6inch SiC Epitaxiy wafer ປະເພດ N / P ຍອມຮັບການປັບແຕ່ງ
ຂະບວນການກະກຽມຂອງ silicon carbide epitaxial wafer ແມ່ນວິທີການນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຊີ Vapor Deposition (CVD).ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນຫຼັກການດ້ານວິຊາການທີ່ກ່ຽວຂ້ອງແລະຂັ້ນຕອນຂະບວນການກະກຽມ:
ຫຼັກການດ້ານວິຊາການ:
ການຖິ້ມອາຍຂອງສານເຄມີ: ການນໍາໃຊ້ອາຍແກັສວັດຖຸດິບໃນໄລຍະອາຍແກັສ, ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຕິກິຣິຍາສະເພາະ, ມັນໄດ້ຖືກ decomposed ແລະຝາກໄວ້ໃນ substrate ເພື່ອສ້າງເປັນຮູບເງົາບາງໆທີ່ຕ້ອງການ.
ປະຕິກິລິຢາໄລຍະອາຍແກັສ: ໂດຍຜ່ານປະຕິກິລິຍາ pyrolysis ຫຼື cracking, ທາດອາຍຜິດວັດຖຸດິບຕ່າງໆໃນໄລຍະອາຍແກັສແມ່ນມີການປ່ຽນແປງທາງເຄມີໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາ.
ຂັ້ນຕອນການກະກຽມ:
ການປິ່ນປົວຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນ: ຊັ້ນໃຕ້ດິນແມ່ນຂຶ້ນກັບການທໍາຄວາມສະອາດພື້ນຜິວແລະ pretreatment ເພື່ອຮັບປະກັນຄຸນນະພາບແລະ crystallinity ຂອງ wafer epitaxial.
Reaction chamber debugging: ປັບອຸນຫະພູມ, ຄວາມກົດດັນແລະອັດຕາການໄຫຼຂອງຫ້ອງຕິກິຣິຍາແລະຕົວກໍານົດການອື່ນໆເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະການຄວບຄຸມຂອງເງື່ອນໄຂຕິກິຣິຍາ.
ການສະຫນອງວັດຖຸດິບ: ສະຫນອງວັດຖຸດິບອາຍແກັສທີ່ຕ້ອງການເຂົ້າໄປໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາ, ການປະສົມແລະຄວບຄຸມອັດຕາການໄຫຼຕາມຄວາມຕ້ອງການ.
ຂະບວນການປະຕິກິລິຍາ: ໂດຍການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຫ້ອງຕິກິຣິຍາ, ທາດອາຫານທາດອາຍແກັສຜ່ານປະຕິກິລິຢາເຄມີຢູ່ໃນຫ້ອງເພື່ອຜະລິດເງິນຝາກທີ່ຕ້ອງການ, ie ແຜ່ນ silicon carbide.
ຄວາມເຢັນແລະ unloading: ໃນຕອນທ້າຍຂອງຕິກິຣິຍາ, ອຸນຫະພູມຄ່ອຍໆຫຼຸດລົງເພື່ອໃຫ້ເຢັນແລະແຂງຂອງເງິນຝາກຢູ່ໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາ.
Epitaxial wafer annealing ແລະ post-processing: wafer epitaxial ຝາກແມ່ນ annealed ແລະ post-processed ເພື່ອປັບປຸງຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າແລະ optical ຂອງຕົນ.
ຂັ້ນຕອນແລະເງື່ອນໄຂສະເພາະຂອງຂະບວນການກະກຽມ silicon carbide epitaxial wafer ອາດຈະແຕກຕ່າງກັນໄປຕາມອຸປະກອນແລະຄວາມຕ້ອງການສະເພາະ.ຂ້າງເທິງນີ້ແມ່ນພຽງແຕ່ການໄຫຼວຽນຂອງຂະບວນການທົ່ວໄປແລະຫຼັກການ, ການປະຕິບັດສະເພາະຕ້ອງໄດ້ຮັບການປັບແລະເພີ່ມປະສິດທິພາບຕາມສະຖານະການຕົວຈິງ.
ແຜນວາດລາຍລະອຽດ
![WechatIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![WechatIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)