ປ່ອງຢ້ຽມແສງ Sapphire ທີ່ກຳນົດເອງ ການສົ່ງຜ່ານຄວາມບໍລິສຸດສູງ ≥90%

ຄໍາອະທິບາຍສັ້ນໆ:

ປ່ອງຢ້ຽມແສງໄພລິນແມ່ນອົງປະກອບແສງພິເສດທີ່ຜະລິດຈາກອະລູມິນຽມອອກໄຊດ໌ຜລຶກດ່ຽວ (Al₂O₃), ເຊິ່ງມີຊື່ສຽງດ້ານປະສິດທິພາບແສງທີ່ໂດດເດັ່ນ, ຄວາມແຂງແຮງທາງກົນຈັກ, ແລະ ຄວາມໝັ້ນຄົງທາງເຄມີ. ໃນຖານະທີ່ເປັນຜລຶກອອກໄຊດ໌ທີ່ແຂງທີ່ສຸດ (ຄວາມແຂງຂອງ Mohs 9), ປ່ອງຢ້ຽມໄພລິນສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງການສົ່ງຜ່ານທີ່ດີເລີດ (~83-85% ບໍ່ໄດ້ເຄືອບ) ຜ່ານແສງ ultraviolet (200nm) ເຖິງແສງອິນຟາເຣດກາງ (5.5μm), ເຮັດໃຫ້ພວກມັນເໝາະສົມສຳລັບການນຳໃຊ້ທີ່ຕ້ອງການທັງຄວາມໂປ່ງໃສ ແລະ ຄວາມທົນທານສູງ.

ການຜະລິດກ່ຽວຂ້ອງກັບຂະບວນການທີ່ສຳຄັນລວມທັງການເຕີບໂຕຂອງທິດທາງຜລຶກ, ການຫັ່ນເປັນຕ່ອນໆທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ, ການຂັດເງົາລະດັບນາໂນ, ແລະ ການເຄືອບພິເສດ. ເຕັກນິກການເຕີບໂຕຂັ້ນສູງ (ເຊັ່ນ: ວິທີການ HEM ຫຼື KY) ໃຫ້ຜົນຜະລິດລູກບານທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຄວາມໜາແໜ້ນຂອງຂໍ້ບົກຜ່ອງຕໍ່າ (<10⁴/ຊມ²). ໂຄງສ້າງຜລຶກຮູບຫົກຫຼ່ຽມທີ່ເປັນເອກະລັກຊ່ວຍໃຫ້ມີຄຸນສົມບັດແບບ anisotropic, ດ້ວຍທິດທາງທີ່ດີທີ່ສຸດ (ການຕັດແກນ C, ແກນ A, ຫຼື ການຕັດລະນາບ R) ທີ່ປັບແຕ່ງປະສິດທິພາບທາງດ້ານແສງສໍາລັບການນໍາໃຊ້ສະເພາະ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ຄຸນສົມບັດ

ພາລາມິເຕີດ້ານເຕັກນິກ

ລາຍການ	ປ່ອງຢ້ຽມແສງ
ວັດສະດຸ	BK7, JGS1, ຊິລິກາປະສົມ UV, ໄພລິນ ແລະອື່ນໆ
ມິຕິ	1 ມມ - 300 ມມ
ຄວາມທົນທານຂອງຂະໜາດ	±0.05 ມມ
ຄຸນນະພາບພື້ນຜິວ	20-10~60-40
ຄວາມຮາບພຽງຂອງພື້ນຜິວ	1/4~1/8
ຮູຮັບແສງທີ່ຈະແຈ້ງ	ສູງກວ່າ 90%
ການເຄືອບ	200-4000 ນາໂນແມັດ
ແອັບພລິເຄຊັນ	ເລເຊີ, ການສົ່ງຜ່ານແສງ, ຈໍສະແດງຜົນ, ແລະອື່ນໆ.

ລັກສະນະຫຼັກ

1. ການປັບຕົວເຂົ້າກັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງ
ປ່ອງຢ້ຽມແສງ Sapphire ສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງປະສິດທິພາບທີ່ໂດດເດັ່ນດ້ວຍຈຸດລະລາຍທີ່ 2053°C, ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງໃນສະພາບແວດລ້ອມການເຮັດວຽກຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງທີ່ 1000°C. ຄວາມໝັ້ນຄົງທາງຄວາມຮ້ອນນີ້ແມ່ນຖືກເປີດໃຊ້ງານໂດຍສຳປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວທາງຄວາມຮ້ອນ (CTE) ທີ່ຕ່ຳຫຼາຍທີ່ 5.3×10⁻⁶/K ຕາມແກນ C, ເຊິ່ງດີກ່ວາແວ່ນຕາແສງທຳມະດາຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ໃນທາງເຄມີ, ປ່ອງຢ້ຽມແສງ Sapphire ສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງຄວາມเฉื่อยชาທີ່ໂດດເດັ່ນ, ຕ້ານທານກັບກົດທີ່ແຮງທັງໝົດ (ຍົກເວັ້ນ HF) ແລະດ່າງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເໝາະສົມສຳລັບອຸປະກອນປຸງແຕ່ງທາງເຄມີ ແລະ ການນຳໃຊ້ທາງທະເລ. ໃນທາງກົນຈັກ, ປ່ອງຢ້ຽມເຫຼົ່ານີ້ມີຄວາມແຂງແຮງໃນການບິດງໍເກີນ 1000MPa (ແຂງແຮງກວ່າແກ້ວແສງມາດຕະຖານ 5-8 ເທົ່າ) ພ້ອມກັບຄວາມຕ້ານທານແຮງກະທົບທີ່ໂດດເດັ່ນ.

2. ຂໍ້ໄດ້ປຽບດ້ານປະສິດທິພາບທາງແສງ
ປ່ອງຢ້ຽມແສງ Sapphire ໃຫ້ການສົ່ງຜ່ານ >80% ໃນທົ່ວລະດັບສະເປກຕຣຳທີ່ກວ້າງຂວາງ (200-5500nm ທີ່ຄວາມໜາ 2 ມມ). ຜ່ານການວາງທິດທາງຜລຶກທີ່ດີທີ່ສຸດ (ເຊັ່ນ: ແກນ C ຕັ້ງສາກກັບເສັ້ນທາງແສງ), ຜົນກະທົບຂອງການສະທ້ອນແສງສອງເທົ່າໄດ້ຖືກຫຼຸດຜ່ອນຢ່າງມີປະສິດທິພາບ. ຄຸນນະພາບພື້ນຜິວຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການດ້ານແສງທີ່ເຂັ້ມງວດດ້ວຍຄວາມຮາບພຽງ λ/10 ທີ່ 633nm ແລະ ຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວ <0.5nm RMS.

3. ຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດຂັ້ນສູງ
ປ່ອງຢ້ຽມແສງ sapphire ຂອງພວກເຮົາຮອງຮັບການປະມວນຜົນຮູບແບບຂະໜາດໃຫຍ່ (ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ >300 ມມ) ແລະຮູບຮ່າງທີ່ສັບສົນລວມທັງການຕັ້ງຄ່າແບບ aspheric ແລະ stepped. ເທັກໂນໂລຢີການປະທັບຕາຂອບພິເສດບັນລຸອັດຕາການຮົ່ວໄຫຼ <1×10⁻⁹Pa·m³/s ສຳລັບການນຳໃຊ້ໃນສູນຍາກາດ. ດ້ວຍການເຄືອບຄາບອນຄ້າຍຄືເພັດ (DLC), ຂອບເຂດຄວາມເສຍຫາຍທີ່ເກີດຈາກເລເຊີ (LIDT) ບັນລຸ 15J/cm² (1064nm, ກຳມະຈອນ 10ns).

ແອັບພລິເຄຊັນຫຼັກ

1. ປ້ອງກັນປະເທດ ແລະ ອາວະກາດ
ປ່ອງຢ້ຽມແສງ Sapphire ເຮັດໜ້າທີ່ເປັນໂດມລູກສອນໄຟ, ທົນທານຕໍ່ກັບຜົນກະທົບທາງຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງ (>1000°C) ໃນລະຫວ່າງການບິນໄວກວ່າສຽງ. ລຸ້ນລະດັບອະວະກາດຮັບປະກັນອາຍຸການໃຊ້ງານໃນວົງໂຄຈອນຫຼາຍກວ່າ 15 ປີໃນການນຳໃຊ້ຍານອະວະກາດ.

2. ອຸປະກອນອຸດສາຫະກໍາ
ໃນການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳ, ໜ້າຕ່າງແສງ sapphire ເຮັດໜ້າທີ່ເປັນຊ່ອງເບິ່ງທີ່ທົນທານຕໍ່ plasma ໃນຫ້ອງ etch ແລະ CVD. ກ້ອງສ່ອງທາງໄກອຸນຫະພູມສູງໃຊ້ໜ້າຕ່າງເຫຼົ່ານີ້ເພື່ອການຖ່າຍພາບທີ່ຊັດເຈນໃນສະພາບແວດລ້ອມເຕົາອົບທີ່ມີອຸນຫະພູມ 1500°C.

3. ເຄື່ອງມືວິທະຍາສາດ
ປ່ອງຢ້ຽມແສງ sapphire ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ (ສິ່ງເຈືອປົນ <5ppm) ຫຼຸດຜ່ອນການດູດຊຶມລັງສີ X ໃນເສັ້ນແສງ synchrotron. ຄວາມບໍ່ເປັນເສັ້ນຊື່ທີ່ຕໍ່າຂອງພວກມັນຮັກສາຄວາມແນ່ນອນຂອງກຳມະຈອນ femtosecond ໃນລະບົບເລເຊີທີ່ມີຄວາມໄວສູງ.

4. ອຸປະກອນການຄ້າ
ເຮືອດຳນ້ຳເລິກໃຊ້ປ່ອງຢ້ຽມແສງ sapphire ທີ່ໄດ້ຮັບການຈັດອັນດັບສຳລັບຄວາມເລິກ 6000 ແມັດ (>60MPa). ກ້ອງຖ່າຍຮູບໂທລະສັບສະຫຼາດລວມປ່ອງຢ້ຽມເຫຼົ່ານີ້ເປັນຝາປິດປ້ອງກັນ, ໂດຍນຳໃຊ້ຄວາມຕ້ານທານຮອຍຂີດຂ່ວນ Mohs 9 ຂອງມັນເພື່ອຄວາມທົນທານທີ່ດີຂຶ້ນ.

ປ່ອງຢ້ຽມແສງ Sapphire ສືບຕໍ່ຂະຫຍາຍການນຳໃຊ້ຂອງເຂົາເຈົ້າຜ່ານຄວາມກ້າວໜ້າໃນການປະມວນຜົນຮູບແບບຂະໜາດໃຫຍ່, ຮູບຮ່າງທີ່ສັບສົນ, ແລະ ລັກສະນະການປະຕິບັດທີ່ດີຂຶ້ນ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ຕຳແໜ່ງຂອງເຂົາເຈົ້າແຂງແກ່ນຂຶ້ນເປັນອົງປະກອບທີ່ສຳຄັນໃນທົ່ວອຸດສາຫະກຳເຕັກໂນໂລຢີສູງ.

ບໍລິການ XKH

ແພລດຟອມການບໍລິການທີ່ຄົບຖ້ວນຂອງ XKH ປະສົມປະສານຄວາມຊ່ຽວຊານດ້ານການຜະລິດທີ່ທັນສະໄໝເຂົ້າກັບການສະໜັບສະໜູນດ້ານວິຊາການທີ່ເຂັ້ມແຂງເພື່ອສະໜອງວິທີແກ້ໄຂປ່ອງຢ້ຽມແສງ sapphire ແບບ end-to-end. ພະແນກການຜະລິດແບບກຳນົດເອງສະເໜີການປະມວນຜົນແບບແຕ້ມຮູບດ້ວຍຄວາມສາມາດໃນການປ່ຽນໄຟລ໌ 2D/3D ເຕັມຮູບແບບ, ເສີມດ້ວຍການບໍລິການເພີ່ມປະສິດທິພາບການອອກແບບສຳລັບການຜະລິດ (DFM) ທີ່ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງແລະຕົ້ນທຶນການຜະລິດ. ພວກເຮົາຮັກສາຄວາມສາມາດໃນການສ້າງຕົ້ນແບບໄວຊັ້ນນຳຂອງອຸດສາຫະກຳ, ສົ່ງຕົວຢ່າງທີ່ເຮັດວຽກ Φ100 ມມ ພາຍໃນ 5 ມື້ເຮັດວຽກເພື່ອເລັ່ງວົງຈອນການພັດທະນາຜະລິດຕະພັນ. ການປິ່ນປົວທີ່ເຮັດວຽກຂັ້ນສູງປະກອບມີການເຄືອບນຳໄຟຟ້າທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍຳສູງທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານແຜ່ນທີ່ສາມາດປັບໄດ້ຕັ້ງແຕ່ 10-1000Ω/□ ສຳລັບການນຳໃຊ້ປ້ອງກັນ EMI, ພ້ອມກັບຟິມຕ້ານໝອກທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງທີ່ຮັກສາຄວາມຊັດເຈນທາງສາຍຕາໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີຄວາມຊຸ່ມສູງ.

