KY Growth Furnace ຊຸກຍູ້ການຍົກລະດັບອຸດສາຫະກໍາ Sapphire, ສາມາດຜະລິດໄປເຊຍກັນ Sapphire ໄດ້ເຖິງ 800-1000kg ຕໍ່ເຕົາ.

ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ດ້ວຍການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີຢ່າງໄວວາ, ວັດສະດຸ sapphire ໄດ້ມີບົດບາດສໍາຄັນເພີ່ມຂຶ້ນໃນອຸດສາຫະກໍາ LED, semiconductor, ແລະ optoelectronic. ໃນຖານະເປັນອຸປະກອນການປະສິດທິພາບສູງ, sapphire ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ substrates LED chip, ເລນ optical, lasers, ແລະອຸປະກອນເກັບຮັກສາ Blu-ray. ດ້ວຍຄວາມຕ້ອງການທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນສໍາລັບ sapphire, ເຕັກໂນໂລຊີການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ sapphire ທີ່ມີປະສິດທິພາບແລະມີຄຸນນະພາບສູງໄດ້ກາຍເປັນປັດໃຈສໍາຄັນໃນການພັດທະນາອຸດສາຫະກໍາ.

ຕໍ່ກັບສິ່ງຫຍໍ້ທໍ້ນີ້, ໄດ້KY Growth Furnace(ວິທີການ Kyropoulos) ຄ່ອຍໆກາຍເປັນຫນຶ່ງໃນອຸປະກອນເຕັກໂນໂລຢີທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດໃນອຸດສາຫະກໍາ sapphire, ຍ້ອນຄວາມໄດ້ປຽບດ້ານວິຊາການທີ່ເປັນເອກະລັກ. KY Growth Furnace ບໍ່ພຽງແຕ່ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງເທົ່ານັ້ນແຕ່ຍັງບັນລຸຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດເຖິງ 800 ກິໂລກຣາມຂອງ sapphire ໄປເຊຍກັນຕໍ່ເຕົາ, ສະຫນອງການສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການທີ່ເຂັ້ມແຂງສໍາລັບການພັດທະນາອຸດສາຫະກໍາ.

KY Growth Furnace: ເຄື່ອງມືທີ່ມີປະສິດທິພາບສໍາລັບການເພີ່ມກໍາລັງການຜະລິດແລະຄຸນນະພາບ

KYເຕົາເຜົາການຂະຫຍາຍຕົວໃຊ້ວິທີ Kyropoulos (KY Method) ສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນ sapphire. ວິທີການນີ້, ໃນເບື້ອງຕົ້ນໄດ້ສະເຫນີໂດຍນັກວິທະຍາສາດຊາວກຣີກ Kyropoulos, ໄດ້ກາຍເປັນເຕັກໂນໂລຢີທີ່ໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນ sapphire. ເມື່ອປຽບທຽບກັບວິທີການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ sapphire ແບບດັ້ງເດີມ, ວິທີການ Kyropoulos ສະເຫນີຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ສໍາຄັນໃນດ້ານຄວາມແມ່ນຍໍາການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໄປເຊຍກັນ, ປະສິດທິພາບ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ເຮັດໃຫ້ການຄວບຄຸມທີ່ດີກວ່າຂອງ sapphire ໄປເຊຍກັນຄຸນນະພາບແລະຄວາມໄວການຂະຫຍາຍຕົວ.

ການອອກແບບຂອງ KY Growth Furnace ເນັ້ນຫນັກໃສ່ການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນຂອງອຸນຫະພູມ, ຄວາມກົດດັນ, ແລະອັດຕາຄວາມເຢັນເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມເຢັນເປັນເອກະພາບຂອງການແກ້ໄຂ sapphire ແລະການສ້າງຕັ້ງຂອງໄປເຊຍກັນຕະຫຼອດຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວ. ດ້ວຍເທກໂນໂລຍີນີ້, KY Growth Furnace ສາມາດຜະລິດເມັດ sapphire ທີ່ມີເສັ້ນຜ່າກາງຂະຫນາດໃຫຍ່, ມີຂໍ້ບົກພ່ອງ, ມີຄຸນນະພາບສູງ, ມີປະສິດທິພາບແລະຫມັ້ນຄົງ, ໂດຍສະເພາະທີ່ເຫມາະສົມກັບຄວາມຕ້ອງການຂອງ substrate sapphire ຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງອຸດສາຫະກໍາ LED ແລະ semiconductor.

ຂໍ້ໄດ້ປຽບດ້ານວິຊາການຂອງ KY ການຂະຫຍາຍຕົວ furnace:

1. 1.High Capacity: ຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດສູງສຸດຂອງ KY Growth Furnace ສາມາດບັນລຸ 800 ກິໂລກໍາຂອງ sapphire ໄປເຊຍກັນຕໍ່ furnace, ເປັນກໍາລັງການຜະລິດຊັ້ນນໍາໃນຕະຫຼາດອຸປະກອນການຂະຫຍາຍຕົວ sapphire ໃນປັດຈຸບັນ. ດ້ວຍຄວາມຕ້ອງການທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນຈາກອຸດສາຫະກໍາເຊັ່ນ: ໄຟ LED, ເຕັກໂນໂລຢີເລເຊີ, ແລະຈໍສະແດງຜົນລະດັບສູງ, ຄວາມສາມາດສູງຂອງ KY Growth Furnace ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອຸປະກອນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດໄປເຊຍກັນ sapphire ຂະຫນາດໃຫຍ່.

1. 2.Precise Temperature and Pressure Control: The KY Growth Furnace is installed with advanced temperature and pressure control systems , ອະນຸຍາດໃຫ້ການປັບຄວາມຊັດເຈນຂອງອັດຕາຄວາມເຢັນແລະການປ່ຽນແປງອຸນຫະພູມຂອງການແກ້ໄຂ molten, ປະສິດທິພາບການປັບປຸງຄຸນນະພາບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໄປເຊຍກັນ sapphire. ໂດຍຜ່ານລະບົບການຄວບຄຸມນີ້, KY Growth Furnace ສາມາດຜະລິດໄປເຊຍກັນ sapphire ທີ່ມີໂຄງສ້າງເສັ້ນດ່າງທີ່ສົມບູນແບບແລະມີຂໍ້ບົກພ່ອງຈໍານວນຫນ້ອຍ, ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ.

1. 3.Energy-Efficient and cost-effective: KY Growth Furnace ໃຊ້ລະບົບແລກປ່ຽນຄວາມຮ້ອນແບບປະດິດສ້າງ ແລະການອອກແບບການຈັດການພະລັງງານທີ່ມີປະສິດທິພາບ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ການສູນເສຍພະລັງງານໜ້ອຍທີ່ສຸດ ແລະຫຼຸດຕົ້ນທຶນການຜະລິດ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ການຄວບຄຸມອັດສະລິຍະຂອງລະບົບສາມາດປັບອັດຕະໂນມັດການບໍລິໂພກພະລັງງານ, ຮັບປະກັນການຜະລິດທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງໃນຂະນະທີ່ຮັກສາການບໍລິໂພກພະລັງງານຕ່ໍາແລະປະສິດທິພາບສູງ.

1. 4.High Stability: ການອອກແບບຂອງ KY Growth Furnace ໂດຍສະເພາະແມ່ນເນັ້ນໃສ່ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸປະກອນ. ນະວັດຕະກໍາຂອງລະບົບການຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນແລະລະບົບການໄຫຼວຽນຂອງອາກາດຮັບປະກັນອຸນຫະພູມແລະຄວາມກົດດັນທີ່ເປັນເອກະພາບໃນລະຫວ່າງຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກທັງຫມົດ, ປ້ອງກັນການເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນຫຼາຍເກີນໄປຫຼືບໍ່ສະເຫມີກັນ. ຄຸນນະສົມບັດນີ້ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍປັບປຸງປະສິດທິພາບການຜະລິດແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຜະລິດຕະພັນ.

