Semiconductors ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນພື້ນຖານຂອງຍຸກຂໍ້ມູນຂ່າວສານ, ໂດຍແຕ່ລະວັດສະດຸທີ່ຊ້ໍາກັນໄດ້ກໍານົດຂອບເຂດຂອງເຕັກໂນໂລຢີຂອງມະນຸດຄືນໃຫມ່. ຈາກ semiconductors ທີ່ໃຊ້ຊິລິໂຄນລຸ້ນທໍາອິດໄປສູ່ວັດສະດຸ bandgap ultra-wide ລຸ້ນທີ 4 ຂອງມື້ນີ້, ທຸກໆການກ້າວກະໂດດຂອງວິວັດທະນາການໄດ້ກະຕຸ້ນຄວາມກ້າວຫນ້າທາງດ້ານການສື່ສານ, ພະລັງງານ, ແລະຄອມພິວເຕີ້. ໂດຍການວິເຄາະລັກສະນະແລະເຫດຜົນການຫັນປ່ຽນການຜະລິດຂອງວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ມີຢູ່ແລ້ວ, ພວກເຮົາສາມາດຄາດຄະເນທິດທາງທີ່ມີທ່າແຮງສໍາລັບ semiconductors ຮຸ່ນທີ 5 ໃນຂະນະທີ່ຄົ້ນຫາເສັ້ນທາງຍຸດທະສາດຂອງຈີນໃນເວທີການແຂ່ງຂັນນີ້.
I. ລັກສະນະ ແລະເຫດຜົນວິວັດທະນາການຂອງສີ່ລຸ້ນເຊມິຄອນດັກໂຕ
Semiconductors ຮຸ່ນທໍາອິດ: ຍຸກພື້ນຖານ Silicon-Germanium
ລັກສະນະ: semiconductors ອົງປະກອບເຊັ່ນຊິລິໂຄນ (Si) ແລະ germanium (Ge) ສະເຫນີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍປະສິດທິພາບແລະຂະບວນການຜະລິດທີ່ແກ່, ແຕ່ຍັງທົນທຸກຈາກ bandgaps ແຄບ (Si: 1.12 eV; Ge: 0.67 eV), ຈໍາກັດຄວາມທົນທານຂອງແຮງດັນແລະປະສິດທິພາບຄວາມຖີ່ສູງ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ: ວົງຈອນປະສົມປະສານ, ຈຸລັງແສງຕາເວັນ, ອຸປະກອນແຮງດັນຕ່ໍາ / ຄວາມຖີ່ຕ່ໍາ.
Transition Driver: ຄວາມຕ້ອງການທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນສໍາລັບປະສິດທິພາບຄວາມຖີ່ສູງ/ອຸນຫະພູມສູງໃນ optoelectronics ເກີນຄວາມສາມາດຂອງ silicon.
Semiconductors ຮຸ່ນທີສອງ: ການປະຕິວັດປະສົມ III-V
ຄຸນລັກສະນະ: ທາດປະສົມ III-V ເຊັ່ນ gallium arsenide (GaAs) ແລະ indium phosphide (InP) ມີລັກສະນະ bandgaps ທີ່ກວ້າງກວ່າ (GaAs: 1.42 eV) ແລະການເຄື່ອນທີ່ຂອງເອເລັກໂຕຣນິກສູງສໍາລັບການນໍາໃຊ້ RF ແລະ photonic.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ: ອຸປະກອນ 5G RF, diodes laser, ການສື່ສານດາວທຽມ.
ສິ່ງທ້າທາຍ: ການຂາດແຄນວັດສະດຸ (ຄວາມອຸດົມສົມບູນຂອງອິນເດຍ: 0.001%), ອົງປະກອບທີ່ເປັນພິດ (ສານຫນູ), ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດສູງ.
Transition Driver: ການໃຊ້ພະລັງງານ/ພະລັງງານຕ້ອງການວັດສະດຸທີ່ມີແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ສູງກວ່າ.
Semiconductors ຮຸ່ນທີສາມ: ການປະຕິວັດພະລັງງານແຖບກວ້າງ
ລັກສະນະ: Silicon carbide (SiC) ແລະ gallium nitride (GaN) ສົ່ງ bandgaps >3eV (SiC:3.2eV; GaN:3.4eV), ມີການນໍາຄວາມຮ້ອນດີກວ່າແລະລັກສະນະຄວາມຖີ່ສູງ.
ແອັບພລິເຄຊັນ: ລົດໄຟ EV, PV inverters, ໂຄງສ້າງພື້ນຖານ 5G.
ຂໍ້ໄດ້ປຽບ: 50%+ ການປະຫຍັດພະລັງງານແລະການຫຼຸດຜ່ອນຂະຫນາດ 70% ທຽບກັບຊິລິໂຄນ.
Transition Driver: AI/quantum computing ຕ້ອງການວັດສະດຸທີ່ມີຕົວວັດແທກປະສິດທິພາບສູງສຸດ.
Semiconductors ຮຸ່ນທີສີ່: Ultra-Wide Bandgap Frontier
ລັກສະນະ: Gallium oxide (Ga₂O₃) ແລະເພັດ (C) ບັນລຸ bandgaps ສູງເຖິງ 4.8eV, ສົມທົບການຕ້ານທານຕໍ່ຕ່ໍາສຸດກັບ kV-class ຄວາມທົນທານຕໍ່ແຮງດັນ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ: ICs ແຮງດັນສູງ Ultra, ເຄື່ອງກວດຈັບ UV ເລິກ, ການສື່ສານ quantum.
ບາດກ້າວບຸກທະລຸ: ອຸປະກອນ Ga₂O₃ ທົນທານຕໍ່ > 8kV, ປະສິດທິພາບຂອງ SiC ເພີ່ມຂຶ້ນສາມເທົ່າ.
Evolutionary Logic: ການກ້າວກະໂດດຂອງການປະຕິບັດຂະຫນາດ Quantum ແມ່ນຈໍາເປັນເພື່ອເອົາຊະນະຂໍ້ຈໍາກັດທາງດ້ານຮ່າງກາຍ.
I. ແນວໂນ້ມ Semiconductor ລຸ້ນທີ 5: ວັດສະດຸ Quantum & ສະຖາປັດຕະຍະກຳ 2D
ການພັດທະນາທ່າແຮງປະກອບມີ:
1. Topological Insulators: ການດໍາເນີນການດ້ານທີ່ມີ insulation ຫຼາຍເຮັດໃຫ້ເອເລັກໂຕຣນິກສູນການສູນເສຍ.
2. ວັດສະດຸ 2D: Graphene/MoS₂ ສະຫນອງການຕອບສະຫນອງຄວາມຖີ່ THz ແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ.
3. Quantum Dots & Photonic Crystals: ວິສະວະກໍາ Bandgap ຊ່ວຍໃຫ້ປະສົມປະສານ optoelectronic-thermal.
4. Bio-Semiconductors: DNA/protein-based self-assembors material ຂົວຊີວະສາດ ແລະເອເລັກໂຕຣນິກ.
5. ໄດເວີທີ່ສໍາຄັນ: AI, ການໂຕ້ຕອບຂອງສະຫມອງກັບຄອມພິວເຕີ, ແລະຄວາມຕ້ອງການ superconductivity ອຸນຫະພູມຫ້ອງ.
II. ໂອກາດຂອງ Semiconductor ຂອງຈີນ: ຈາກຜູ້ຕິດຕາມໄປສູ່ຜູ້ນໍາ
1. ການບຸກທະລຸດ້ານເຕັກໂນໂລຊີ
• 3rd-Gen: ການຜະລິດມະຫາຊົນຂອງ substrates SiC 8 ນິ້ວ; MOSFETs SiC ເກຣດໃນລົດຍົນ BYD
• 4th-Gen: ຂະໜາດ 8 ນິ້ວ Ga₂O₃ epitaxy breakthroughs ໂດຍ XUPT ແລະ CETC46
2. ນະໂຍບາຍສະໜັບສະໜູນ
• ແຜນການ 5 ປີຄັ້ງທີ 14 ໃຫ້ບຸລິມະສິດ 3rd-gen semiconductors
• ກອງທຶນອຸດສາຫະກໍາຂອງແຂວງຮ້ອຍຕື້ຢວນໄດ້ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນ
• Milestones 6-8 ນິ້ວອຸປະກອນ GaN ແລະ transistors Ga₂O₃ ລະບຸໄວ້ໃນ 10 ຄວາມກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເຕັກໂນໂລຢີສູງສຸດໃນປີ 2024
III. ສິ່ງທ້າທາຍແລະການແກ້ໄຂຍຸດທະສາດ
1. ທໍ່ທາງດ້ານວິຊາການ
• ການຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງກ້ອນຫີນ: ຜົນຜະລິດຕໍ່າສໍາລັບ boules ທີ່ມີເສັ້ນຜ່າກາງຂະຫນາດໃຫຍ່ (ເຊັ່ນ: ການແຕກ Ga₂O₃)
• ມາດຕະຖານຄວາມໜ້າເຊື່ອຖື: ຂາດໂປຣໂຕຄອນທີ່ຕັ້ງໄວ້ສຳລັບການທົດສອບຄວາມສູງອາຍຸ/ຄວາມຖີ່ສູງ.
2. Supply Chain Gaps
• ອຸປະກອນ: ເນື້ອໃນພາຍໃນປະເທດ <20% ສໍາລັບຜູ້ປູກໄປເຊຍກັນ SiC
• ການຮັບຮອງເອົາ: ຄວາມຕ້ອງການລົງລຸ່ມສໍາລັບອົງປະກອບທີ່ນໍາເຂົ້າ
3. ເສັ້ນທາງຍຸດທະສາດ
• ການຮ່ວມມືດ້ານອຸດສາຫະກຳ-ນັກວິຊາການ: ເປັນຕົວແບບຈາກ “ພັນທະມິດເຊມິຄອນດັກເຕີ ລຸ້ນທີ 3”
• Niche Focus: ບູລິມະສິດການສື່ສານ quantum/ຕະຫຼາດພະລັງງານໃໝ່
• ການພັດທະນາພອນສະຫວັນ: ສ້າງໂຄງການ “ວິທະຍາສາດ ແລະ ວິສະວະກຳຊິບ”
ຈາກຊິລິໂຄນໄປຫາ Ga₂O₃, ການວິວັຖນາການຂອງເຊມິຄອນນໍາດັກເຕີເຮັດໃຫ້ມະນຸດມີໄຊຊະນະເໜືອຂີດຈຳກັດທາງກາຍຍະພາບ. ໂອກາດຂອງຈີນຢູ່ໃນການສ້າງຄວາມຊຳນານດ້ານວັດຖຸສະໄໝທີ 4 ໃນຂະນະທີ່ບຸກເບີກການປະດິດສ້າງລຸ້ນທີ 5. ດັ່ງທີ່ນັກວິຊາການ Yang Deren ສັງເກດເຫັນວ່າ: "ນະວັດຕະກໍາທີ່ແທ້ຈິງຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີການສ້າງເສັ້ນທາງທີ່ບໍ່ມີການເດີນທາງ." ການຮ່ວມມືດ້ານນະໂຍບາຍ, ທຶນຮອນ, ເຕັກໂນໂລຊີຈະກຳນົດຈຸດໝາຍປາຍທາງຂອງນັກ semiconductor ຂອງຈີນ.
XKH ໄດ້ອອກມາເປັນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການໂຊລູຊັ່ນປະສົມປະສານແນວຕັ້ງທີ່ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນວັດສະດຸ semiconductor ຂັ້ນສູງໃນທົ່ວລຸ້ນເຕັກໂນໂລຢີທີ່ຫຼາກຫຼາຍ. ດ້ວຍຄວາມສາມາດຫຼັກທີ່ກວມເອົາການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໄປເຊຍກັນ, ການປຸງແຕ່ງຄວາມແມ່ນຍໍາ, ແລະເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບທີ່ເປັນປະໂຫຍດ, XKH ສະຫນອງ substrates ປະສິດທິພາບສູງແລະ wafers epitaxial ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ທັນສະໄຫມໃນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ, ການສື່ສານ RF, ແລະລະບົບ optoelectronic. ລະບົບນິເວດການຜະລິດຂອງພວກເຮົາກວມເອົາຂະບວນການທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງສໍາລັບການຜະລິດ silicon carbide 4-8 ນິ້ວແລະ wafers gallium nitride ດ້ວຍການຄວບຄຸມຂໍ້ບົກພ່ອງຊັ້ນນໍາຂອງອຸດສາຫະກໍາ, ໃນຂະນະທີ່ຮັກສາໂຄງການ R&D ທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວໃນວັດສະດຸ bandgap ultra-wide ທີ່ພົ້ນເດັ່ນຂື້ນລວມທັງ gallium oxide ແລະເພັດ semiconductors. ໂດຍຜ່ານການຮ່ວມມືຍຸດທະສາດກັບສະຖາບັນຄົ້ນຄ້ວາຊັ້ນນໍາແລະຜູ້ຜະລິດອຸປະກອນ, XKH ໄດ້ພັດທະນາເວທີການຜະລິດທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນທີ່ສາມາດສະຫນັບສະຫນູນທັງການຜະລິດປະລິມານສູງຂອງຜະລິດຕະພັນທີ່ໄດ້ມາດຕະຖານແລະການພັດທະນາພິເສດຂອງການແກ້ໄຂວັດສະດຸທີ່ກໍາຫນົດເອງ. ຄວາມຊໍານານດ້ານວິຊາການຂອງ XKH ສຸມໃສ່ການແກ້ໄຂສິ່ງທ້າທາຍດ້ານອຸດສາຫະກໍາທີ່ສໍາຄັນເຊັ່ນ: ການປັບປຸງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງ wafer ສໍາລັບອຸປະກອນພະລັງງານ, ປັບປຸງການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ RF, ແລະການພັດທະນາ heterostructures ໃຫມ່ສໍາລັບອຸປະກອນ photonic ຮຸ່ນຕໍ່ໄປ. ໂດຍການລວມເອົາວິທະຍາສາດວັດສະດຸຂັ້ນສູງກັບຄວາມສາມາດດ້ານວິສະວະກໍາທີ່ຊັດເຈນ, XKH ຊ່ວຍໃຫ້ລູກຄ້າສາມາດເອົາຊະນະຂໍ້ຈໍາກັດດ້ານການປະຕິບັດໃນການນໍາໃຊ້ຄວາມຖີ່ສູງ, ພະລັງງານສູງ, ແລະສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງໃນຂະນະທີ່ສະຫນັບສະຫນູນການຫັນປ່ຽນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ພາຍໃນໄປສູ່ຄວາມເປັນເອກະລາດຂອງລະບົບຕ່ອງໂສ້ການສະຫນອງຫຼາຍກວ່າເກົ່າ.
ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນ wafer 12inchsapphire ຂອງ XKH & 12inch SiC substrate:
ເວລາປະກາດ: 06-06-2025