ພື້ນຖານໂຄງລ່າງການສະໜັບສະໜູນດ້ານວິຊາການມີທີມງານວິສະວະກຳທີ່ອຸທິດຕົນໂດຍນຳໃຊ້ຊອບແວການຈຳລອງທາງແສງ Zemax ແລະ CodeV ເພື່ອສ້າງແບບຈຳລອງປະສິດທິພາບຂອງລະບົບ ແລະ ຄາດຄະເນພຶດຕິກຳທາງຄວາມຮ້ອນ/ກົນຈັກພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂການດຳເນີນງານ. ຫ້ອງທົດລອງວິນິດໄສວັດສະດຸຂອງພວກເຮົາ, ພ້ອມດ້ວຍກ້ອງຈຸລະທັດສະແກນເອເລັກຕຣອນ (SEM) ແລະ ການວິເຄາະລັງສີເອັກສ໌ກະຈາຍພະລັງງານ (EDS), ໃຫ້ການວິເຄາະຄວາມລົ້ມເຫຼວຕົ້ນຕໍເພື່ອປັບປຸງຄວາມໜ້າເຊື່ອຖື. ການບໍລິການກວດສອບສິ່ງແວດລ້ອມລວມມີການທົດສອບວົງຈອນຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງ (-196℃ ຫາ 800℃) ແລະ ການສີດເກືອ 500 ຊົ່ວໂມງຕາມມາດຕະຖານ MIL-STD-810G, ຮັບປະກັນຄວາມທົນທານຂອງອົງປະກອບໃນສະພາບການດຳເນີນງານທີ່ຮຸນແຮງ.

ລະບົບຮັບປະກັນຄຸນນະພາບໃຊ້ການຕິດຕາມວັດສະດຸຢ່າງຄົບຖ້ວນຕັ້ງແຕ່ລູກບານໄປເຊຍກັນຈົນເຖິງຜະລິດຕະພັນສຳເລັດຮູບ, ໂດຍແຕ່ລະອົງປະກອບມາພ້ອມກັບເອກະສານຢັ້ງຢືນທີ່ຄົບຖ້ວນ. ຄວາມສາມາດໃນການວັດແທກທີ່ທັນສະໄໝປະກອບມີການແຊກແຊງການປ່ຽນໄລຍະ 4D ສຳລັບການກວດສອບຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງພື້ນຜິວ λ/50, ການແຊກແຊງແສງສີຂາວທີ່ບັນລຸຄວາມລະອຽດຂອງຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວ 0.1 nm, ແລະການວິເຄາະສະເປກໂຕຣໂຟໂຕມິເຕີທີ່ກວມເອົາລະດັບສະເປກຕຣຳ 190-3300 nm ສຳລັບການລະບຸລັກສະນະການສົ່ງຕໍ່/ການສະທ້ອນ.

ການບໍລິການທີ່ມີມູນຄ່າເພີ່ມຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການພິເສດຂອງການນຳໃຊ້, ລວມທັງວິທີແກ້ໄຂການເຊື່ອມໂຍງສູນຍາກາດທີ່ມີຂອບໂລຫະທີ່ມີການເຊື່ອມໂລຫະສຳລັບລະບົບສູນຍາກາດສູງພິເສດ (UHV). ການບໍລິການຄວບຄຸມການປ່ອຍໄຟຟ້າສະຖິດ (ESD) ປັບຄວາມຕ້ານທານຂອງພື້ນຜິວລະຫວ່າງ 10⁶-10⁹Ω ເພື່ອປ້ອງກັນການສະສົມຂອງປະຈຸໃນເຄື່ອງມືທີ່ມີຄວາມອ່ອນໄຫວ. ສ່ວນປະກອບທັງໝົດໄດ້ຮັບການຫຸ້ມຫໍ່ສຸດທ້າຍໃນສະພາບແວດລ້ອມຫ້ອງສະອາດ Class 100, ດ້ວຍການນັບອະນຸພາກທາງເລືອກ ແລະ ການຫຸ້ມຫໍ່ອົບດ້ວຍສູນຍາກາດສຳລັບຄວາມຕ້ອງການຄວາມສະອາດຊັ້ນເຄິ່ງຕົວນຳ.