8inch SiC wafer ເກຣດການຜະລິດ 4H-N SiC substrate
ຕາຕະລາງຕໍ່ໄປນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນສະເພາະຂອງ wafers SiC 8inch ຂອງພວກເຮົາ:
8 ນິ້ວ N-type SiC DSP Specs | |||||
ເລກ | ລາຍການ | ໜ່ວຍ | ການຜະລິດ | ຄົ້ນຄ້ວາ | Dummy |
1: ຕົວກໍານົດການ | |||||
1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | ທິດທາງດ້ານຫນ້າ | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
2: ຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ | |||||
2.1 | ຝຸ່ນ | -- | n-ປະເພດໄນໂຕຣເຈນ | n-ປະເພດໄນໂຕຣເຈນ | n-ປະເພດໄນໂຕຣເຈນ |
2.2 | ຄວາມຕ້ານທານ | ໂອມ·ຊມ | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
3: ຕົວກໍານົດການກົນຈັກ | |||||
3.1 | ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
3.2 | ຄວາມຫນາ | ມມ | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
3.3 | ທິດທາງ notch | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
3.4 | ຄວາມເລິກ Notch | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
3.5 | LTV | ມມ | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
3.6 | TTV | ມມ | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | ກົ້ມຫົວ | ມມ | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
3.8 | Warp | ມມ | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
4: ໂຄງສ້າງ | |||||
4.1 | ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ micropipe | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | ເນື້ອໃນໂລຫະ | ອະຕອມ/ຊມ2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5.ຄຸນະພາບດ້ານຫນ້າ | |||||
5.1 | ດ້ານໜ້າ | -- | Si | Si | Si |
5.2 | ສໍາເລັດຮູບດ້ານ | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
5.3 | ອະນຸພາກ | ea/wafer | ≤100(ຂະຫນາດ≥0.3μm) | NA | NA |
5.4 | ຮອຍຂີດຂ່ວນ | ea/wafer | ≤5, ຄວາມຍາວທັງຫມົດ≤200mm | NA | NA |
5.5 | ຂອບ chips/indents/cracks/stains/ການປົນເປື້ອນ | -- | ບໍ່ມີ | ບໍ່ມີ | NA |
5.6 | ພື້ນທີ່ Polytype | -- | ບໍ່ມີ | ພື້ນທີ່ ≤10% | ພື້ນທີ່ ≤30% |
5.7 | ເຄື່ອງຫມາຍທາງຫນ້າ | -- | ບໍ່ມີ | ບໍ່ມີ | ບໍ່ມີ |
6: ຄຸນນະພາບກັບຄືນໄປບ່ອນ | |||||
6.1 | ກັບຄືນໄປບ່ອນສໍາເລັດຮູບ | -- | C-ໃບຫນ້າ MP | C-ໃບຫນ້າ MP | C-ໃບຫນ້າ MP |
6.2 | ຮອຍຂີດຂ່ວນ | mm | NA | NA | NA |
6.3 | ຂອບຂໍ້ບົກຜ່ອງດ້ານຫລັງ ຊິບ/ຫຍໍ້ໜ້າ | -- | ບໍ່ມີ | ບໍ່ມີ | NA |
6.4 | ກັບຄືນໄປບ່ອນ roughness | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6.5 | ເຄື່ອງຫມາຍກັບຄືນໄປບ່ອນ | -- | ຮອຍແຕກ | ຮອຍແຕກ | ຮອຍແຕກ |
7: ຂອບ | |||||
7.1 | ຂອບ | -- | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
8: ຊຸດ | |||||
8.1 | ການຫຸ້ມຫໍ່ | -- | Epi ພ້ອມດ້ວຍສູນຍາກາດ ການຫຸ້ມຫໍ່ | Epi ພ້ອມດ້ວຍສູນຍາກາດ ການຫຸ້ມຫໍ່ | Epi ພ້ອມດ້ວຍສູນຍາກາດ ການຫຸ້ມຫໍ່ |
8.2 | ການຫຸ້ມຫໍ່ | -- | ຫຼາຍ wafer ການຫຸ້ມຫໍ່ cassette | ຫຼາຍ wafer ການຫຸ້ມຫໍ່ cassette | ຫຼາຍ wafer ການຫຸ້ມຫໍ່ cassette |
ແຜນວາດລາຍລະອຽດ
ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານທີ່ນີ້ແລະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາ