ແຜ່ນເວເຟີ SiC ຊັ້ນຜະລິດ 8 ນິ້ວ 4H-N SiC substrate

ຄໍາອະທິບາຍສັ້ນໆ:

ຊັ້ນຮອງ SiC ຂະໜາດ 8 ນິ້ວ ຖືກນໍາໃຊ້ໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານສູງ ເຊັ່ນ: MOSFETs ພະລັງງານ (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), ໄດໂອດ Schottky ແລະອຸປະກອນເຄິ່ງຕົວນຳພະລັງງານອື່ນໆ.


ຄຸນສົມບັດ

ຕາຕະລາງຕໍ່ໄປນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນລາຍລະອຽດສະເພາະຂອງແຜ່ນ SiC ຂະໜາດ 8 ນິ້ວຂອງພວກເຮົາ:

ລາຍລະອຽດ DSP SiC ປະເພດ N ຂະໜາດ 8 ນິ້ວ

ຕົວເລກ ລາຍການ ໜ່ວຍ ການຜະລິດ ການຄົ້ນຄວ້າ ຫຸ່ນ
1: ພາລາມິເຕີ
1.1 ໂພລີໄທບ໌ -- 4H 4H 4H
1.2 ທິດທາງພື້ນຜິວ ° <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5
2: ພາລາມິເຕີໄຟຟ້າ
2.1 ສານເຈືອຈາງ -- ໄນໂຕຣເຈນປະເພດ n ໄນໂຕຣເຈນປະເພດ n ໄນໂຕຣເຈນປະເພດ n
2.2 ຄວາມຕ້ານທານ ໂອມ · ຊມ 0.015~0.025 0.01~0.03 NA
3: ພາລາມິເຕີກົນຈັກ
3.1 ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ mm 200 ± 0.2 200 ± 0.2 200 ± 0.2
3.2 ຄວາມໜາ ໄມຄຣມ 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25
3.3 ທິດທາງຮອຍບາດ ° [1- 100] ± 5 [1- 100] ± 5 [1- 100] ± 5
3.4 ຄວາມເລິກຂອງຮອຍບາດ mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 ອັດຕາດອກເບ້ຍຕໍ່າສຸດ (LTV) ໄມຄຣມ ≤5 (10 ມມ * 10 ມມ) ≤5 (10 ມມ * 10 ມມ) ≤10 (10 ມມ * 10 ມມ)
3.6 ໂທລະພາບທີວີ ໄມຄຣມ ≤10 ≤10 ≤15
3.7 ໂບ ໄມຄຣມ -25~25 -45~45 -65~65
3.8 ບິດງໍ ໄມຄຣມ ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0.2 Ra≤0.2 Ra≤0.2
4:ໂຄງສ້າງ
4.1 ຄວາມໜາແໜ້ນຂອງທໍ່ນ້ອຍ ແຕ່ລະ/ຊມ2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 ສ່ວນປະກອບໂລຫະ ອະຕອມ/ຊມ2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ແຕ່ລະ/ຊມ2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 ຄວາມດັນເລືອດສູງຜິດປົກກະຕິ (BPD) ແຕ່ລະ/ຊມ2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 ເທດ ແຕ່ລະ/ຊມ2 ≤7000 ≤10000 NA
5. ຄຸນນະພາບດ້ານໜ້າ
5.1 ດ້ານໜ້າ -- Si Si Si
5.2 ການສຳເລັດຮູບພື້ນຜິວ -- CMP ໜ້າ Si CMP ໜ້າ Si CMP ໜ້າ Si
5.3 ອະນຸພາກ ea/ເວເຟີ ≤100 (ຂະໜາດ≥0.3μm) NA NA
5.4 ຂູດ ea/ເວເຟີ ≤5, ຄວາມຍາວທັງໝົດ ≤200 ມມ NA NA
5.5 ຂອບ
ບิ่น/ຮອຍບຸບ/ຮອຍແຕກ/ຮອຍເປື້ອນ/ການປົນເປື້ອນ
-- ບໍ່ມີ ບໍ່ມີ NA
5.6 ພື້ນທີ່ຫຼາຍຮູບແບບ -- ບໍ່ມີ ພື້ນທີ່ ≤10% ພື້ນທີ່ ≤30%
5.7 ເຄື່ອງໝາຍດ້ານໜ້າ -- ບໍ່ມີ ບໍ່ມີ ບໍ່ມີ
6: ຄຸນນະພາບດ້ານຫຼັງ
6.1 ສຳເລັດຮູບດ້ານຫຼັງ -- MP ໜ້າ C MP ໜ້າ C MP ໜ້າ C
6.2 ຂູດ mm NA NA NA
6.3 ຂອບຂໍ້ບົກຜ່ອງດ້ານຫຼັງ
ຊິບ/ຮອຍຫຍໍ້
-- ບໍ່ມີ ບໍ່ມີ NA
6.4 ຄວາມຫຍາບຫຼັງ nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 ເຄື່ອງໝາຍດ້ານຫຼັງ -- ຮອຍບາດ ຮອຍບາດ ຮອຍບາດ
7:ຂອບ
7.1 ຂອບ -- ມຸມຕັດ ມຸມຕັດ ມຸມຕັດ
8: ແພັກເກດ
8.1 ການຫຸ້ມຫໍ່ -- ພ້ອມໃຊ້ງານໄດ້ທັນທີດ້ວຍສູນຍາກາດ
ການຫຸ້ມຫໍ່
ພ້ອມໃຊ້ງານໄດ້ທັນທີດ້ວຍສູນຍາກາດ
ການຫຸ້ມຫໍ່
ພ້ອມໃຊ້ງານໄດ້ທັນທີດ້ວຍສູນຍາກາດ
ການຫຸ້ມຫໍ່
8.2 ການຫຸ້ມຫໍ່ -- ເວເຟີຫຼາຍອັນ
ການຫຸ້ມຫໍ່ແບບເທບ
ເວເຟີຫຼາຍອັນ
ການຫຸ້ມຫໍ່ແບບເທບ
ເວເຟີຫຼາຍອັນ
ການຫຸ້ມຫໍ່ແບບເທບ

ແຜນວາດລະອຽດ

ອາຊີດ (1)
asd (2)
asd (3)

  • ກ່ອນໜ້ານີ້:
  • ຕໍ່ໄປ:

  • ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານຢູ່ນີ້ ແລະ ສົ່ງມາໃຫ້ພວກເຮົາ