄງສ້າງຜລຶກດ່ຽວທີ່ໜາແໜ້ນ ແລະ ຄວາມບໍ່ໝັ້ນຄົງທາງເຄມີເຮັດໃຫ້ພວກມັນເໝາະສົມກັບສະພາບສູນຍາກາດ, ພລາສມາ ແລະ ອາຍແກັສທີ່ມີປະຕິກິລິຍາ.

ຄຳຖາມທີ 3: ທໍ່ sapphire ຝາບາງໆ ເປັນໄປໄດ້ບໍກັບການເຕີບໂຕຂອງ EFG?
ແມ່ນແລ້ວ. ໜຶ່ງໃນຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ສຳຄັນຂອງເທັກໂນໂລຢີ EFG ແມ່ນຄວາມສາມາດໃນການປູກທໍ່ sapphire ທີ່ມີຝາບາງ ແລະ ຍາວ ພ້ອມດ້ວຍຮູບຮ່າງທີ່ໝັ້ນຄົງ.

ຄຳຖາມທີ 4: ທ່ານສະໜັບສະໜູນການເຄື່ອງຈັກທີ່ກຳນົດເອງ ຫຼື ການສຳເລັດຮູບສຸດທ້າຍບໍ?
ແມ່ນແລ້ວ. ການບໍລິການຕັດ, ການຕັດມຸມ, ການຂັດ, ແລະ ການຂັດແບບແມ່ນຍໍາແມ່ນມີໃຫ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ.

ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ

XKH ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການພັດທະນາ, ການຜະລິດ ແລະ ການຂາຍແກ້ວແສງພິເສດ ແລະ ວັດສະດຸຜລຶກໃໝ່ທີ່ມີເຕັກໂນໂລຢີສູງ. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາໃຫ້ບໍລິການແກ່ອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກແສງ, ອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກສຳລັບຜູ້ບໍລິໂພກ ແລະ ກອງທັບ. ພວກເຮົາສະເໜີອຸປະກອນແສງ Sapphire, ຝາປິດເລນໂທລະສັບມືຖື, ເຊລາມິກ, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, ແລະ ແຜ່ນແພຜລຶກເຄິ່ງຕົວນຳ. ດ້ວຍຄວາມຊ່ຽວຊານ ແລະ ອຸປະກອນທີ່ທັນສະໄໝ, ພວກເຮົາມີຄວາມເກັ່ງກ້າໃນການປຸງແຕ່ງຜະລິດຕະພັນທີ່ບໍ່ໄດ້ມາດຕະຖານ, ໂດຍມຸ່ງໝັ້ນທີ່ຈະເປັນວິສາຫະກິດເຕັກໂນໂລຢີສູງດ້ານວັດສະດຸ optoelectronic ຊັ້ນນຳ.