C/A/M axis 4 inch sapphire wafers single crystal Al2O3,SSP DSP ຊັ້ນໃຕ້ດິນ sapphire ຄວາມແຂງສູງ

C/A/M axis 4 inch sapphire wafers single crystal Al2O3,SSP DSP high hardness substrate sapphire featured ຮູບພາບ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

wafers sapphire 4 ນິ້ວຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ LEDs, laser diodes, ອຸປະກອນ optoelectronic, ອຸປະກອນ semiconductor ແລະພາກສະຫນາມອື່ນໆ. wafers Sapphire ມີການຖ່າຍທອດສູງແລະຄວາມແຂງສູງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນ substrates ທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດຄວາມສະຫວ່າງສູງແລະໄຟ LEDs ສູງ. ນອກຈາກນັ້ນ, wafers sapphire ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຜະລິດປ່ອງຢ້ຽມ optical, ອົງປະກອບກົນຈັກ, ແລະອື່ນໆ. ບໍ່ວ່າຈະຢູ່ໃນພາກສະຫນາມ optical ຫຼືພາກສະຫນາມອື່ນໆ, wafers sapphire ມີລະດັບຄວາມສົດໃສດ້ານຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ກວ້າງຂວາງ!

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງຜະລິດຕະພັນ

ວັດສະດຸ: >99.99% ຜລຶກອາລູມີນຽມອອກໄຊທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ (ວິທີການ effervescent)

ທິດທາງຂອງ Crystal:

* ແກນ C (0001) (ຊັ້ນລຸ່ມ sapphire ມາດຕະຖານ)

* ແກນ C ຫັນໄປສູ່ແກນ A 0.5-6 ອົງສາ

* ແກນ C ຫັນໄປສູ່ແກນ M 0.5-6 ອົງສາ (ຊັ້ນລຸ່ມ sapphire ຕັດສະຫຼຽງ)

* ຍົນ A (11-20)

* ຍົນ M (1-100)

* ດ້ານ R (1-102)

ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ

* 10*10ມມ, 15*15ມມ, 20*20ມມ (ສີ່ຫຼ່ຽມມົນທົນ)

* 50.8 ມມ (2 ນິ້ວ), 76.2 ມມ (3 ນິ້ວ), 100 ມມ (4 ນິ້ວ), 150 ມມ (6 ນິ້ວ), 200 ມມ (8 ນິ້ວ)

* 104mm (ຕົວແປຂະຫນາດບັນທຸກ 4 ນິ້ວ), 159mm (ຕົວແປຂະຫນາດບັນທຸກ 6 ນິ້ວ)

ຄວາມຫນາ

* 150 micron / 300 micron / 400 micron / 430 micron (ຄວາມຫນາມາດຕະຖານ 2 ນິ້ວ)

* 500 micron / 650 micron (ຄວາມຫນາມາດຕະຖານ 4 ນິ້ວ) / 1000 micron (ຄວາມຫນາມາດຕະຖານ 6 ນິ້ວ)

* ຄວາມຫນາສາມາດເລືອກເພີ່ມເຕີມກະລຸນາຕິດຕໍ່ການຢືນຢັນການບໍລິການລູກຄ້າ

ການຂັດ: ການຂັດດ້ານດຽວ / ການຂັດສອງດ້ານ (ທາງເລືອກ)

CMP Polished Surface Roughness: Epi-ready Ra Total Thickness Tolerance TTV: Warp BOW: ອ້າງອີງເຖິງຂໍ້ມູນສະເພາະ

Warp: ອ້າງເຖິງສະເພາະ

ການຫຸ້ມຫໍ່: 25pcs / ກ່ອງບັນຈຸກ່ອງຫຼາຍເມັດ, ຖົງ PE ຄູ່ສໍາລັບສູນຍາກາດ.

Shanghai Xinkehui ວັດສະດຸໃຫມ່ຈໍາກັດສາມາດສະຫນອງ ingot sapphire ຈາກ 80 ~ 400kg, ເປົ່າຫວ່າງ sapphire, Sapphire ຜະລິດຕະພັນສໍາເລັດຮູບ, sapphire ສີທີ່ແຕກຕ່າງກັນ (ລວມທັງ ruby ກັບ laser ຫຼື gem), ທໍ່ EFG sapphire, ການບໍລິການເຄືອບ sapphire, wafers Sapphire, ແລະ ສຸດ.