1. 5.Intelligent Control System: KY Growth Furnace ມີລະບົບການຄວບຄຸມດິຈິຕອນທີ່ທັນສະໄຫມ, ເຊິ່ງຊ່ວຍໃຫ້ການກວດສອບຂໍ້ມູນຕ່າງໆໃນເວລາທີ່ແທ້ຈິງໃນລະຫວ່າງຂະບວນການເຕີບໂຕ. ໂດຍຜ່ານການໂຕ້ຕອບອັດສະລິຍະ, ຜູ້ປະກອບການສາມາດປັບຕົວກໍານົດການເຊັ່ນອຸນຫະພູມ, ຄວາມດັນອາກາດ, ແລະອັດຕາຄວາມເຢັນຢ່າງໄວວາເພື່ອຮັບປະກັນເງື່ອນໄຂທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ.

1. 6.High Automation Level: KY Growth Furnace ມີລະດັບອັດຕະໂນມັດສູງ, ເຮັດໃຫ້ການຜະລິດອັດຕະໂນມັດຢ່າງເຕັມສ່ວນຈາກການໂຫຼດວັດຖຸດິບໄປສູ່ການສ້າງຜລຶກ. ຜູ້ປະຕິບັດງານພຽງແຕ່ຕ້ອງສ້າງການຕັ້ງຄ່າທີ່ຈໍາເປັນແລະຕິດຕາມອຸປະກອນ, ຫຼຸດຜ່ອນການແຊກແຊງແລະຄວາມຜິດພາດຂອງມະນຸດຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ດັ່ງນັ້ນການປັບປຸງປະສິດທິພາບການຜະລິດແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຜະລິດຕະພັນ.

ຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງເຕົາເຜົາ KY Growth

ຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງ KY Growth Furnace ແມ່ນອີງໃສ່ວິທີການ Kyropoulos, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຂອງການແກ້ໄຂ sapphire ກັບອຸນຫະພູມສູງທີ່ຈະລະລາຍມັນແລະນໍາໃຊ້ລະບົບການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມພິເສດໃນການຄຸ້ມຄອງຂະບວນການເຮັດຄວາມເຢັນ, ສົ່ງເສີມການເຕີບໂຕຂອງ sapphire ໄປເຊຍກັນໃນການແກ້ໄຂ.

1. 1. ຂະບວນການເຮັດຄວາມຮ້ອນ: ໃນເຕົາເຜົາ KY Growth, ວັດຖຸດິບ sapphire ທໍາອິດຖືກຈັດໃສ່ໃນເຕົາເຜົາການຂະຫຍາຍຕົວແລະໃຫ້ຄວາມຮ້ອນໃນສະພາບ molten. ຂະບວນການນີ້ມັກຈະເກີດຂຶ້ນໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 2000 ອົງສາ.

1. 2.Solution Cooling and Crystal Growth: ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ການແກ້ໄຂ sapphire ຄວາມຮ້ອນໄດ້ຖືກເຮັດໃຫ້ເຢັນຊ້າໆໂດຍຜ່ານລະບົບການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມທີ່ຊັດເຈນ. ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການນີ້, ໂມເລກຸນ sapphire ໃນການແກ້ໄຂຄ່ອຍໆກາຍເປັນ crystallize ເປັນໄປເຊຍກັນ sapphire. ໃນຂັ້ນຕອນນີ້, ການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມແລະຄວາມເຢັນທີ່ຊັດເຈນແມ່ນສໍາຄັນເພື່ອຮັບປະກັນການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກທີ່ເປັນເອກະພາບແລະຫມັ້ນຄົງ.

1. 3.Precise Control of Temperature and Pressure: ໃນ​ລະ​ຫວ່າງ​ຂະ​ບວນ​ການ​ການ​ຂະ​ຫຍາຍ​ຕົວ​ໄປ​ເຊຍ​ກັນ​, ການ​ຄວບ​ຄຸມ​ທີ່​ຊັດ​ເຈນ​ຂອງ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ແລະ​ຄວາມ​ກົດ​ດັນ​ເປັນ​ສິ່ງ​ຈໍາ​ເປັນ​. ລະບົບການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມຂອງ KY Growth Furnace ສາມາດປັບການແຜ່ກະຈາຍຂອງອຸນຫະພູມພາຍໃນ furnace ໄດ້ຢ່າງຖືກຕ້ອງ, ໃນຂະນະທີ່ລະບົບຄວາມກົດດັນສາມາດຄວບຄຸມຄວາມກົດດັນຂອງອາຍແກັສໄດ້ຢ່າງມີປະສິດທິພາບ, ຮັບປະກັນຄຸນນະພາບຂອງການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ.

1. 4.Crystal Formation and Cooling: ໃນຂະນະທີ່ໄປເຊຍກັນສືບຕໍ່ຂະຫຍາຍຕົວ, KY Growth Furnace ຫຼຸດລົງອຸນຫະພູມໃນເວລາທີ່ເຫມາະສົມເພື່ອໃຫ້ໄປເຊຍກັນສໍາເລັດການສ້າງຕັ້ງສຸດທ້າຍຂອງເຂົາເຈົ້າ. ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການເຮັດຄວາມເຢັນ, ລະບົບຈະຄວບຄຸມອັດຕາການເຢັນເພື່ອຫຼີກເວັ້ນການຮອຍແຕກຫຼືຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງໄປເຊຍກັນ.

ພາກສະຫນາມຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແລະການພັດທະນາໃນອະນາຄົດ

ຂໍຂອບໃຈກັບການປະຕິບັດດ້ານວິຊາການທີ່ດີເລີດ, ເຕົາເຜົາ KY Growth ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂົງເຂດ LED, semiconductor, optical, ແລະ laser. ໃນຂະນະທີ່ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບໄປເຊຍກັນ sapphire ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງຍັງສືບຕໍ່ເຕີບໂຕໃນອຸດສາຫະກໍາຕ່າງໆ, KY Growth Furnace ຈະສືບຕໍ່ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນອະນາຄົດ, ຊຸກຍູ້ການປະດິດສ້າງເຕັກໂນໂລຢີແລະການຍົກລະດັບອຸດສາຫະກໍາໃນຂະແຫນງ sapphire.

ໃນການພັດທະນາໃນອະນາຄົດ, KY Growth Furnace ຈະປັບປຸງຂະບວນການຜະລິດຂອງຕົນເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບແລະປະສິດທິພາບດ້ານພະລັງງານເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດທີ່ສັບສົນຫຼາຍ. ດ້ວຍການປະດິດສ້າງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໃນເຕັກໂນໂລຢີ LED, optical, ແລະ laser, KY Growth Furnace ຈະສືບຕໍ່ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການດ້ານວິຊາການເຫຼົ່ານີ້ໃນຂະນະທີ່ສົ່ງເສີມຄວາມກ້າວຫນ້າຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງອຸດສາຫະກໍາ sapphire.

ສະຫຼຸບແລ້ວ, ດ້ວຍປະສິດທິພາບດ້ານວິຊາການທີ່ໂດດເດັ່ນ, ຄວາມອາດສາມາດສູງ, ການຄວບຄຸມອັດສະລິຍະ, ແລະປະສິດທິພາບພະລັງງານ, ເຕົາເຜົາ KY Growth ໄດ້ກາຍເປັນອຸປະກອນທີ່ສໍາຄັນໃນການຜະລິດ sapphire ທີ່ທັນສະໄຫມ. ໃນອະນາຄົດຂອງອຸດສາຫະກໍາ sapphire, KY Growth Furnace ຈະສະຫນອງການແກ້ໄຂທີ່ມີປະສິດທິພາບ, ເປັນມິດກັບສິ່ງແວດລ້ອມ, ແລະຊັດເຈນກວ່າສໍາລັບລູກຄ້າທົ່ວໂລກ, ຊຸກຍູ້ການພັດທະນາຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແລະນະວັດກໍາຂອງອຸດສາຫະກໍາ sapphire.