4 ນິ້ວ ຄວາມບໍລິສຸດສູງ Al2O3 99.999% Sapphire substrate wafer Dia101.6×0.65mmt ມີຄວາມຍາວແປຕົ້ນຕໍ

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ສັ້ນ​:

A 4 ນິ້ວ (ປະມານ 101.6 ມມ) wafer sapphire ເປັນ wafer ທີ່ເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸ sapphire ມີເສັ້ນຜ່າກາງ 4 ນິ້ວ.


ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ລາຍລະອຽດ

ຄຸນລັກສະນະທົ່ວໄປຂອງ wafers sapphire 4 ນິ້ວໄດ້ຖືກນໍາສະເຫນີດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:

ຄວາມຫນາ: ຄວາມຫນາຂອງ wafers sapphire ທົ່ວໄປແມ່ນລະຫວ່າງ 0.2 ມມແລະ 2 ມມ, ແລະຄວາມຫນາສະເພາະສາມາດໄດ້ຮັບການປັບແຕ່ງຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.

ຂອບການຈັດວາງ: ປົກກະຕິແລ້ວມີສ່ວນນ້ອຍໆຢູ່ຂອບຂອງ wafer ເອີ້ນວ່າ "ຂອບການຈັດວາງ" ທີ່ປົກປ້ອງຫນ້າດິນ wafer ແລະຂອບ, ແລະປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນ amorphous.

ການ​ກະ​ກຽມ​ດ້ານ​: wafers sapphire ທົ່ວ​ໄປ​ແມ່ນ​ດິນ​ກົນ​ຈັກ​ແລະ​ການ​ຂັດ​ທາງ​ເຄ​ມີ​ເພື່ອ​ເຮັດ​ໃຫ້​ຜິວ​ຫນັງ​ກ້ຽງ​.

ຄຸນສົມບັດຂອງພື້ນຜິວ: ພື້ນຜິວຂອງ wafers sapphire ປົກກະຕິແລ້ວມີຄຸນສົມບັດ optical ທີ່ດີ, ເຊັ່ນ: ການສະທ້ອນຕ່ໍາແລະດັດຊະນີ refractive ຕ່ໍາ, ເພື່ອປັບປຸງປະສິດທິພາບອຸປະກອນ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ຊັ້ນຍ່ອຍຈະເລີນເຕີບໂຕສໍາລັບທາດປະສົມ III-V ແລະ II-VI

● ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະ optoelectronics

● ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ IR

● Silicon On Sapphire Integrated Circuit (SOS)

● ວົງຈອນລວມຄວາມຖີ່ວິທະຍຸ (RFIC)

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ລາຍການ

4 ນິ້ວ C-plane(0001) 650μm Sapphire Wafers

ວັດສະດຸ Crystal

99,999%, ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, Monocrystalline Al2O3

ເກຣດ

Prime, Epi-Ready

ທິດທາງດ້ານ

ຍົນ C (0001)

C-plane off-angle ໄປຫາ M-axis 0.2 +/- 0.1°

ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ

100.0 ມມ +/- 0.1 ມມ

ຄວາມຫນາ

650 μm +/- 25 μm

ປະຖົມນິເທດ Flat ປະຖົມ

A-plane(11-20) +/- 0.2°

ຄວາມຍາວຮາບພຽງຕົ້ນຕໍ

30.0 ມມ +/- 1.0 ມມ

ຂັດດ້ານດຽວ

ດ້ານໜ້າ

Epi-polished, Ra < 0.2 nm (ໂດຍ AFM)

(SSP)

ດ້ານຫລັງ

ດິນລະອຽດ, Ra = 0.8 μm ຫາ 1.2 μm

ຂັດສອງດ້ານ

ດ້ານໜ້າ

Epi-polished, Ra < 0.2 nm (ໂດຍ AFM)

(DSP)

ດ້ານຫລັງ

Epi-polished, Ra < 0.2 nm (ໂດຍ AFM)

TTV

< 20 ມມ

ໂບ

< 20 ມມ

WARP

< 20 ມມ

ການເຮັດຄວາມສະອາດ / ການຫຸ້ມຫໍ່

ການ​ທໍາ​ຄວາມ​ສະ​ອາດ​ຫ້ອງ​ຮຽນ 100 ແລະ​ການ​ຫຸ້ມ​ຫໍ່​ສູນ​ຍາ​ກາດ​,

25 ຕ່ອນຢູ່ໃນການຫຸ້ມຫໍ່ cassette ຫນຶ່ງຫຼືການຫຸ້ມຫໍ່ດຽວສິ້ນ.

ພວກເຮົາມີປະສົບການຫຼາຍປີໃນອຸດສາຫະກໍາການປຸງແຕ່ງ sapphire. ລວມ​ທັງ​ຕະ​ຫຼາດ​ຜູ້​ສະ​ຫນອງ​ຂອງ​ຈີນ​, ເຊັ່ນ​ດຽວ​ກັນ​ກັບ​ຕະ​ຫຼາດ​ຄວາມ​ຕ້ອງ​ການ​ສາ​ກົນ​. ຖ້າທ່ານມີຄວາມຕ້ອງການໃດໆ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ຫາພວກເຮົາ.

ແຜນວາດລາຍລະອຽດ

ຄວາມຍາວຮາບພຽງຕົ້ນຕໍ (1)
ຄວາມຍາວຮາບພຽງຕົ້ນຕໍ (2)
ຄວາມຍາວຮາບພຽງຕົ້ນຕໍ (3)

  • ທີ່ຜ່ານມາ:
  • ຕໍ່ໄປ:

  • ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານທີ່ນີ້ແລະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາ