8inch SiC wafer ເກຣດການຜະລິດ 4H-N SiC substrate

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ສັ້ນ​:

substrates SiC 8 ນິ້ວຖືກນໍາໃຊ້ໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານສູງ, ເຊັ່ນ: MOSFETs ພະລັງງານ (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), Schottky diodes ແລະອຸປະກອນ semiconductor ພະລັງງານອື່ນໆ.


ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ຕາຕະລາງຕໍ່ໄປນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນສະເພາະຂອງ wafers SiC 8inch ຂອງພວກເຮົາ:

8 ນິ້ວ N-type SiC DSP Specs

ເລກ ລາຍການ ໜ່ວຍ ການຜະລິດ ຄົ້ນຄ້ວາ Dummy
1: ຕົວກໍານົດການ
1.1 polytype -- 4H 4H 4H
1.2 ທິດທາງດ້ານຫນ້າ ° <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5
2: ຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ
2.1 ຝຸ່ນ -- n-ປະເພດໄນໂຕຣເຈນ n-ປະເພດໄນໂຕຣເຈນ n-ປະເພດໄນໂຕຣເຈນ
2.2 ຄວາມຕ້ານທານ ໂອມ·ຊມ 0.015~0.025 0.01~0.03 NA
3: ຕົວກໍານົດການກົນຈັກ
3.1 ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ mm 200±0.2 200±0.2 200±0.2
3.2 ຄວາມຫນາ ມມ 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25
3.3 ທິດທາງ notch ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 ຄວາມເລິກ Notch mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 LTV ມມ ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 TTV ມມ ≤10 ≤10 ≤15
3.7 ກົ້ມຫົວ ມມ -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Warp ມມ ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0.2 Ra≤0.2 Ra≤0.2
4: ໂຄງສ້າງ
4.1 ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ micropipe ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 ເນື້ອໃນໂລຫະ ອະຕອມ/ຊມ2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5.ຄຸນະພາບດ້ານຫນ້າ
5.1 ດ້ານໜ້າ -- Si Si Si
5.2 ສໍາເລັດຮູບດ້ານ -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 ອະນຸພາກ ea/wafer ≤100(ຂະຫນາດ≥0.3μm) NA NA
5.4 ຮອຍຂີດຂ່ວນ ea/wafer ≤5, ຄວາມຍາວທັງຫມົດ≤200mm NA NA
5.5 ຂອບ
chips/indents/cracks/stains/ການປົນເປື້ອນ
-- ບໍ່ມີ ບໍ່ມີ NA
5.6 ພື້ນທີ່ Polytype -- ບໍ່ມີ ພື້ນທີ່ ≤10% ພື້ນທີ່ ≤30%
5.7 ເຄື່ອງຫມາຍທາງຫນ້າ -- ບໍ່ມີ ບໍ່ມີ ບໍ່ມີ
6: ຄຸນນະພາບກັບຄືນໄປບ່ອນ
6.1 ກັບຄືນໄປບ່ອນສໍາເລັດຮູບ -- C-ໃບຫນ້າ MP C-ໃບຫນ້າ MP C-ໃບຫນ້າ MP
6.2 ຮອຍຂີດຂ່ວນ mm NA NA NA
6.3 ຂອບ​ຂໍ້​ບົກ​ຜ່ອງ​ດ້ານ​ຫລັງ​
ຊິບ/ຫຍໍ້ໜ້າ
-- ບໍ່ມີ ບໍ່ມີ NA
6.4 ກັບຄືນໄປບ່ອນ roughness nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 ເຄື່ອງຫມາຍກັບຄືນໄປບ່ອນ -- ຮອຍແຕກ ຮອຍແຕກ ຮອຍແຕກ
7: ຂອບ
7.1 ຂອບ -- Chamfer Chamfer Chamfer
8: ຊຸດ
8.1 ການຫຸ້ມຫໍ່ -- Epi ພ້ອມດ້ວຍສູນຍາກາດ
ການຫຸ້ມຫໍ່
Epi ພ້ອມດ້ວຍສູນຍາກາດ
ການຫຸ້ມຫໍ່
Epi ພ້ອມດ້ວຍສູນຍາກາດ
ການຫຸ້ມຫໍ່
8.2 ການຫຸ້ມຫໍ່ -- ຫຼາຍ wafer
ການຫຸ້ມຫໍ່ cassette
ຫຼາຍ wafer
ການຫຸ້ມຫໍ່ cassette
ຫຼາຍ wafer
ການຫຸ້ມຫໍ່ cassette

ແຜນວາດລາຍລະອຽດ

asd (1)
asd (2)
asd (3)

  • ທີ່ຜ່ານມາ:
  • ຕໍ່ໄປ:

  • ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານທີ່ນີ້ແລະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາ